【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Ｍｎ、Ｍｇを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子９が、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０５原子％／ｎｍ以上である第１結晶群の結晶粒子９ａと、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０３原子％／ｎｍ以下である第２結晶群の結晶粒子９ｂとを有しており、第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａおよび前記第２の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が０．１５〜０．４０μｍであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａの面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子９ｂの面積をｂとしたときに、ｂ／（ａ＋ｂ）が０．４〜０．７である。 （もっと読む）

【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック粒子の内部がＡＢＯ３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つであり、ＢはＺｒ）を主成分として含有し、このセラミック粒子の表層部が、Ｂａ及びＴｉとＡＢＯ３が固溶した領域を有することにより、誘電率を下げることなく高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を得た。この、誘電体磁器組成物を積層し焼成することにより、誘電率と高温負荷寿命を両立させた電子部品を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、を有し、上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を用いて整合構造を有し且つ化学的組成が異なるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を製造することにより、信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、Ｂａ_ｍＴｉＯ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜４．００モルを含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜０．７０モルを含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｓｉ酸化物０．２０〜２．００モルを含む第３副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ａｌ酸化物０．０２〜１．００モルを含む第４副成分と、上記第３副成分に対して、ＢａまたはＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物２０〜１４０％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ１）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、Ｃｅ元素（含量はｚ ａｔ％）及び少なくとも一つの希土類元素（含量はｗ ａｔ％）を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含み、上記母材粉末１００モルに対して、０．０１≦ｚ≦ｘ１＋４ｙであり、０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ１＋４ｙである誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式ＢａＴｉＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてＭｎ、Ｓｉの元素を含有する。ＫＮｂＯ_３とＢａＴｉＯ_３との混晶体から成る主成分とすることで、１００℃以下では、ＢａＴｉＯ_３が有する高い比誘電率を利用し、１５０℃以上では、ＫＮｂＯ_３が有する高い比誘電率を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を実現する。
【解決手段】コイル導体５ａ、５ｂが磁性体部６ａ、６ｂに埋設されたコイル部３ａと、容量電極７が誘電体部８に埋設されたコンデンサ部２とを備える。コイル導体５ａ、５ｂ、容量電極７がＣｕを主成分とする導電性材料で形成され、磁性体部６ａ、６ｂ、誘電体部８が、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％以下、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有モル量ｘ、Ｍｎ_２Ｏ_３の含有モル量ｙを（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）の範囲内にあるＮｉ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトで形成される。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の温度変化率の小さい誘電体磁器とそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子９ａと酸化イッテルビウムの結晶粒子９ｂとを有するとともに、チタン１００モルに対してマグネシウムをＭｇＯ換算で０．５〜３．０モル含有してなり、Ｘ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対する酸化イッテルビウムの面指数（２２２）の回折強度が０．５〜３．０％である。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】広範囲な温度領域（例えば、−５５〜３５０℃）において比誘電率の変化率（例えば、ΔＣ／Ｃ＝±２２％以内）が小さく、３５０℃付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一般式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるニオブ酸化合物と、ＢａＴｉＯ３表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物中に、ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、 [（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_αＢａ_β]（Ｎｂ_αＴｉ_β）Ｏ_１２で表される固溶体の固溶体領域面積をＡ１、全体の領域面積をＡ２としたときに、Ａ１／Ａ２≦０．３５とする。 （もっと読む）

【課題】高温域での安定性に優れ、優れた誘電体特性有する誘電体磁器組成物および、この誘電体磁器組成物を用いたコンデンサ及び、その誘電体磁器組成物を製造するのに好適な製造方法を提供すること
【解決手段】組成式（Ｋ_ａＮａ_ｂＬｉ_ｃＣ_ｄ）_ｅＤＯ_ｆ （元素Ｃはアルカリ土類金属であるＣａ，Ｓｒ，Ｂａのうちの少なくとも１種、元素ＤはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、ａ，ｂ，ｃ，ｄはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たし、０．９７≦ｅ≦１．１０，ｆは任意）で表されるニオブ／タンタル酸アルカリ系ペロブスカイト酸化物からなる第１結晶相と、 Ａ−Ｔｉ−Ｂ−Ｏ系複合酸化物（元素Ａはアルカリ金属、元素ＢはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、元素Ａと元素ＢとＴｉの含有量はいずれもゼロで無い）で構成される第２結晶相と、を含むコンデンサ用の誘電体磁器組成物 （もっと読む）

【課題】本発明は、粗大な粒子の形成を防止して、微細な粒子の一酸化ニオブを効率よく生成できる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ_２Ｏ_５からＮｂＯを製造するＮｂＯの製造方法において、水素化ニオブを生成しない条件のもとで、Ｎｂ_２Ｏ_５とＭｇとを反応させてＮｂＯ_Ｘ（０＜Ｘ＜１）を生成する還元処理と、ＮｂＯ_Ｘ（０＜Ｘ＜１）とＮｂ_２Ｏ_５とを混合して水素雰囲気下で焼成してＮｂＯを生成する焼成処理とを備えることを特徴とする。還元処理は、Ｎｂ_２Ｏ_５と気体状Ｍｇとを１ｐｐｍ以下に水分を除去した不活性ガス雰囲気下で反応させ、ＭｇＯを含むＮｂＯ_Ｘを生成する第一段階と、第一段階で生成した、ＭｇＯを含むＮｂＯ_Ｘを、過酸化水素を含有する鉱酸水溶液により洗浄してＭｇＯを除去し、ＭｇＯを含まないＮｂＯ_Ｘ（０＜Ｘ＜１）を生成する第二段階とからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い温度で使用可能であり、加えて従来よりも高い誘電率を有する誘電体組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式：Ｍ（１）_１−ｘＭ（２）_ｘＭ（３）_１−ｙＭ（４）_ｙＯ_{２＋ｘ―ｙ}Ｎ_{１―ｘ＋ｙ}で示される組成であることを特徴とする誘電体組成物（但し、Ｍ（１）元素はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄから選ばれる1種以上の元素であり、Ｍ（２）元素はＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（３）元素はＴｉ，Ｚｒから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（４）元素はＶ，Ｎｂ，Ｔａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｏ元素とＮ元素は酸素と窒素である。）により上記課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】（１１０）面に優先的に結晶配向が制御された強誘電体薄膜をシード層やバッファ層を設けることなく、簡便に得ることが可能な、強誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶面が（１１１）軸方向に配向した下部電極を有する基板の下部電極上に、強誘電体薄膜形成用組成物を塗布し、加熱して結晶化させることにより下部電極上に強誘電体薄膜を製造する方法の改良であり、強誘電体薄膜が（１１０）面に優先的に結晶配向が制御された配向制御層により構成され、配向制御層を結晶化後の層厚を５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内にすることにより形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】
寿命特性が良好な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】
誘電体粒子を含む誘電体磁器組成物であって、前記誘電体粒子は、チタン酸バリウムからなる主成分と、酸化マグネシウムからなる第１副成分と、酸化マンガンからなる第２副成分と、酸化ケイ素からなる第３副成分と、希土類元素からなる第４副成分と、から構成され、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、酸化物換算で、第１副成分：１〜３モル、第２副成分：０．０５〜１．０モル、第３副成分：２〜１２モル、第４副成分：２〜５モルであり、前記誘電体磁器組成物中の前記誘電体粒子の粒度分布を示すガウス関数の半値幅をＷとし、前記誘電体磁器組成物中の前記誘電体粒子の平均粒径をＲとしたとき、ＷとＲが１．００≦Ｗ／Ｒ≦１．３０の関係式を満たす。 （もっと読む）