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Fターム[5G303AB08]の内容

無機絶縁材料 (13,418) | 目的(及び、改善している性質) (1,889) | 誘電特性 (715) | 無負荷(Q値) (82)

Fターム[5G303AB08]に分類される特許

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【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
2+4+
但し、MはBa、Ca及びSrの中のいずれか一つであり、NはSn、Zr及びTiの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えてM2+(N1−y4+4+)B(但し、0<y<1)の組成式で
表現される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
2+4+
但し、MはBa、Ca及びSrの中のいずれか一つであり、NはSn、Zr及びTiの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Mサイトを、前記Ba、Ca及びSrの中の互いに異なる2個で複数置き換え、また前記誘電体セラミックス組成物の前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えて(M1−x2+2+)(N1−y4+4+)B(但し、0<x<1及び0<y<1)の組成式で表現される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率εが20〜28であり、かつ共振周波数f。(GHz)とQ値の積であるQ×f。値が十分に大きく、さらに共振周波数f。の温度係数τの絶対値が30ppm/℃以下まで調整が可能な条件を満たし得る事ができる高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、一般式 aNiO−bZnO−cNb(式中、27≦a≦33、18≦b≦22、45≦c≦55、a+b+c=100(モル%)である。)で表される主成分100質量部に対して、CaTiOを0.12〜0.18質量部含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 材料に希土類を含むことなく38〜44の比誘電率を有する誘電体セラミックスを安価に作製することができ、誘電特性として、Qf値が高く、かつ広範囲な温度域における共振周波数の温度係数τfが小さく、かつ低温域(−40〜25℃)および高温域(25〜85℃)で共振周波数の温度係数τfの差(Δτf)の小さい誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタを提供する。
【解決手段】 組成式を、αZrO・βTiO・γMgO・δNbと表したとき、モル比α,β,γおよびδが、0.3200≦α≦0.5700,0.2800≦β≦0.5300,0.0101≦γ≦0.0774,0.0199≦δ≦0.1526,α+β+γ+δ=1および0.5<γ/δ≦1を満足
し、前記組成式の成分100質量%に対して、CaをCaO換算で0.01質量%を超え0.3質量%以下含む誘電体セラミックスである。 (もっと読む)


【課題】低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、共振周波数の温度係数τfの絶対値がゼロに近いセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物、該組成物から得られるセラミックス焼結体、及び該焼結体を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】BaO 10〜70質量部、SiO 20〜80質量部、Al 0.1〜30質量部からなり、固相反応法により合成されたBaO−SiO−Al系セラミックス粉末100質量部に対し、SrTiO粉末を2.2〜17.4質量部、Zn成分を酸化物換算で2.3〜8.1質量部、Cu成分を酸化物換算で0.9〜3.5質量部、Ag成分を酸化物換算で0〜3.5質量部、Bi成分を酸化物換算で0〜23.3質量部、B成分を酸化物換算で0.5〜3.3質量部含有するセラミックス組成物。該組成物を用いて、セラミックス焼結体及び電子部品を得る。 (もっと読む)


【課題】 所望の比誘電率εrが安定して得られ、かつ高いQf値と、良好な共振周波数の温度係数を示す誘電体セラミックスを得ること。
【解決手段】 主結晶相がBa,Nd,SmおよびTiを含有するとともに、Tiの一部がAlで置換されてなり、前記主結晶相に含有されるAlの含有量がモル%換算でAlの全含有量の10%以上であれば、高い比誘電率εrと、高い品質係数Qf値と、0ppm/℃に近い共振周波数の温度係数τfとを有する誘電体セラミックスを得ることができる。また、上記誘電体セラミックスを備える誘電体フィルタは、良好な性能を有する誘電体フィルタとすることができる。 (もっと読む)


【課題】 高い比誘電率εrと、品質係数Qf値と、0ppm/℃に近い共振周波数の温度係数τfとを有する誘電体セラミックスを得ることと、良好な性能を有する誘電体フィルタを得ること。
【解決手段】 組成式をaBaO・bNd・c[{1-(x/2)-(y/2)}T
iO+1/2xTa+1/2yAl]と表したとき、a、b、c、x、yが、13.5≦a≦16.1、17.6≦b≦19.4、64.5≦c≦68.8、0.01≦x≦0.15、0.01≦y≦0.15、a+b+c=100を満足するので、高い比誘電率εrと、高い品質係数Qf値と、0
ppm/℃に近い共振周波数の温度係数τfとを有する誘電体セラミックスを得ることができる。また、上記誘電体セラミックスを備える誘電体フィルタは、良好な性能を有する誘電体フィルタとすることができる。 (もっと読む)


【課題】高い比誘電率εr,Qf値と、良好な共振周波数の温度係数を示す誘電体セラミックス、ならびに気温差の激しい場所においても長期間にわたって安定して良好な性能を維持できる誘電体フィルタの提供。
【解決手段】組成式aBaO・bNd・c[{1-(x/2)-(y/2)}TiO+1/2xNb+1/2yAl]と表したとき、a,b,c,x,yが、13.5≦a≦16.1、17.6≦b≦19.4、64.5≦c≦68.8、0.01≦x≦0.15、0.01≦y≦0.15、a+b+c=100を満足する誘電体セラミックスを得る。この誘電体セラミックスは高い比誘電率εr,Qf値と、良好な共振周波数の温度係数を示し、この誘電体セラミックス5と電磁界結合された入力端子3および出力端子4とを備える誘電体フィルタ1は、気温差の激しい場所においても長期間にわたって安定して良好な性能を維持できる。 (もっと読む)


【課題】 Q値が高く、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスおよびこれを用いた共振器を提供する。
【解決手段】 組成式をαLn・βMgO・γBaO・δTiO(ただし、3≦x≦4、Ln=La,Nd,Smのいずれか1種以上)と表したとき、モル比α,β,γ,δが、0.235≦α≦0.303,0.118≦β≦0.152,0.198≦γ≦0.265,0.349≦δ≦0.382、かつα+β+γ+δ=1を満足してなる誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、Q値が10000以上であり、共振周波数の温度係数の値が−20〜30ppm/℃の
範囲内であり、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ないものである。 (もっと読む)


【課題】異なる材料を含む主成分および副成分を含む誘電体磁器組成物同士の間で剥離が生じるのを抑制しつつ、同時に焼成することが可能な誘電体磁器組成物および積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物は、Mg2SiO4を含む主成分と、副成分とを含む誘電体磁器組成物であり、Mg2SiO4を含む主成分原料と副成分原料とを混合した原料混合粉末を、酸素雰囲気下において800℃以上950℃以下の温度で熱処理することにより得られ、X線回折において、Mg2SiO4の10.0°から70.0°の間におけるX線回折ピーク強度IAに対する、熱処理後の未反応なまま存在する副成分原料の10.0°から70.0°の間におけるX線回折ピーク強度IBのピーク強度比IB/IAが、40%以下である。 (もっと読む)


【課題】比誘電率を向上させつつ、しかも良好な信頼性を有する誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】ABO(AはBa単独、または、BaとCaおよびSrから選ばれる少なくとも1つとであり、BはTi単独、または、TiおよびZrである)で表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物と、ScおよびYを含む希土類元素の酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物であって、該誘電体磁器組成物が、コアと、少なくともR元素が含まれるシェルと、からなるコアシェル構造を有する誘電体粒子を含んでおり、シェルにおいて、R元素の含有割合が最大となる領域が、コアとシェルとの境界領域である。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率εrが40〜48の範囲内において、Q値が高く、共振周波数の温度係数τfの絶対値が小さく、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域における共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαLa・βAl・γCaO・δTiO(ただし、3≦x≦4)と表したとき、モル比α,β,γ,δが0.155≦α≦0.210,0.155≦β≦0.220,0.284≦γ≦0.360,0.284≦δ≦0.365、かつα+β+γ+δ=1を満足するとともに、前記組成式の成分100質量%に対してストロンチウムを酸化物換算で0.001モル部以上0.01モル部以下含んでなり、LaAlO−CaTiOのペロブスカイト相中に、CaTiO結晶が存在してなる誘電体セラミックスである。 (もっと読む)


【課題】 高い比誘電率εrと高いQf値と良好な共振周波数の温度係数とを示す誘電体セラミックスを提供すること。
【解決手段】 BaO,Nd,TiOおよびAlを含有する主結晶相と、主結晶以外の結晶相とを含んでなる誘電体セラミックスであって、主結晶相を一般式aBaO・bNd・cTiO・dAlと表したとき、モル比a,b,c,dがそれぞれ、13.50≦a≦16.10,17.60≦b≦19.40,59.80≦c≦66.10,1.70≦d≦5.80,a+b+c+d=100を満足する範囲にあると
ともに、主結晶相以外の結晶相は、Ba−Al−Ti系酸化物,Al,Nd
またはこれらの混合物からなることを特徴とする誘電体セラミックス。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率εrが40前後において、Q値が高く、共振周波数の温度係数τfの絶対値が小さく、高温域および低温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαSm・βMgO・γCaO・δTiO(ただし、3≦x≦4)で表したとき、モル比α,β,γ,δが、0.162<α<0.386,0.049<β<0.113,0.206<γ<0.357,0.340<δ<0.417、かつα+β+γ+δ=1を満足し、前記組成式の成分100質量%に対してアルミニウムを酸化物換算で6質量%以下(0質量%を除く
)含む誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、比誘電率εrが38前後において、Q値が30000以上であり、共振周波数の温度係数τfの絶対値が10ppm/℃以
下であり、高温域および低温域の共振周波数の温度係数τfの値の差が2ppm/℃以下である。 (もっと読む)


【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、抗折強度を維持すると共に、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体磁器は、Mg2SiO4を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含む副成分とを含み、X線回折において、主相であるMg2SiO4の2θが36.0°から37.0°の間におけるX線回折ピーク強度IAに対する、未反応なまま存在する亜鉛酸化物の2θが31.0°から32.0°及び33.0°から34.0°におけるX線回折ピーク強度IBのピーク強度比IB/IAが10%以下であると共に、相対密度が96%以上である。 (もっと読む)


【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物は、Mg2SiO4を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含み、かつアルミニウム酸化物とチタン酸化物との何れか一方又は両方を含む副成分とを含む。 (もっと読む)


【課題】 従来の誘電体磁器組成物は、焼成温度が高く、小型化、薄型化が可能な積層型電子部品に用いることができなかった。また、共振周波数における温度係数が高いため、特に、バンドパスフィルタに用いた場合、通過帯域における信号の挿入損失が大きく、バンドパスフィルタとして十分な特性が得られない。
【解決手段】 MgTiO、MgTiO、CaTiOを含有し、一般式でxMgTiO・yMgTiO・zCaTiOと表される組成において、x、y、zがモル%でそれぞれ、75.8≦x≦82.5、14.1≦y≦18.1、1.5≦z≦6.1の範囲にあるセラミックスであり、セラミックス100重量部に対して、結晶化ガラスを25〜30重量部添加する。
【効果】 共振周波数における温度係数を小さくできると共に、積層型電子部品の誘電体層間の導体パターンを構成する銀や銅等の融点よりも低い温度で焼結可能になる。 (もっと読む)


【課題】εrが15以下で、10GHzでのQが1000以上、共振周波数温度特性(τf)が±15ppm/℃の、高周波用の誘電体共振器に用いるのに好適な高周波用誘電体磁器組成物、それを用いた電子部品や通信機装置を提供する。
【解決手段】 フォルステライト(Mg2SiO4)、チタン酸カルシウム(CaTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、チタン酸マグネシウム(MgTiO3)を含む高周波用誘電体磁器組成物であって、その成分比が、
65重量%≦Mg2SiO4≦87.5重量%
5重量%≦(CaTiO3+SrTiO3)≦15重量%
2.5重量%≦MgTiO3≦20重量%
の条件を満たし、
CaTiO3とSrTiO3の合計に対するCaTiO3の重量比が、
0.25≦{CaTiO3/(CaTiO3+SrTiO3)}≦0.63
の条件を満たすようにする。 (もっと読む)


【課題】 温度によって共振周波数が変化しにくい誘電体セラミックスおよびこれを用いた誘電体共振器が望まれている。
【解決手段】 組成式をαLa2 x ・βAl2 3 ・γCaO・δTiO2(ただし、3≦x≦4)と表した場合に、モル比α,β,γ,δが下記式を満足する成分100モル部に対して、バリウムの含有量が酸化物換算で0.001モル部以上0.009モル部以下であり、かつCaTiO結晶を含むことを特徴とする誘電体セラミックスとする。
0.16≦α≦0.21
0.16≦β≦0.22
0.29≦γ≦0.36
0.29≦δ≦0.37
(ただし、α+β+γ+δ=1) (もっと読む)


【課題】 応力が繰り返し加わってもQ値が低下しにくい誘電体セラミックスおよび誘電体共振器を提供すること。
【課題手段】 金属元素として少なくともRE(REは、LaおよびNdの1種以上)、Al、CaおよびTiを含有してなるペロブスカイト型構造の第1酸化物と、Ca、AlおよびSiを含有してなる第2酸化物とを有し、かつ前記第1酸化物および前記第2酸化物を含みSiを除く酸化物の組成式をaRE・bAl・cCaO・dTiOと表したとき、a、b、c、dが、0.056≦a≦0.214、0.056≦b≦0.214、0.286≦c≦0.500、0.230≦d≦0.460およびa+b+c+d=1を満足する誘電体セラミックスからなる誘電体磁器6を用いた誘電体共振器20とする。 (もっと読む)


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