【課題】より低出力で駆動でき、かつ発光効率のより高く、しかも４４０〜５５０ｎｍ程度の長波長の光を発光する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも、第一ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層、活性層および第二ｎ型窒化物半導体層を上記基板側からこの順に含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子であって、上記基板または上記第一ｎ型窒化物半導体層は、第一電極と接し、上記第二ｎ型窒化物半導体層は、第二電極と接し、上記第一電極は、アノード電極であり、上記第二電極は、カソード電極である窒化物半導体レーザ素子である。また、第二ｎ型窒化物半導体層に対し上記活性層とは反対側に、導電性酸化物層を備えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】良化現象を抑え、歩留よくかつ生産性の高い自励発振型レーザや高出力レーザの構造を提供する。
【解決手段】n型のGaN基板（３０１）上にn型クラッド層（３０８、３０２）と活性層（３０９、３０３）とp型クラッド層（３１０、３０４）を含む自励発振型又は高出力半導体レーザであって、GaN基板のキャリア濃度が2×10¹⁸cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10¹⁸cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 （もっと読む）