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【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるp型半導体層中のO原子混入量を適切な範囲とする。
【解決手段】p型結晶層を有する半導体基板であって、前記p型結晶層が、3族原子としてアルミニウム原子を含む3−5族化合物半導体からなり、p型不純物原子として炭素原子を含み、1×1017cm−3以上、1×1019cm−3以下の濃度の水素原子を含み、かつ、2×1017cm−3以上、2×1020cm−3以下の濃度の酸素原子を含む半導体基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】ドーパント濃度が高精度に制御された半導体領域を有する半導体レーザを得ることが可能な半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザの製造方法は、半導体レーザを製造するための半導体領域80と、中間層90と、半導体レーザを製造するための半導体領域100とをこの順に半導体基板5上に形成する半導体領域形成工程と、半導体領域100のドーパント濃度を測定する測定工程と、測定工程の後、半導体領域100及び中間層90を除去する除去工程と、半導体領域80を用いて半導体レーザを製造することの要否をドーパント濃度の測定結果に基づき判定する判定工程と、判定工程において半導体領域80を用いて半導体レーザの製造を要すると判定された場合、半導体領域80を用いて半導体レーザを製造する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるp型半導体層の不純物濃度を制御する。
【解決手段】p型結晶層を有する垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、p型結晶層が、3−5族化合物半導体からなり、p型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、6×1017cm−3以上、6×1019cm−3以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】低減された酸素濃度のp型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子11は、基板13、n型III族窒化物半導体領域15、発光層17、及びp型III族窒化物半導体領域19を備える。基板13の主面13aは、該第1の窒化ガリウム系半導体のc軸に沿って延びる基準軸Cxに直交する面Scから50度以上130度未満の範囲の角度で傾斜する。p型III族窒化物半導体領域19は、第1のp型窒化ガリウム系半導体層21を含み、第1のp型窒化ガリウム系半導体層21の酸素濃度は5×1017cm−3以下である。第1のp型窒化ガリウム系半導体層21のp型ドーパント濃度Npdと酸素濃度Noxgとの濃度比(Noxg/Npd)が1/10以下である。 (もっと読む)


【課題】第二n型半導体層表面に起因する発光層およびp型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に第一n型半導体層12cを積層する第一工程と、前記第一n型半導体層12c上に前記第一n型半導体層12cの再成長層12dと第二n型半導体層12bと発光層13とp型半導体層14とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二n型半導体層12bを積層する工程において、前記再成長層12d形成時よりも少量の前記Siをドーパントとして供給することにより第二n型半導体層第一層を形成する工程(1)と、前記Siを前記工程(1)よりも多く供給することにより第二n型半導体層第二層を形成する工程(2)と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子1の製造方法を採用する。 (もっと読む)


本発明は、電子デバイス用の、好ましくは、光電子デバイス用の、電流遮断構造を提供する。電流遮断構造が、n−型ルテニウムドープリン化インジウム(Ru−InP)層を備えた半導体材料配列と、第1p−型半導体材料層と、を備え、n−型Ru−InP層が、0.6μm未満の厚さである。半導体材料配列と、p−型半導体材料層と、が、電流遮断p−n接合を形成する。電流遮断構造が、他のn−型層および/または多数のn−型Ru−InP層および/または真性/ドープされていない層をさらに備えてよく、n−型Ru−InP層が、0.6μmよりも厚くてよい。
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【課題】高出力・高温動作時の消費電力を抑制し、信頼性の高い二波長レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、共に基板101上に形成された第1の半導体レーザ素子102と、第1の半導体レーザ素子102と発振波長が異なり、第2の半導体レーザ素子103とを備える。第1の半導体レーザ素子102及び第2の半導体レーザ素子103の共振器長は1500μm以上であり、第1の半導体レーザ素子102及び第2の半導体レーザ素子103は、それぞれIn(Ga1−x1Alx11−yP (0<x1<1、0<y<1)からなるn型クラッド層と、In(Ga1−x2Alx21−yP (0<x2<1、0<y<1)からなるp型クラッド層とを有している。活性層303は、AlGa1−zAs(0≦z<1)からなり、1層のみの井戸層を含む。 (もっと読む)


【課題】ELO法によって結晶成長させた窒化物系半導体発光素子における不均一な歪みの発生を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体発光素子は、窒化物系半導体積層構造50を有する窒化物系半導体発光素子であって、窒化物系半導体積層構造50は、AlaInbGacN結晶層(a+b+c=1,a≧0,b≧0,c≧0)を含む活性層32と、AldGaeNオーバーフロー抑制層36(d+e=1,d>0,e≧0)と、AlfGagN層38(f+g=1,f≧0,g≧0,f<d)とを含み、AldGaeNオーバーフロー抑制層36は、活性層32とAlfGagN層38との間に設けられ、AldGaeNオーバーフロー抑制層36は、濃度が1×1016atms/cm3以上1×1019atms/cm3以下のInを含有する層35を含み、Inを含有する層35の厚さは、AldGaeNオーバーフロー抑制層36の厚さの半分以下である。 (もっと読む)


【課題】CW光出力200mW以上の集積型二波長半導体レーザを安定して実現する。
【解決手段】二波長半導体レーザ装置は、第1導電型の第1クラッド層、AlGaAs混晶からなる第1ガイド層、AlGaAs混晶からなるバリア層を有する第1量子井戸活性層、AlGaAs混晶からなる第2ガイド層、及び第2導電型の第2クラッド層を備えた第1の半導体レーザ素子と、第1導電型の第3クラッド層、AlGaInP混晶からなる第3ガイド層、AlGaInP混晶からなるバリア層を有する第2量子井戸活性層、AlGaInP混晶からなる第4ガイド層、及び第2導電型の第4クラッド層を備えた第2の半導体レーザ素子とを備える。少なくとも第1量子井戸活性層を構成するバリア層、第1ガイド層及び第2ガイド層の各々のAl組成は、0.47よりも大きく且つ0.60以下である。 (もっと読む)


【課題】n型InP基板を用い且つ発光効率を向上させ得る半導体レーザ素子の作製方法および半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子10は、n型InP基板37と、n型InP基板37上に設けられたn型InPからなる第1クラッド層27と、第1クラッド層27上に設けられたn型GaInAsPからなる第1光閉じ込め層13と、第1光閉じ込め層13上に設けられ、GaInAsP活性層21、および該活性層21上に設けられたp型GaInAsPからなる第2光閉じ込め層23を有し、周期的に配列された複数の細線領域15と、複数の細線領域15間に設けられたi型InPからなる中間半導体領域17と、第2光閉じ込め層23と隣接するように複数の細線領域15上および中間半導体領域17上に設けられたp型InPからなる第2クラッド層29とを備える。 (もっと読む)


【課題】キャリア濃度が高く、クラックの発生率が低い窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法を提供する。
【解決手段】キャリア濃度が1×1017cm−3以上で、表面が(0001)面から0.03°以上傾斜している窒化ガリウム層を形成する。まず、n型ドーパントを含む窒化ガリウム層を基板上に形成する。次に、基板上に形成された窒化ガリウム層を800℃以上で5分以上加熱し、さらに50℃/分以下の降温速度で加熱する。 (もっと読む)


【課題】発光素子は、高出力で高速応答性、高信頼性の発光素子が求められている。特に装置産業においては過酷な環境下でも長時間の使用に耐えうることは重要であり、通電後の使用においてその特性の変動が極めて少ないことが望まれている。多重量子井戸活性層と電流狭窄構造を有する垂直共振器型発光素子において、良好な初期特性と共に高い信頼性を提供する。
【解決手段】多重量子井戸構造と電流狭窄構造を用いた垂直共振器型発光素子において、量子井戸活性層をノンドープとし、キャリア濃度について、p側を1E18cm−3以上、2E18cm−3以下、かつ、n側を5E17cm−3以下にする。 (もっと読む)


【課題】Iopを長時間一定の値に保つ、つまり信頼性が高い発光素子チップを多く取ることができる発光素子用エピウェハを提供する。
【解決手段】基板2上に、III族およびV族原料ガスを用いてn型クラッド層6、活性層8、p型第1クラッド層10、p型第2クラッド層12を含むエピタキシャル層3を成長させた発光素子用エピタキシャルウェハ1において、エピタキシャル層3の水素濃度の平均値を9.2×1016atoms/cm3 以下にしたものである。 (もっと読む)


【課題】良化現象を抑え、歩留よくかつ生産性の高い自励発振型レーザや高出力レーザの構造を提供する。
【解決手段】n型のGaN基板(301)上にn型クラッド層(308、302)と活性層(309、303)とp型クラッド層(310、304)を含む自励発振型又は高出力半導体レーザであって、GaN基板のキャリア濃度が2×1018cm-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。あるいは、Si、またはO、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青/青紫色半導体レーザ又は高出力青/青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×1018cm-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 (もっと読む)


【課題】用途に適合した十分な光出力と寿命を確保でき、また、動作電圧の上昇を防止できる半導体レーザ、およびこのような半導体レーザを適用した電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板100の上にバッファ層101、バッファ層102、第1下側クラッド層103、第2下側クラッド層104、活性層105、第1上側クラッド層106、エッチングストップ層107、第2上側クラッド層108、中間バンドギャップ層109、キャップ層110がこの順で積層してある。共振器長L=1500μmとし、第1下側クラッド層103のドーパント濃度(n型不純物としてのSiの濃度)Nc=4.0×1017/cm3、第2下側クラッド層104のドーパント濃度Nc=4.0×1017/cm3、つまり、下側クラッド層のドーパント濃度Nc=4.0×1017/cm3とした。 (もっと読む)


【課題】ドーパントの活性層への拡散を抑制して、発光出力が低下したり通電時における温度が上昇したりすることを低減可能とする半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第1導電型基板1上に、少なくとも、第1導電型クラッド層3と活性層4とアンドープクラッド層5と第2導電型クラッド層6とが順次積層された構造とし、アンドープクラッド層の厚さを15nm〜45nmの範囲内とし、第2導電型クラッド層のドーパントをMg(マグネシウム)とし、同層におけるMg濃度を7E+16cm−3〜1E+18cm−3の範囲内とする。 (もっと読む)


【課題】エッチング後の窒化物半導体の表面が清浄となり、変質層が形成されない窒化物半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、表面がエッチングされたp型GaNからなるp型光ガイド層106と、該p型光ガイド層106における被エッチング面の上に形成されたp型GaNからなるp型コンタクト層108とを有している。p型光ガイド層106とp型コンタクト層108との界面における酸素、炭素及びシリコンのうち少なくともシリコンの濃度は、p型光ガイド層106におけるドーパント濃度の10分の1以下である。 (もっと読む)


【課題】活性層にMg等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子は、n−GaN層103と、n−GaN層103上に形成された活性層104と、活性層104上に、ドーピング濃度5×1019〜2×1020個/cm3でMgをドーピングし、900〜1200℃の範囲の成長温度で形成された第1のAlGaN層105と、第1のAlGaN層105上に、900〜1200℃の範囲の成長温度で形成された第2のAlGaN層106と、第2のAlGaN層106上に形成された、p−GaN層107とを備える。 (もっと読む)


【課題】 高光出力動作における長寿命化が可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】 基板11上に、n型半導体層13、活性層101、およびp型半導体層24がこの順で積層され、活性層101とp型半導体層24との間に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる中間層31が形成されており、
中間層31は、不純物が実質的にドープされていないアンドープ層31aと、n型不純物がドープされた拡散抑制層31bとが積層されて構成され、p型半導体層24と隣接する側に拡散抑制層31bが配置されており、p型半導体層24のp型不純物濃度が、1E19cm−3以上である半導体レーザ。 (もっと読む)


【課題】 高光出力動作における長寿命化が可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】 基板11上に、n型半導体層13、活性層101、およびp型半導体層24がこの順で積層され、活性層101とp型半導体層24との間に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる中間層31が形成されており、
中間層31は、不純物が実質的にドープされていないアンドープ層31aと、n型不純物がドープされた拡散抑制層31bとが積層されて構成され、p型半導体層24と隣接する側に拡散抑制層31bが配置されており、基板11とn型半導体層13との間に、貫通転位密度が5E8cm−2以下の低転位領域を有する半導体層43が形成されている半導体レーザ。 (もっと読む)


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