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Fターム[5G303AB06]の内容

無機絶縁材料 (13,418) | 目的(及び、改善している性質) (1,889) | 誘電特性 (715) | 比誘電率(ε)又は静電容量(μF等) (456)

Fターム[5G303AB06]に分類される特許

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【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Mn、Mgを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子9が、粒界から20nmの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が0.05原子%/nm以上である第1結晶群の結晶粒子9aと、粒界から20nmの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が0.03原子%/nm以下である第2結晶群の結晶粒子9bとを有しており、第1の結晶群を構成する結晶粒子9aおよび前記第2の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が0.15〜0.40μmであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第1の結晶群を構成する結晶粒子9aの面積をa、第2の結晶群を構成する結晶粒子9bの面積をbとしたときに、b/(a+b)が0.4〜0.7である。 (もっと読む)


【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ100nm未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が50nm以上100nm未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、1000℃以上1200℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で0.5〜1.5at%である、高誘電率セラミックスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック粒子の内部がABO3(AはBa、CaおよびSrから選ばれる少なくとも1つであり、BはZr)を主成分として含有し、このセラミック粒子の表層部が、Ba及びTiとABO3が固溶した領域を有することにより、誘電率を下げることなく高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を得た。この、誘電体磁器組成物を積層し焼成することにより、誘電率と高温負荷寿命を両立させた電子部品を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、ABOで表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、を有し、上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を用いて整合構造を有し且つ化学的組成が異なるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を製造することにより、信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、BaTiO(0.995≦m≦1.010)を含む母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩0.05〜4.00モルを含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.05〜0.70モルを含む第2副成分と、上記母材粉末100モルに対して、Si酸化物0.20〜2.00モルを含む第3副成分と、上記母材粉末100モルに対して、Al酸化物0.02〜1.00モルを含む第4副成分と、上記第3副成分に対して、BaまたはCaのうち少なくとも一つを含む酸化物20〜140%を含む第5副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 (もっと読む)


【課題】
少ないフィラー添加量で線膨張係数を従来並みか若しくはより低い値に抑制し、結果として複合絶縁樹脂の誘電率を抑制して放電劣化を抑制すること。
【解決手段】
本発明は、上記課題を解決するために、大小の粒子径を持ち、かつ、該小粒子径が長径と短径から成る無機フィラーを含有する複合絶縁樹脂であって、前記小粒子径の無機フィラーの短径が、100nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
2+4+
但し、MはBa、Ca及びSrの中のいずれか一つであり、NはSn、Zr及びTiの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えてM2+(N1−y4+4+)B(但し、0<y<1)の組成式で
表現される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbで表される第一の相と、一般式BaαTiβで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010、且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式BaTiOで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてMn、Siの元素を含有する。KNbOとBaTiOとの混晶体から成る主成分とすることで、100℃以下では、BaTiOが有する高い比誘電率を利用し、150℃以上では、KNbOが有する高い比誘電率を利用することができる。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式(Ba1−x)(Ti1−y)O(ただし、MはCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類)、(ただし、LはZr、Hf、Co、V、Ta、Cr、Mo、W、Mgの中から選択される少なくとも1種類)で表される第二の相との混合相から成る。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
2+4+
但し、MはBa、Ca及びSrの中のいずれか一つであり、NはSn、Zr及びTiの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Mサイトを、前記Ba、Ca及びSrの中の互いに異なる2個で複数置き換え、また前記誘電体セラミックス組成物の前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えて(M1−x2+2+)(N1−y4+4+)B(但し、0<x<1及び0<y<1)の組成式で表現される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物(ABO)を含有し、化合物100モルに対して、各酸化物換算で、RA(RAはDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.6〜2.5モル、RB(RBはHoおよび/またはY)を0.2〜1.0モル、RC(RCはYbおよび/またはLu)を0.1〜1.0モル含有し、Mg酸化物を、Mg換算で0.8〜2.0モル、Si化合物をSi換算で1.2〜3.0モル含有し、RAの含有量(α)、RBの含有量(β)およびRCの含有量(γ)が、1.2≦α/β≦5.0、0.5≦β/γ≦10.0である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが5.0μm以下の電子部品に適用することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率εが20〜28であり、かつ共振周波数f。(GHz)とQ値の積であるQ×f。値が十分に大きく、さらに共振周波数f。の温度係数τの絶対値が30ppm/℃以下まで調整が可能な条件を満たし得る事ができる高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、一般式 aNiO−bZnO−cNb(式中、27≦a≦33、18≦b≦22、45≦c≦55、a+b+c=100(モル%)である。)で表される主成分100質量部に対して、CaTiOを0.12〜0.18質量部含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】広範囲な温度領域(例えば、−55〜350℃)において比誘電率の変化率(例えば、ΔC/C=±22%以内)が小さく、350℃付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一般式(K1−xNa)NbOで表されるニオブ酸化合物と、BaTiO3表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物中に、ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、 [(K1−xNaαBaβ](NbαTiβ)O12で表される固溶体の固溶体領域面積をA1、全体の領域面積をA2としたときに、A1/A2≦0.35とする。 (もっと読む)


【課題】変形させることにより誘電率を容易且つ確実に変更することができる誘電性エラストマー構造体を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、エラストマー中に誘電性フィラーを含有するシート状の誘電性エラストマー構造体であって、平面視で、対向位置に負荷入力部位及び変形出力部位を有する環状領域と、この環状領域から延出する拘束領域とを備える誘電性エラストマー構造体である。上記負荷入力部位に力を付加することにより、環状領域は変形し、この変形により環状領域が伸縮することにより、誘電率が変化する。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】BaTiOで表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物100モルに対して、各元素換算で、Mgの酸化物を0.6〜2.0モル、Mnおよび/またはCrの酸化物を0.010〜0.6モル、V、MoおよびWから選ばれる1つ以上の酸化物を0.010〜0.2モル、R1の酸化物(R1はY、Yb、ErおよびHoから選ばれる1つ以上)を0.10〜1.0モル、R2の酸化物(R2はDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.10〜1.0モル、Baの酸化物および/またはCaの酸化物と、Siの酸化物と、からなる成分を0.2〜1.5モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムからなる主成分を含有し、前記チタン酸バリウム100モルに対して、各元素換算で、Mgの酸化物を1.00〜2.50モルと、Mnおよび/またはCrの酸化物を0.01〜0.20モルと、V、MoおよびWからなる群から選ばれる少なくとも1つの酸化物を0.03〜0.15モルと、R1の酸化物(R1は、Y、およびHoからなる群から選ばれる少なくとも1つである)を0.20〜1.50モルと、R2の酸化物(R2は、Eu、GdおよびTbからなる群から選ばれる少なくとも1つである)を0.20〜1.50モルと、Siおよび/またはBの酸化物を0.30〜1.50モルと、を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】交流破壊電界が高く、静電容量の温度特性が良好であり、比誘電率が高く、耐還元性が良好な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】(BaBi)TiOの組成式で表わされる主成分と、第1副成分と、第2副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、前記組成式中のyが0.001≦y≦0.010であり、かつ、前記組成式中のxとyの合計が0.975≦x+y≦1.010であり、前記第1副成分は、酸化亜鉛であり、前記第2副成分は、Y、La、Ce、Nd、Sm、MnおよびNiから選ばれる少なくとも1種の酸化物であり、前記第1副成分が前記主成分100重量部に対して2重量部以上12重量部以下含有されており、前記第2副成分は前記主成分100重量部に対して酸化物換算で0.008重量部以上0.08重量部以下含有されている誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】複数の誘電体粒子と、誘電体粒子間に存在する粒界と、を有する誘電体磁器組成物であって、誘電体粒子が、コアとコアの周囲に存在しMnが固溶しているシェルとからなるコアシェル構造を有する粒子を含み、シェルに存在するMn量に対する粒界に存在するMn量が4倍以上である。誘電体粒子の平均結晶粒子径は0.3μm以下であることが好ましい。誘電体磁器組成物は、主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として、希土類元素の酸化物と、Baおよび/またはCaの酸化物と、Mnの酸化物と、Mg、V、ZrおよびCrから選ばれる1つ以上の酸化物と、Siを含む酸化物と、を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が高く、かつ、信頼性が高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分と、少なくとも1種以上の副成分元素と、を含む誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物が、誘電体粒子と、粒界と、を有し、前記誘電体粒子中の任意の位置における前記副成分元素から選ばれる1種以上の元素の濃度をCsとし、前記誘電体粒子が、実質的に前記主成分で構成される主成分相と、前記主成分相の周囲に、前記副成分元素から選ばれる少なくとも1種が拡散した拡散相と、を有し、前記誘電体粒子について、前記主成分相を含む任意の切断面で切断したとき、前記断面線分上の所定区間にCsの極大値が存在し、前記Csの極大値の位置よりも縁端側にCsの極小値が存在し、前記Csの極小値の位置から前記縁端に向かってCsが上昇する誘電体粒子を含む誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


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