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Fターム[5F173AR82]の内容

半導体レーザ (89,583) | 課題、目的 (7,608) | 結晶の高品質化 (763) | 欠陥密度低減 (456)

Fターム[5F173AR82]に分類される特許

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【課題】SiあるいはGaP技術をベースとする集積回路にモノリシックに集積化される、新しいIII/V半導体を用いた、発光ダイオードおよびレーザダイオードの半導体構造及び製造方法、あるいはまた、モジュレータ構造および検出器構造への使用法を提供する。
【解決手段】ドープされたSiあるいはドープされたGaPをベースとするキャリア層A、およびそこに配設されたIII/V半導体Dを備え、組成GaInAsSbを有するモノリシック集積回路構造であって、ここで、x=70−100モル−%、y=0−30モル−%、a=0.5−15モル−%、b=67.5−99.5モル−%、c=0−32.0モル−%およびd=0−15モル−%、xとyの合計は、常に100モル−%であり、a、b、cおよびdの合計は、常に100モル−%であり、そして、一方のxとyの合計と他方のaないしdの合計の比率は、実質的に1:1である。 (もっと読む)


【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】N面III族窒化物膜を成長させるための方法であって、(a)ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、(b)前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される1つ以上の後続の層に対するN極性配向を設定すること、および、(c)前記層上でN面III族窒化物膜を成長させることであって、前記N面III族窒化物膜は、前記層によって設定されるN極性配向を有することを含む。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。第1下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第1ドープ層は、第1下側層の上に設けられ第1下側層の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm−3以上1×1021cm−3未満の濃度であり第1下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第1上側層は、第1ドープ層の上に設けられ第1ドープ層の格子定数以上で第1下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 (もっと読む)


【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第2の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるIII族元素ガスに対するV族元素ガスのモル流量比が240以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板101は、基板110の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜120と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第1の窒化物半導体層111と、各第1の窒化物半導体層111の側面上にのみ成長により形成された複数の第2の窒化物半導体層112と、複数の第1の窒化物半導体層111及び複数の第2の窒化物半導体層112を覆うように成長により形成された第3の窒化物半導体層113とを有している。複数の第2の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第3の窒化物半導体層は、第2の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、AlNバッファ層とGaN下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、AlN中間層と、AlGaN中間層と、GaN中間層と、を含む。前記AlGaN中間層は、前記AlN中間層に接する第1ステップ層を含む。前記第1ステップ層におけるAl組成比は、前記AlN中間層から前記第1ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 (もっと読む)


【課題】高効率の半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むn形の第1層と、窒化物半導体を含むp形の第2層と、発光部と、第1積層体と、を含む半導体素子が提供される。発光部は。第1層と第2層との間に設けられる。発光部は、複数の障壁層と、複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。第1積層体は、第1層と発光部との間に設けられる。第1積層体は、AlGaInNを含む複数の第3層と、複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む。第1積層体は、第1積層体の発光部側の面に設けられた凹部を有する。凹部の少なくとも一部に発光部の一部及び第2層の一部が埋め込まれている。第2層の一部は、埋め込まれた発光部の一部の上にある。 (もっと読む)


【課題】高効率の半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、n形の第1層と、p形の第2層と、第1層と第2層との間に設けられた発光部と、第1層と発光部との間に設けられた第1積層構造体と、第1層と第1積層構造体との間に設けられた第2積層構造体と、を含む半導体発光素子が提供される。発光部は、複数の障壁層と、複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。第1積層構造体は、窒化物半導体を含む複数の第3層と、複数の第3層と交互に積層され井戸層の厚さよりも薄いGaInNを含む複数の第4層と、を含む。第2積層構造体は、第3層の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む複数の第5層と、複数の第5層と交互に積層され井戸層の厚さよりも薄いGaInNを含む複数の第6層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】高性能な窒化物系III−V族化合物半導体素子を歩留まり良く安価に製造する。
【解決手段】基板11上に、高炭素濃度Al−N系化合物半導体単結晶層からなる第1バッファ層12、低炭素濃度Al−N系化合物半導体単結晶層からなる第2バッファ層13をエピタキシャル成長し、その上に、不純物元素を故意にドープしない第1の窒化物系III−V族化合物半導体単結晶層14を、平坦化が不十分な状態でエピタキシャル成長し、その上に、ゲルマニウム(Ge)を濃度1×1017cm-3以上含むように、第2の窒化物系III−V族化合物半導体単結晶層16をエピタキシャル成長し、その上に、素子構造部(21〜29)をエピタキシャル成長する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】信頼性の低下を抑制しながら、低コスト化に対応することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子は、n型GaN基板301と、n型GaN基板301上に形成された窒化物半導体層20と、窒化物半導体層20に形成され、所定方向に延びる導波路30と、導波路30と平行な一対の側端面と、窒化物半導体層20上に形成され、導波路30に電流を供給するためのp側パッド電極13と、窒化物系半導体レーザ素子の種類を判別するためのマーカ部320、330と、を備える。 (もっと読む)


【課題】薄膜が機械的に損傷することを回避できる、シリコン薄膜に等電子中心を導入するための方法を提供する。
【解決手段】SOI基板上のシリコン薄膜に等電子中心を導入する方法であって、室温において、不純物原子イオンを高電圧で加速させシリコン薄膜に照射し、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中において不純物原子イオンを照射したシリコン薄膜をアニールし、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中においてシリコン薄膜を急冷することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透明電極をクラッドとして機能させ、かつ活性層に発光ピークを整合させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子101は、n型クラッド層14、n型クラッド層14上に形成されたn型ガイド層15、n型ガイド層15上に形成された発光層10、および発光層10上に形成されたp型半導体層12を備えた窒化物半導体積層構造2と、p型半導体層12上に形成された透明電極5とを含む。n型ガイド層15は、InGaN層とAlGa1−XN層(0≦X<1)とを周期的に積層した超格子層を有し、この超格子層の平均屈折率が2.6以下である。前記超格子層を構成するInGaN層のIn組成が発光層10のInGaN量子井戸層のIn組成よりも小さい。前記超格子層が発光層10に接している。 (もっと読む)


【課題】バットジョイント構造を構成する第1及び第2の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク30を用いて第1の半導体積層部20にエッチングを施す工程と、Alを含む光吸収層42、及び光吸収層42上に設けられるInPクラッド層44を有する第2の半導体積層部40を、エッチングマスク30を用いて選択的に成長させる第1の再成長工程と、エッチングマスク30を除去するマスク除去工程と、第1及び第2の半導体積層部20,40上に第3の半導体積層部を成長させる第2の再成長工程とを行う。第1の再成長工程において、InPに対してエッチング選択性を有するInP系化合物半導体を含むキャップ層46を第2の半導体積層部40上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク30上に生じたInP系堆積物Deを除去する。 (もっと読む)


【課題】 ミスフィット転位の発生を抑制しつつ、量子ドットからの発光波長を長波長化することができる半導体装置の製造技術が望まれている。
【解決手段】 チャンバ内に単結晶基板を装填し、単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、In及びAsを含む量子ドットを形成する。チャンバ内で、量子ドットに、少なくともAs分子線を照射しながら第1アニールを行う。 (もっと読む)


【課題】静電耐圧が高い窒化物半導体発光素子を歩留まりが高く製造する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、成長用基板と、該成長用基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたp型窒化物半導体層とを有し、n型窒化物半導体層の発光層と接する側の表面から基板に向けて略垂直に延び、直径が2nm〜200nmであるパイプ穴を5000個/cm2以下有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成したクラックが少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板の上に形成されたAlNバッファ層の上に形成された機能層を備える窒化物半導体素子が提供される。機能層は、交互に積層された、複数の機能部低濃度層と、複数の機能部高濃度層と、を含む。機能部低濃度層は、窒化物半導体を含み、Si濃度が5×1018cm−3未満である。機能部高濃度層は、Si濃度が5×1018cm−3以上である。複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、機能部低濃度層のそれぞれの厚さよりも薄い。複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、0.1ナノメートル以上50ナノメートル以下である。複数の機能部低濃度層のそれぞれの厚さは、500ナノメートル以下である。 (もっと読む)


【課題】低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第1半導体層と、発光層と、第2半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は下地層と第1半導体層との間に設けられる。第2半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。下地層は、第2半導体層の側の第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面と、を有する。下地層は、第2主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。凸部に繋がる転位の少なくともいずれかは、側部に繋がる。凸部に繋がる転位のうちで第1主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第1主面に到達する転位の割合よりも低い。第1主面のうちで凹部と重なる領域に繋がる転位は、凹部に繋がる転位よりも少ない。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成したクラックが少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。積層下地層は、シリコン基板の上に形成されたAlNバッファ層の上に形成され、交互に積層された複数のAlN下地層と複数のGaN下地層とを含む。機能層は、積層下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み低Si濃度の機能部低濃度層と、機能部低濃度層の上に設けられ、高Si濃度の機能部高濃度層と、を含む。複数のGaN下地層のうちでシリコン基板に最も近い基板側GaN下地層は、低Si濃度の第1、第2低濃度下地部と、高Si濃度で、第1、第2低濃度下地部の厚さの合計よりも薄い局所高濃度下地部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成により特性低下を防止することができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】n型クラッド層103はn型基板101の上方に形成される。活性層105はn型クラッド層103の上方に形成される。p側光閉じ込め層107は活性層105の上方に形成される。電流ブロック層108はp側光閉じ込め層107の上方に、開口部109を介して対向する一対の帯状に形成される。p型クラッド層110は電流ブロック層108及びp側光閉じ込め層107の上に形成される。p型コンタクト層111はp型クラッド層110の上方に形成される。p型コンタクト層111から活性層105を貫通する一対の溝部130に挟まれ、メサ部120が形成される。電流ブロック層108及び開口部109はメサ部120の内部に含まれる。電流ブロック層108の開口部109と反対側の端部とメサ部120の側壁とは、所定値以上離隔している。 (もっと読む)


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