【課題】簡易な構成でスペックルノイズを低減することができるレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】全体のレーザ発振波長幅が５ｎｍ〜１０ｎｍに制御され、全体のレーザ発振波長幅の範囲内で０．１〜０．２ｎｍを１刻みとし、１刻み毎に対応する波長のレーザ光を発振する柱状のエミッタを少なくとも１００本以上ずつ有するナノコラムレーザダイオードを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内での場所によって回折格子の形状を変える。
【解決手段】回折格子を形成するためのモールドの形成方法は、仮基板１０１にレジスト１０２を塗布する工程と、レジスト１０２に電子ビームＥＢを露光する工程と、第１のレジストパターン１１３を形成する工程と、第１のデューティ比を有する第１のパターン部１１１ａを形成する工程と、第１のパターン部１１１ａが形成された基板部１１１にレジスト１１４を塗布する工程と、当該レジスト１１４の表面の一部の領域以外の領域に電子ビームＥＢを露光する工程と、第２のレジストパターン１１５を形成する工程と、第２のデューティ比を有する第２のパターン部１１１ｂを形成する工程とを備える。この方法により形成したモールドを用いてナノインプリント法により回折格子２５および分布帰還型半導体レーザ４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ光同士のコヒーレンスを低減させ、スペックルノイズを抑えた光源装置、画像表示装置及びモニタ装置を提供すること。
【解決手段】光を発する複数の発光素子１１ａ〜１１ｆと、該複数の発光素子１１ａ〜１１ｆから射出された光に対してそれぞれ選択が行われる複数の光選択領域Ａ〜Ｆを有し、複数の発光素子１１ａ〜１１ｆから射出された光を選択的に反射させる波長選択素子１２と、該波長選択素子１２の複数の光選択領域Ａ〜Ｆの状態を検出する状態検出手段２１と、該状態検出手段２１により検出された複数の光選択領域Ａ〜Ｆの状態に応じて、複数の光選択領域Ａ〜Ｆによって選択される光の波長が互いに異なるように、波長選択素子１２の光選択領域Ａ〜Ｆの状態を変化させる状態変化手段２２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ光同士のコヒーレンスを低減させ、スペックルノイズを抑えた光源装置、画像表示装置及びモニタ装置を提供すること。
【解決手段】光を発する複数の発光素子１１ａ〜１１ｆと、該複数の発光素子１１ａ〜１１ｆから射出された光に対してそれぞれ選択が行われる複数の光選択領域Ａ〜Ｆを有し、複数の発光素子１１ａ〜１１ｆから射出された光を選択的に反射させる波長選択素子１２と、該波長選択素子１２の複数の光選択領域Ａ〜Ｆの状態を検出する状態検出手段２１と、該状態検出手段２１により検出された複数の光選択領域Ａ〜Ｆの状態に応じて、複数の光選択領域Ａ〜Ｆによって選択される光の波長が互いに異なるように、波長選択素子１２の光選択領域Ａ〜Ｆの状態を変化させる状態変化手段２２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量子のドット、リング及びワイヤーのような量子構造を含む半導体素子及びそれらの製作方法を提供する。
【解決手段】量子ドット２１１及び複数の層を具備する半導体素子であって、前記複数の層は、第１の層２０３と、ストレッサー層２０５と、パターン層２０７と、を具備し、前記ストレッサー層は前記第１の層の上に覆い被さり、前記パターン層は前記ストレッサー層の上に覆い被さり、前記ストレッサー層は、前記第１の層及び前記パターン層とは実質的に異なる格子定数を有していて、前記層に提供されるピット２１３を有し、前記量子ドットは前記ピットと並べられた前記パターン層上にある。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性および信頼性を有する面発光レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した多層膜反射鏡と、前記多層膜反射鏡上に成長したＡｌＧａＩｎＮ系材料からなる活性層と、を備え、前記多層膜反射鏡は、Ｚｎ_{１−ｘ１−ｙ１}Ｍｇ_ｘ１Ｂｅ_ｙ１Ｏ（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）からなる低屈折率層と前記低屈折率層よりも屈折率が高いＺｎＯからなる高屈折率層とが交互に積層した構造からなるとともに、ＺｎＯ結晶または前記活性層に対する歪み量が±３％以下である。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路構造を備え、迷光を吸収することができる、高温特性の良好な高信頼性で長寿命の集積型半導体光素子を提供すること。
【解決手段】ＭＭＩ光合流器１３の出力端の辺に、半導体光増幅器１４を結合する部分を除いた領域に迷光を導波させるための迷光導波メサ１５−１，１５−２が形成されており、迷光導波メサ１５−１，１５−２はコア層として活性層を含む構造を備えるため、活性層で迷光を吸収することができる。 （もっと読む）

【課題】多重信号光用の光中継装置を少ない部品数で実現できる半導体光波形整形装置を提供する。
【解決手段】半導体光波形整形装置１は、第１光信号を増幅するための、第１光信号と波長又は偏光方向が異なる第２光信号に対する利得係数が、第１光信号に対する利得係数の１０％以下となっている第１活性層１１と、第２光信号を増幅するための、第１光信号に対する利得係数が、第２光信号に対する利得係数の１０％以下となっている第２活性層１２と、第１活性層と第２活性層との間に設けられた，各層に対するキャリアの供給源として機能するキャリア供給層１３とを含む導波路コアを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の側面に配置される保護膜として最適な材料を確保して、配置することにより、密着性、放熱性、光出射効率及び／又はリップル低減等において良好な特性を与えることができる、より信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に積層される窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上方に配置されたＳｉとＣとを含む第１保護膜１７と、第１保護膜１７と接して、窒化物半導体層と電気的に接続する電極１９とを有し、第１保護膜１７は、電極１９との界面に、電極１９を構成する少なくとも一部の元素と第１保護膜１７を構成する少なくとも一部の元素とが混在した混在層１８を有する窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子で波長変換されない基本波の出力を抑制し、かつ、小型化できること。
【解決手段】基本波を出射するレーザ素子１０１と、基本波が入射され、入射された基本波の少なくとも一部を、基本波より短波長の変換波に波長変換する波長変換素子１０２と、基本波をシングルモードで導波する径を有し、波長変換素子１０２の出射波を導波する光ファイバ１１１と、変換波をシングルモードで導波する径を有し、光ファイバ１１１の出射波に含まれる基本波の成分を減衰させて導波する可視光用光ファイバ１１２と、光ファイバ１１１に形成され、波長変換素子１０２から出射された基本波をフィードバックしてレーザ素子１０１から出射する基本波の波長または周波数をロックするＦＢＧ１１１ａと、を備える。 （もっと読む）

【課題】光導波層の結晶性を良好とすることができることにより長寿命の、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、活性層７、アンドープＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層を順次成長させて半導体レーザを製造する場合、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９まではＮ₂ 雰囲気で成長を行い、ｐ型ＧａＮ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタクト層まではＮ₂ とＨ₂ との混合ガス雰囲気で成長を行う。 （もっと読む）

【課題】ＡＳＥ光の強度を高め低消費電力で信号光を増幅する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された活性層を有する光導波路と、前記光導波路に信号光を入射させる端面に形成され、前記信号光を透過し、前記信号光以外の波長の光を反射する波長選択反射膜と、を有することを特徴とする半導体光増幅装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、ｎ型クラッド層１０３と活性層１０５とｐ型クラッド層１０９とを順に積層したダブルヘテロ構造部と、活性層１０５を挟んで形成された一対のレーザ共振器端面と、レーザ共振器端面に形成され、レーザ共振器端面から発振される発振光を吸収する反射膜１１３と、を備えている。この半導体レーザ素子は、ウルツ鉱型半導体からなる。レーザ共振器端面は、Ｃ面（０００１）に形成されている。活性層１０５のバンドギャップをＥｇ_ａｖとし、反射膜１１３のバンドギャップをＥｇ_ｒとしたとき、下記式（１）を満たす。（１）１×Ｅｇ_ｒ≦Ｅｇ_ａｖ≦１．２×Ｅｇ_ｒ （もっと読む）

【課題】波長可変機能を有する外部共振器と光変調器の間の光学結合損失を低減すると共に、外部共振器の導波路ミラー反射率を容易に設定可能な送信光源を提供する。
【解決手段】送信光源１は、（ｉ）透過光波長を変更可能な波長可変フィルター１３１、（ｉｉ）波長可変フィルター１３１の一端に光学的に接続される閉ループ状の光導波路を含むループミラー１３２、（ｉｉｉ）ループミラー１３２に光学的に結合され、ループミラー１３２を伝搬する光波の一部を２つのポートから取り出すことのできる２×２光カプラ１１２、（ｉｖ）光カプラ１１２の２つのポートの各々に接続され、導波光の位相を変調することができる第１及び第２の位相変調器として動作する導波路１０６及び１１０、及び（ｖ）導波路１０６及び１１０の出力を合波する３ｄＢ光合波器１０９を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の反射率が低くなるのを抑制することが可能な多波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この２波長半導体レーザ装置１（多波長半導体レーザ装置）では、反射面１ｃ上に形成された高反射膜６は、一対の低屈折率層６ａおよび高屈折率層６ｂと、複数対の低屈折率層６ｃおよび高屈折率層６ｂと含む。複数の低屈折率層６ｃのうちの最外層の低屈折率層６ｄは、λ／２ｎ_L2の厚みを有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体領域の半極性主面上に、良好な発光特性を有する窒化物系半導体光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０６では、成長炉１０の温度を温度Ｔ_Ｗに保ち、半極性主面２３ａ上に時刻ｔ４〜ｔ５の期間でＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ井戸層２５ａを成長する。工程Ｓ１０７では、井戸層２５ａの成長完了の直後に、温度Ｔ_Ｗで、井戸層２５ａの主面を覆う保護層２７ａの成長を開始する。保護層２７ａは、井戸層２５ａのバンドギャップエネルギより大きく障壁層２３のバンドギャップエネルギ以下の窒化ガリウム系半導体からなる。工程Ｓ１０８では、障壁層を成長する前に成長温度Ｔ_Ｗから成長温度Ｔ_Ｂに成長炉１０の温度を変更する。成長炉１０の温度を成長温度Ｔ_Ｂに保ちながら、時刻ｔ８〜ｔ９で、窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２９ａを保護層２７ａ上に成長する。 （もっと読む）

この発明は、少なくとも１つの量子ドットを具えるエンタングル状態のフォトン対を発生させるフォトン対源を作る方法に関し、フォトン対源の操作挙動が少なくとも１つの量子ドットの励起子エネルギーレベルの微細構造分裂を調整することによって決定される。この励起子エネルギーレベルの微細構造分裂は、半導体基体の｛１１１｝結晶面上に少なくとも１つの量子ドットが離散状態で蒸着されることによって調整される。 （もっと読む）

【課題】「負のドループ特性」を抑制するとともに、単一基本横モード発振において高出力動作を可能とする。
【解決手段】 活性層１０５を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３と上部半導体ＤＢＲ１０７を備えている。上部半導体ＤＢＲ１０７は、アルミニウムを含む厚さ３０ｎｍの被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる酸化狭窄構造体をその中に含んでいる。下部半導体ＤＢＲ１０３は、共振器構造体に対して基板１０１側に設けられ、横方向に関する光閉じ込めを低減させる光閉じ込め低減領域としての第２の下部半導体ＤＢＲを有している。これにより、「負のドループ特性」を抑制するとともに、単一基本横モード発振において高出力動作が可能となる。 （もっと読む）

【課題】温度依存性の低い半導体素子、半導体レーザ及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、前記基板２上に形成したSb系半導体薄膜からなる活性層４とを備える半導体素子１において、前記活性層４は、結晶方位が(111)である前記基板２の表面上に形成した。前記活性層４が、GaSb，AlGaSb，AlSb，InGaSb，及びInSbのうちいずれか１種又は２種以上で形成されるSb系半導体薄膜であり、量子井戸構造を有する。 （もっと読む）