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Fターム[5F173AP12]の内容

半導体レーザ (89,583) | 製造方法 (10,716) | 結晶成長 (4,198) | 選択成長 (522)

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【課題】安定した自励発振動作をする半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板110と、基板110の上に形成された第1導電型の下地層114と、下地層114の上に順次形成された、n型クラッド層115、n型ガイド層116、活性層117、p型ガイド層118、p型クラッド層120及びp型コンタクト層122によって構成された窒化物半導体からなる積層構造体と、p型コンタクト層122に電気的に接続されたp側電極123と、n型クラッド層115に電気的に接続されたn側電極124とを備える。積層構造体は、p側電極123の下方の領域であって第1の転位密度となるように構成された領域である第1転位領域と、第1の転位密度とは異なる第2の転位密度となるように構成された領域である第2転位領域とを含む。第2の転位密度は、第1の転位密度よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】不純物に起因した光半導体素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】凹部11及び凸部12が形成された第1半導体層10の上に、不純物を含む第2半導体層20を形成して、凹部11及び凸部12を被覆する。第2半導体層20には、凹部11内に形成された、第1濃度の不純物を含む第1領域21、凹部11内で、第1領域21上方に形成された、第1濃度よりも低い第2濃度の不純物を含む第2領域22、及び、凸部12上方に形成された、不純物を含む第3領域23を設ける。 (もっと読む)


【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子、光送信モジュール、光送受信モジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子であって、前記変調器部は、活性層を含むとともに出射方向に延伸するメサストライプ構造と、前記メサストライプ構造の両側にそれぞれ隣接して配置される埋め込み層と、を備え、前記埋め込み層の下面と前記活性層の下面との距離は、前記埋め込み層の下面と上面との距離の20%以上である、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】リーク電流の少ない半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10表面の絶縁層20の開口20A上に、下部クラッド層32と、活性層33と、上部クラッド層34と、コンタクト層35とが順に形成されている。下部クラッド層32の上面32Aの幅W2が絶縁層20の開口20Aの幅W1よりも大きくなっており、上部クラッド層34の上面34Aの幅W3が下部クラッド層32の上面32Aの幅W2よりも大きくなっている。上部クラッド層34が下部クラッド層32および活性層33を側面からも覆っている。 (もっと読む)


【課題】発光効率を向上させつつ多様な発光プロファイルを実現する構造体を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、活性層16を有する。活性層16は、InGayAl1−(x+y)N(0≦x,y≦1、0≦x+y≦1)から構成されている。活性層16は、第一の障壁層23と、第一の障壁層23に積層され、島状の孔29が設けられた第二の障壁層24と、島状の孔29に埋め込まれた第一の井戸層25と、第二の障壁層24の上面に積層されている第二の井戸層26と、第一及び第二の井戸層25、26の上面に積層された第三の障壁層27と、を備える。第一の井戸層25及び第二の井戸層26が、いずれもインジウムを含む。 (もっと読む)


【課題】バットジョイント接合位置近傍に於ける欠陥の発生を抑制して、AlGaInAs製の活性層を備えた集積型光半導体装置の性能を向上させる、集積型光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体マスクによって形成される庇の下に、[-110]方向を向いた側面を第1の上部クラッド層及びAlGaInAs製の第1の活性層に形成し、基板上の前記誘電体マスクによって覆われていない領域に第2の活性層と第2の上部クラッド層を成長する。 (もっと読む)


【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造を基板の表面に形成可能な三次元微細加工方法を提供する。
【解決手段】第1工程では、真空中でIII−V族化合物半導体基板1の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板1の表面の自然酸化膜2を化学的に安定なIII族酸化物3に置換させ、改質マスク部3を周期的に形成する。第2工程では、真空中で前記基板1を昇温させることにより、前記改質マスク部3以外の部分の前記自然酸化膜2を脱離させて基板表面を露出させる。第3工程では、真空にV族原料を供給した環境下で前記基板1を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部3上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み4を形成する。第4工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み4の部分にIII−V族化合物半導体結晶5を選択成長させる。 (もっと読む)


【課題】波長ドリフトを防止する波長可変半導体レーザ素子及びその制御装置、制御方法を提供する。
【解決手段】レーザ光を発振する活性領域と、発振したレーザ光の波長をシフトする波長可変領域とを有する波長可変半導体レーザ素子において、波長可変領域に隣接して、投入した電力の大部分を熱に変換する熱補償領域を設け、波長可変領域に投入する電力と熱補償領域に投入する電力の和を常に一定になるようにする。 (もっと読む)


【課題】発生する迷光の伝搬を抑えることができる光半導体素子および光半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ2およびMZ干渉型光変調器4を分岐カプラ3、合波カプラ5および光導波路11〜16によって接続し、モノリシック集積した光半導体素子1であって、半導体レーザ2から発する動作光に対応するバンドギャップ波長に比して長いバンドギャップ波長をもつ吸収層6を、少なくとも合波カプラ5の出力端および光導波路16に隣接させて設けている。 (もっと読む)


本発明による半導体発光素子の製造方法は、ストライプ状のマスク層を第1のIII−V族化合物半導体上に形成する工程(A)と、第1のIII−V族化合物半導体の表面のうち前記マスク層で覆われていない領域上に第2のIII−V族化合物半導体を選択的に成長させることにより、前記マスク層によって規定されるストライプ状開口部を有する電流狭窄層を形成する工程(B)と、マスク層を選択的に除去する工程(C)と、ストライプ状開口部を介して露出する前記第1のIII−V族化合物半導体の表面、および前記電流狭窄層の表面を覆う第3のIII−V族化合物半導体を成長させる工程(D)とを含む。
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【課題】 光学利得の制御が可能でかつ設計自由度の大きい、量子ドットを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板(1)上に少なくとも複数の活性層(4)又は複数の光導波路層が形成されてなる半導体装置において、前記活性層(4)又は光導波路層は量子ナノ構造(100)を含んでおり、前記量子ナノ構造(100)の高さが、光の導波方向に対して垂直でかつ前記半導体基板(1)に平行な方向に段階的に又は周期的に変化していることを特徴とする。あるいは、前記量子ナノ構造(100)の高さが光の導波方向に沿って段階的に又は周期的に変化していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】長期間安定して高出力動作の可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体素子は、n型GaN基板601と、n型GaN基板601上に設けられた窒化物半導体の積層構造とを備え、この積層構造は、n型GaN基板601の格子定数よりも大きな格子定数を有するGaInN多重量子井戸活性層605と、n型GaN基板601とGaInN多重量子井戸活性層605との間に位置するn型GaNコンタクト層602とを有している。n型GaNコンタクト層602は、n型GaN基板601の転位密度よりも高い転位密度を有する欠陥導入領域614を含んでいる。 (もっと読む)


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