【課題】安定したレーザ発振が得られる外部共振器型レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置(100)は、端面発光型の発光素子(10)と、液晶レンズ(23)を含み前記発光素子(10)の端面から出射される光を屈折させるレンズ部(20)と、前記レンズ部(20)から出射される光を回折し、その回折光の一部を前記発光素子(10)に帰還させ該発光素子(10)においてレーザ光を生じさせる回折光学素子(30)と、前記レーザ光の縦モードの単一性及び／又は光出力を監視するレーザ光監視部(40)と、前記レーザ光監視部(40)で得られる前記縦モードの単一性及び／又は光出力に基づいて前記液晶レンズ(23)を制御する液晶制御装置(25)と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低損失であり、かつ広い波長可変域を有する生産が容易な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】波長可変レーザは、利得領域と、利得領域からの光に対する波長選択機能を有するフィルタ領域と、利得領域とフィルタ領域との間の位相調整領域と、出力端面とを備える。フィルタ領域は、ループミラーとして機能するサニャック干渉計であり、２×２光カプラ及び光導波路で構成されるリング共振器１及び２がループ内に配置された構成をとる。リング共振器１及び２は、光導波路により直接接続され、直列に配置されている。リング共振器１及び２は、互いに異なるＦＳＲを有することにより波長可変域を拡大させている。２×２光カプラとリング共振器１及び２の接続、並びにリング共振器１及び２の間の接続にハイメサ光導波路を用いる。また、低損失かつ容易に作製可能なＭＭＩ光カプラを、リング共振器１及び２の光結合部分と２×２光カプラに用いる。 （もっと読む）

【課題】 安定したレーザ光を出射可能な端面発光型フォトニック結晶レーザ素子を提供する。
【解決手段】 端面発光型フォトニック結晶レーザ素子１０は、Ｘ軸を囲む４つの端面を有し、端面のうちの１つはレーザ光出射面ＳＦであり、端面のうちのレーザ光出射面ＳＦに対向する面を逆側端面ＳＢとし、端面のうちの残りの一対の端面を側方端面ＳＲ，ＳＬとする。端面発光型フォトニック結晶レーザ素子１０をＸ軸方向から見た場合、上部電極Ｅ２の一端はレーザ光出射面ＳＦに重なり、上部電極Ｅ２と逆側端面ＳＢとは離間し、上部電極Ｅ２と双方の側方端面ＳＲ，ＳＬとは離間し、且つ、活性層３Ｂの一端はレーザ光出射面ＳＦに重なっている。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＧが小さい光増幅器をえる。
【解決手段】入射光の入力及び出射光の出力を行う入出力部と、入出力部から入力された入射光の偏光成分を分岐して、第１の偏光を有する第１偏光モード光、及び、第１の偏光と異なる第２の偏光を有する第２偏光モード光を出力する偏光分離部と、第１偏光モード光が入力され、第１の偏光を第２の偏光に変換して、第１偏光変換光を出力する偏光変換部と、導波路の一方の端部に入力された第１偏光変換光が増幅されて他方の端部から出力され、他方の端部に入力された第２偏光モード光が増幅されて一方の端部から出力される、光増幅部と、を備え、光増幅部に入力される光の、単位強度当たりの利得の変化の絶対値が、０．１６ｄＢ／ｄＢｍ以下である半導体光増幅器を用いることにより、ＰＤＧ０．５ｄＢ以下の光増幅装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスなどに起因する歪や欠陥や、初期又は動作中に半導体に生じる歪や欠陥を抑制して、特性の向上や安定化が期待される導波路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路１０７は、導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層１０３と第二の導体層１０４と、２つの導体層１０３、１０４に接し且つ２つの導体層１０３、１０４の間に配置された半導体部１０１を含むコア層１０８と、を有する。半導体部１０１を含むコア層１０８は、面内方向に広がった特定の凹凸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】第１，第２レーザ発振部を同時に駆動させたときばかりでなく、第１，第２レーザ発振部のそれぞれを独立駆動させたときにも、第１，第２レーザ発振部の出力変動を低減できるモノリシック半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】
ｎ型ＧａＡｓ基板１００上には、第１レーザ発振部１０１を形成すると共に、第１レーザ発振部１０１の側方に分離溝１０３を介して位置するように、第２レーザ発振部１０２を形成している。第１，第２リッジ部１１０Ａ，１１０Ｂの幅方向の中心から、分離溝１０３の第１，第２リッジ部１１０Ａ，１１０Ｂ側の側面までの距離α１，α２は、５μｍを越えるように設定されている。これにより、第１，第２リッジ部１１０Ａ，１１０Ｂの漏出光を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型変調器と半導体レーザを同一基板上に集積した半導体光素子用いて、同等の変調・伝送特性を維持できる、小型で高歩留・低コストな、波長可変光送信器を提供する。
【解決手段】一つの電界吸収型変調器集積レーザを搭載し、温度調整によって発振波長を可変にするＤＷＤＭ用波長可変レーザモジュールを使用する。温度調整範囲において、ほぼ同等の変調・伝送特性を有するようにレーザおよび変調器の駆動条件を決定する。このような電界吸収型変調器集積レーザを用い、駆動条件を内蔵することで、小型低コストな波長可変光送信器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】リッジ型半導体レーザを精度よく簡易的に製造することができる製造方法等を提供する。
【解決手段】リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層１３とエッチングストップ層１７を含む半導体積層２３を形成する半導体積層形成工程Ｓ１と、第１半導体積層エッチング工程Ｓ３と、半導体部形成工程Ｓ５と、リッジ導波路部形成工程Ｓ７と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９とを備える。リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第１マスク部パターニング工程Ｓ７−１と半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第２マスク部パターニング工程Ｓ９−１とは、一つのマスターパターン４０Ｍからのパターン転写によって一括して行われる。リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第２半導体積層エッチング工程Ｓ７−３と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第１半導体部エッチング工程Ｓ９−３とは、一括して行われる。 （もっと読む）

【課題】リッジの不具合による素子特性の不安定化を防止することのできる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１と、半導体基板１上に設けられた第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる第１クラッド層２と、第１クラッド層２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体からなる活性層３と、活性層３上に設けられた第２導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる第２クラッド層４と、第２クラッド層４上に隆起してストライプ状に形成され、上面が側面方向に庇状に突出しているリッジ１１とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】端面劣化の発生を抑制しつつ、波長変化に対する反射率の変動量を小さくし、それぞれの波長素子におけるモニター電流の温度変化を抑制することの可能な多波長半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】端面発光型の２波長半導体レーザ素子１の後端面に後端面膜４０が設けられている。後端面膜４０は、屈折率がｎ₁の低屈折率層と屈折率がｎ₃（ｎ₁＜ｎ₃）の高屈折率層の組み合わせを１組とする層がＮ組（Ｎ≧２）積層された層と、屈折率がｎ₂（ｎ₁＜ｎ₂＜ｎ₃）の中間屈折率層とを後端面側から順に含んでいる。低屈折率層、高屈折率層および中間屈折率層の光学膜厚は、後端面に下地層が設けられていない場合には、λ₁とλ₂の間の波長をλ₃としたときに、λ₃／４となっている。 （もっと読む）

【課題】光の波長変換に伴う光や熱による特性低下や変質を抑制して、大きな光量を安定に出力できると共に、高速で光変調ができる光源装置を提供すること。
【解決手段】レーザダイオード１０と、該レーザダイオード１０から放射された励起光を導光する光ファイバ１４と、該光ファイバ１４により導光された励起光を所望の波長変換光に波長変換して出射する波長変換ユニット１６と、を備える光源装置において、波長変換ユニット１６を、少なくとも半導体部材２４を有するものとし、該半導体部材２４は、励起光を所望の波長変換光に変換する半導体活性層２８を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を維持しながら光パワーモニタとしての機能を併せ持つ光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザを提供する。
【解決手段】分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 （もっと読む）

【課題】ＤＦＢレーザを有する光半導体モジュールとして、広域な温度範囲で高い通信速度で動作するものの歩留まりを向上する。
【解決手段】光半導体モジュールは、ＤＦＢレーザ１と、光信号を伝送する光伝送路（例えば、光ファイバ２）を有する。光半導体モジュールは、更に、ＤＦＢレーザ１からの出射光（レーザ光３）を光伝送路に結合させる光学系４であって、出射光を光伝送路の入射端面２ａに集束させるレンズ４１を含む光学系４を有する。光半導体モジュールは、更に、ＤＦＢレーザ１の出力を検出する検出部５と、検出部５による検出結果に応じてＤＦＢレーザ１の出力を制御する制御部（ＡＰＣ駆動回路６）を有する。光学系４は、想定使用温度範囲の上限温度（例えば８５℃）での結合効率よりも、想定使用温度範囲の下限温度（例えば−４０℃）での結合効率が低くなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により、スペックルノイズの発生を低減することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この携帯型プロジェクタ１００（表示装置）は、レーザ光を出力する赤色ＬＤ１２、青色ＬＤ１３および緑色ＬＤ１４と、レーザ光を走査させることにより、任意の投影領域に複数の画素からなる画像を投影するスキャナミラー１７と、複数の画素のうち一部の画素に対して、レーザの発振初期においてレーザ光の出力が不安定になる緩和振動の領域を含むレーザ光を出力するとともに、複数の画素のうち一部の画素以外の画素に対して、緩和振動の領域を含まないレーザ光を出力する制御を行うレーザ制御部１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子において、出射されるパルス状のレーザ光の持続時間内での光強度の揺らぎを無くし得る半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子１０、外部共振器８０、及び、波長選択素子８２を備えており、モード同期半導体レーザ素子１０から外部共振器８０を介して出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子８２によって抽出し、外部に出力する。 （もっと読む）

【課題】モード同期動作が不安定になるという問題の発生を抑制することができ、しかも、大きな出力を得ることができる半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）モード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）外部共振器を構成し、１次以上の回折光をモード同期半導体レーザ素子１０に戻し、０次の回折光を外部に出力する回折格子１００を備えており、モード同期半導体レーザ素子１０と回折格子１００との間に、モード同期半導体レーザ素子１０の光出射端面の像を回折格子上に結像させる結像手段１０１を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−Ｌカーブの温度変換を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】伝搬定数同調コア２３は活性導波路コア２５に中間半導体層２１を介して光学的に結合される。導波路コア１７は例えば伝搬定数同調コア２３を含み、導波路コア１９は活性導波路コア２５を含む。伝搬定数同調コア２３に係るフォトルミネセンス波長は活性層２７に係るフォトルミネセンス波長より短い。活性導波路コア２５に係る分散特性は伝搬定数同調コア２３に係る分散特性と異なる。活性導波路コア２５における光伝搬に係る位相速度は、ある波長で、伝搬定数同調コア２３における光伝搬に係る位相速度に等しくなる。活性導波路コア２５及び伝搬定数同調コア２３における位相速度に等しくなる波長でレーザ発振が生じる。導波路コア１７、１９の端面はそれぞれ基準面Ｒ１、Ｒ２に沿って延在し、第１の基準面Ｒ１は第２の基準面Ｒ２に対して傾斜する。 （もっと読む）

【課題】低コストで回折格子の結合定数κを不均一にすることができる光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１の半導体層を形成する第１の半導体層形成工程と、前記第１の半導体層の表面において、導波路の形成されるレーザストライプ領域４３及び前記レーザストライプ領域の両側に近接して形成されるダミー領域４４に、凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、前記凹凸パターンの形成された第１の半導体層の凹部に第２の半導体層をＭＯＣＶＤにより形成する第２の半導体層形成工程と、前記第２の半導体層形成工程の後、前記第１の半導体層の凸部及び前記第２の半導体層上に第３の半導体層を形成する第３の半導体層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光量変動の少ない安定した光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 レーザチップ１００、受光素子１５０、カバーガラス３００などを有し、受光素子１５０は、レーザチップ１００の＋Ｘ側に配置されている。カバーガラス３００は、その表面で反射された光束が、ブリュースター角と略一致する入射角で、受光素子１５０に入射するように、ＸＺ面内でＸ軸方向に対して傾斜して配置されている。レーザチップ１００は、射出領域内に、光学的厚さがλ／４のＳｉＮからなる長方形状の透明層と透明層がＸ軸方向に対向して形成され、射出領域の中心部の相対的に反射率が高い領域は、射出領域の中心を通りＸ軸に平行な方向に関する幅が、射出領域の中心を通りＹ軸に平行な方向に関する幅よりも小さい形状異方性を有している。 （もっと読む）