【課題】光出射層表面に堆積物が生じることを抑制し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、前記光出射端面側とは反対側の面を構成する光触媒膜を有する誘電体層と、前記光触媒膜の一部が露出するように前記光触媒膜の上に設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備え、前記活性層から放出される光ビームは、前記導電体部を透過して放出されることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第１の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第２の段差構造とを備える。第１の段差構造の段差を形成する領域と、第２の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた窒化物半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ側領域１０、活性領域２０及びｐ側領域３０を順に備える。ｎ側領域１０は、ホールをブロックすることが可能なホールブロック層１１を有し、ｐ側領域３０は、電子をブロックすることが可能な電子ブロック層３１を有する。また、ホールブロック層１１は、電子ブロック層３１よりもバンドギャップエネルギーが大きくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】共振器端面でＣＯＤが起こりにくい、高出力かつ長寿命の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０に設けられた共振器と、共振器の互いに向かい合う端面に形成された端面コート膜１８、１９とを備えた窒化物半導体レーザ素子１０において、少なくともレーザ光出射側の端面に形成された端面コート膜１８の窒化物半導体層２０に接する層は膜密度が２．８３ｇ／ｃｍ³以上のＡｌＮからなる。 （もっと読む）

【課題】 リッジ部への応力の集中を避けることが可能であると共に傾くことを抑制可能なIII族窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体レーザ１は、リッジ部２４を含むIII族窒化物半導体積層２０と、III族窒化物半導体積層２０の上に設けられた絶縁膜６０と、リッジ部２４の上面２４ａと接合を成すｐ電極７１と、絶縁膜６０及びｐ電極７１の上に設けられたｐパッド電極７２と、絶縁膜６０の上に設けられた第１の擬似パッド８１及び第２の擬似パッド８２とを備える。III族窒化物半導体積層２０は、順に配列された第１の部分２１、第２の部分２２及び第３の部分２３を有する。第２の部分２２は前記リッジ部２４を含む。第１の擬似パッド８１は第１の部分２１の上に設けられ、第２の擬似パッド８２は第３の部分２３の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、基板１００上に形成された下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭとを含む。メサＭの頂部において、光出射部を覆う異方形状の出射保護膜１１２が形成され、さらにメサＭの側壁および少なくとも周縁を覆う層間絶縁膜１１４が形成される。層間絶縁膜１１４は、出射保護膜１１２の長軸側の両端部を覆う周縁被覆部１１４Ａと、出射保護膜１１２上に形成された基本横モード発振を制御するモード制御部１１４Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】樹脂上の絶縁膜におけるクラックの発生を抑制することができる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】メサ構造１４が主面２ａ上に形成された半導体基板２の主面２ａ上に樹脂を塗布し、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９に対してエッチングを行い、誘電体樹脂層９に開口９ａを形成することによりコンタクト層１３を露出させる。コンタクト層１３及び誘電体樹脂層９を覆う絶縁膜１６を形成する。メサ構造１４上の絶縁膜１６に対してエッチングを行い、絶縁膜１６に開口１６ａを形成することによりコンタクト層１３を再び露出させる。このとき、開口１６ａの一端部１６ｃは、主部１６ｂと比べて幅広の部分を有する。その後、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤによる動作不良を低減できると共に放熱能力の低下も縮小できる構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。割断面２７、２９は、ｃ面、ｍ面又はａ面等のへき開面とは異なる。半導体領域１９は、導波路ベクトルＬＧＶの方向に延在する第１〜第３領域１９ｂ〜１９ｄを含む。絶縁膜３１の開口３１ａは半導体領域１９の第３領域１９ｄのリッジ構造上に位置する。電極１５では、パッド電極１８の第１〜第３電極部１８ｂ〜１８ｄは、半導体領域１９の第１〜第３領域１９ｂ〜１９ｄ上にそれぞれ設けられている。第１電極部１８ｂは、割断面２７の縁に到達するアーム部１８ｂ＿ＡＲＭ１を有する。 （もっと読む）

【課題】短波長かつ大出力のレーザ素子を利用した光学モジュールにおいて、気密封止されない光学部品の汚染を防止する。
【解決手段】光学部品（１０、２０、３０、４０、５０）は、波長４６０ｎｍ以下のレーザ光αを出射もしくは透過させるものであって、その表面上には少なくとも一部に誘電体膜からなる第１のコーティングＡが施されており、第１のコーティングＡ上には、貴金属もしくは白金族元素を含有した誘電体膜からなる第２のコーティングＢが施されている。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】電極下に低誘電率の有機材料が挿入された構造であるにも関わらず、外力に対する破壊強度の低下を抑制して製造歩留まりを高めることができる半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】光を出力する半導体レーザ部１０ａと、半導体レーザ部１０ａの出力側に設けられ、前記光を変調する光変調部１０ｂとからなる素子本体１０を、同一基板上に備え、光変調部１０ｂは、前記光が導波する光導波層と、前記光導波層に隣接して設けられ、低誘電率の有機材料から成る埋め込み層１２，１３と、埋め込み層１２，１３の表面に設けられた第一の絶縁膜１４と、第一の絶縁膜１４の上に設けられ、前記光導波層へ電気信号を給電する上部電極１６とを具備する半導体レーザであって、第一の絶縁膜１４の上面および上部電極１６の上面に第二の絶縁膜１７を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の共振器内部の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、ｎ型の下部クラッド層１１と下部クラッド層１１の上に設けられた活性層１２とを含む半導体積層１０と、ｐ型の上部クラッド層１３を含み、半導体積層１０の主面１２ａにおいて一方向に延在するリッジ部１５と、半導体積層１０及びリッジ部１５を覆う絶縁膜２１と、を備え、絶縁膜２１は、主面１２ａにおけるリッジ部１５が設けられていない領域と、リッジ部１５の側面と、に設けられ、絶縁膜２１は、第１部分２１ａ、第２部分２１ｂ及び第３部分２１ｃからなり、第１部分２１ａ、第２部分２１ｂ及び第３部分２１ｃは、リッジ部１５の延在方向に順に配置され、第２部分２１ｂの厚さは、第１部分２１ａの厚さ及び第３部分２１ｃの厚さよりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸調整が容易であり、且つ小型化が可能な半導体レーザ集積素子および半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置１Ａは、半導体レーザ集積素子１０と、半導体レーザ素子４０とを備える。半導体レーザ集積素子１０では、２つの半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂが半導体基板１１上に形成されている。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ青色レーザ光及び緑色レーザ光を出力する。半導体レーザ素子４０は赤色レーザ光を出力し、半導体レーザ構造２０Ａ上にフェースダウン実装されている。半導体レーザ集積素子１０は、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各共振端面を覆う誘電体膜を更に備える。各共振端面上における誘電体膜の厚さは略等しく、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各発振波長における誘電体膜の反射率の差は１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が低減される窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１５ｂと、ｎ側光ガイド層２９と、活性層２７と、ｐ側光ガイド層３１と、ｐ型クラッド層２３と、を備え、活性層２７の発振波長は、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂは、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｐ型クラッド層２３は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１は、何れも、インジウムを含有し、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１のインジウムの組成は、何れも、２％以上６％以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚は、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚とｐ型クラッド層２３の膜厚との合計の６５％以上８５％以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び信頼性を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、Ｎ型半導体層３、活性層２及びＰ型半導体層１と共に積層され、多層金属からなるＰ側電極層４と、前記積層の側面に形成され、光学的損傷を防ぐための端面保護膜１３と、を備え、前記端面保護膜１３は、前記Ｐ側電極層４の少なくとも１層を拡散質である金属薄膜として、拡散媒となりにくい物質からなる保護膜５と、前記拡散媒となる物質からなり、前記金属薄膜と接しないように前記保護膜５上に形成される拡散媒膜６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の高温・高出力特性を改善する。
【解決手段】ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。リッジ部５Ａの側壁底部における２層のパッシベーション膜の合計の膜厚は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収膜５がレーザチップ１の光出射側の最表面に形成される。光吸収膜５は、酸素欠損膜又は酸化パラジウムを備えるとともに、光が通過する位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、光出射面２ａを有する半導体素子層と、端面コート膜８とを備える。端面コート膜８は、窒素を含む窒化物からなり光出射面２ａに接するＡｌＮ膜３１と、ＡｌＮ膜３１の光出射面２ａとは反対側に形成され、各々が酸窒化物からなるＡｌＯＮ膜３２、３３および３４とを含む。そして、ＡｌＮ膜３１に近い側に位置するＡｌＯＮ膜３２の酸素含有率は、ＡｌＮ膜３１から見てＡｌＯＮ膜３２よりも遠い側に位置するＡｌＯＮ膜３３および３４の酸素含有率よりも小さい。 （もっと読む）