【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（たとえばＤＣバイアス特性）や温度特性（たとえばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を湿式混合し、かさ密度が３ｇ／ｃｍ^３ 以下の仮焼前体を準備する工程と、準備された仮焼前体を、９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼済体を得る工程と、得られた仮焼済体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 高い誘電率と良好な温度特性を確保し、しかもＴＣバイアス特性が改善された積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】 誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層２と、内部電極層３とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体１０を有する積層セラミックコンデンサ１であって、前記誘電体磁器組成物が、実質的に主成分で構成されたコア２２ａの周囲に、副成分が主成分に拡散されたシェル２４ａを持つ複数の誘電体粒子２ａを有する誘電体磁器組成物であって、平均粒径の値を示す誘電体粒子を対象とした場合に、前記シェル２４ａの最大厚みｔ１と最小厚みｔ２の差（ｔ１−ｔ２）が、前記誘電体粒子の半径Ｒの６〜６０％に制御されている誘電体磁器組成物で構成されている積層セラミックコンデンサ１。
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【課題】 中間域のε_ｒを発現でき、ε_ｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτ_ｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０且つ０．１７０<ｄ<０．３４６。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 高い比誘電率を有し、且つ、積層型セラミックコンデンサの電極間誘電体を構成する場合に当該コンデンサについて絶縁抵抗の経時的劣化、温度変化に対する静電容量変化、および直流電圧印加時の静電容量の低下を共に充分に抑制することができる、耐還元性の誘電体磁器組成物、並びに、当該組成物が電極間誘電体層材料として用いられている積層型セラミックコンデンサなどの電子部品を、提供すること。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ₃と、ＭｎＯと、Ｃｒ₂Ｏ₃および／またはＣｏ₂Ｏ₃と、Ｙ₂Ｏ₃，Ｈｏ₂Ｏ₃，Ｄｙ₂Ｏ₃，Ｅｒ₂Ｏ₃からなる群より選択される酸化物と、ＢａＳｉＯ₃とを含む。本発明の積層型セラミックコンデンサ１０は、このような組成物により構成されるセラミック誘電体１１と、ＮｉまたはＮｉ合金により構成される電極１２とからなる、積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】耐湿負荷特性が良好であり、しかも所望の高比誘電率と静電容量の温度特性を有し、破壊電界強度も高く、信頼性の優れた誘電体セラミック、及び該誘電体セラミックを使用して製造された中高圧用途向けのセラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】セラミック焼結体１が、１００（Ｂａ_1-xＣａ_x）（Ｔｉ_1-yＺｒ_y）Ｏ_３＋ａＲｅＯ_1.5＋ｂＭＯ_ｚ（ＲｅはＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹの中から選択された少なくとも１種、ＭはＮｉ、Ｆｅ、及びＺｎの中から選択された少なくとも１種、ｚは元素Ｍの価数との関係で一義的に決定される正数）で表される組成を有している。また、ｘ、ｙ、ａ、ｂはそれぞれ０＜ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２５、０．１≦ａ≦４、０．０１≦ｂ≦５である。
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【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、Ｘ８Ｒ特性を満足し、ＩＲ温度依存性が改善された耐還元性誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、アルカリ土類酸化物を含む第１副成分と、希土類酸化物を含む第２副成分と、ＭｘＳｉＯ_３ （Ｍは、Ｂａ、Ｃａ等）を含む第３副成分と、ＭｎＯを含む第４副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ 、ＭｏＯ_３ 及びＷＯ_３ から選択される少なくとも１種を含む第５副成分と、Ａの酸化物（但し、Ａは、６配位時の有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍの陽イオン元素群から選択される少なくとも１種）を含む第７副成分とを、有し、前記主成分１００モルに対する前記第７副成分の比率が０〜３．５モル（但し、０モルと３．５モルを除く。Ａ酸化物に換算した値）である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、８Ｒ特性を満足し、ＩＲ温度依存性が改善された耐還元性誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式｛（Ｍｅ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ ・（Ｚｒ_１−ｙ Ｔｉ_ｙ ）Ｏ_２ で示され、該組成式中の元素名を示す記号Ｍｅが、Ｓｒ、Ｍｇ及びＢａの少なくとも一つであり、該組成式中の組成モル比を示す記号ｍ、ｘ及びｙが、０．９９５≦ｍ≦１．０２０、０＜ｘ≦０．１５、０≦ｙ≦１．００の関係にある誘電体酸化物を含む主成分１００モルに、希土類酸化物０．１〜６モルを含む第１副成分と、Ｍｇ酸化物１〜５モルを含む第２副成分と、Ｍｎ酸化物０．１〜２．５モルを含む第３副成分とを、含む誘電体磁器組成物であって、第４副成分として、Ａ酸化物（但し、Ａは６配位時の有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍの陽イオン元素群から選択される少なくとも１種）をさらに添加する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗を維持でき、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、ＩＲ温度依存性が改善された誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ、ＳｒＯの内少なくとも１種を含む第１副成分と、酸化珪素が主成分の第２副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ 及びＷＯ_３ の内少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｒ１の酸化物（但し、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕの内少なくとも１種）の第４副成分と、ＣａＺｒＯ_３ 又はＣａＯ＋ＺｒＯ_２ の第５副成分と、Ａの酸化物（但し、Ａは６配位時有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍ陽イオン元素群の内少なくとも１種）の第８副成分を含む誘電体磁器組成物で、前記主成分１００モルに対する前記第８副成分の比率が０〜４モル（０と４モルを除く。Ａ酸化物に換算した値）である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

本発明の目的は、酸化チタン粉末と有機溶媒とを用いた水熱合成法により、チタン酸バリウム粉末の粒子径を微細としつつ、有機溶媒の体積比率を調整し、且つ、水熱合成の温度条件を適正化することで、チタン酸バリウム粉末中の空孔数を低減し、結晶性に優れるチタン酸バリウム粉末の製造方法、及びチタン酸バリウム粉末を提供することである。また、このチタン酸バリウム粉末により、小型、高容量で、寿命の長い積層セラミック電子部品を提供することである。
【解決手段】
本発明に係るチタン酸バリウム粉末の製造方法は、少なくとも酸化チタン粉末と、水溶性バリウム塩と、有機溶媒とを含ませて酸化チタン粉末混合溶液とし、有機溶媒の体積比率が５０％以上１００％未満に調整する溶液調整工程と、混合溶液を８０℃以上で水熱反応させてチタン酸バリウム粉末を得る水熱反応工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｂａ（Ｍｇ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３系材料において、該材料が有する高いＱｆ値、誘電率を維持したままで、温度係数τｆを正の方向へ制御することができる電子デバイス用誘電体磁器組成物とその製造方法の提供。
【解決手段】 Ｂａ（Ｍｇ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３系誘電体磁器組成物に、Ｚｎを加えたＢａ［（ＭｇＺｎ）_１／３Ｔａ_２／３］Ｏ_３系誘電体磁器組成物を、焼結温度１５７０℃以上、焼結時間５時間以上で焼結することにより、組成物中のＺｎＯを揮発させ、Ｚｎ及び／又はＭｇがドープされたＢａＴａ_２Ｏ_６を析出させ、該ＢａＴａ_２Ｏ_６の体積濃度を制御することにより、Ｑｆ値、誘電率を維持したままで、温度係数τｆを正の方向へ制御する。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記添加物成分の原料を除いて、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を混合し、前記チタン酸バリウムの原料をＢａＴｉＯ_３ に換算したときの該ＢａＴｉＯ_３ １００モルに対する前記ガラス成分の原料の比率が、Ｃａ量に換算して０〜２モル（但し、０モルと２モルを除く）である混合粉体を準備する工程と、準備された混合粉体を９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼粉体を得る工程と、得られた仮焼粉体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層を構成する結晶粒子に第１の希土類元素（Ｒ１）および第２の希土類元素（Ｒ２）がそれぞれ拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、第１の希土類元素（Ｒ１）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ１が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ１（％）とし、第２の希土類元素（Ｒ２）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ２が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ２（％）とした場合、第２の希土類元素（Ｒ２）の拡散層深さｄ２が第１の希土類元素（Ｒ１）の拡散層深さｄ１よりも深部に及んでおり、Ｘ１＝１０〜３５％、かつＸ２＞Ｘ１（ｄ２＞ｄ１と同義）の関係が成立してなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】線熱膨張係数を有しつつ、高い比誘電率を有する低温焼成基板材料を提供することである。また、異組成のガラス−セラミックス混合層を積層させた多層配線基板において、非対称の積層構造としても焼成品の反りを小さくすることである。
【解決手段】低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ土類金属酸化物系ガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを０ｖｏｌ％を超えて１６ｖｏｌ％以下、チタニアを１０〜２６ｖｏｌ％、及び、コーディエライトを２〜１５ｖｏｌ％含有し、且つ、線熱膨張係数が５．９０×１０^−６〜６．４０×１０^−６／℃で、比誘電率が１０以上であることを特徴とする。多層配線基板とするときは、コーディエライトの含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内に制御する。 （もっと読む）

【課題】容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、Ｔｃバイアス特性変化率が小さく、加速試験における抵抗変化率が小さく、信頼性に優れる誘電体磁器組成物および電子部品を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、酸化シリコンを主成分とする第１副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体を含む第２副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第３副成分と、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕのから選択される第２の希土類元素（Ｒ２）の酸化物からなる第４副成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯから選択される第５副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃、ＷＯ₃から選択される第６副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、第１副成分〜第４副成分の関係において、各副成分割合が所定の関係を満たすように構成する。 （もっと読む）

【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、およびＳｒのグループから選択される少なくとも１種からなる第１副成分と、酸化シリコンを主成分として含有する第２副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃およびＷＯ₃のグループから選択される少なくとも１種からなる第３副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕのグループから選択される少なくとも１種の第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第４副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体（ＣａＯ＋ＺｒＯ₂）からなる第５副成分とを有し、誘電体層を構成する結晶粒子にＺｒが拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、Ｚｒの拡散層深さが結晶粒子の径に対して１０〜３５％までの深さとなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 ＥＩＡＪ規格で規定するＸ７Ｒ特性及びＪＩＳ規格で規定するＢ特性のいずれも満足するといった静電容量の温度安定性が良好であり、かつ、絶縁抵抗値、比誘電率などの特性が良好で、さらに絶縁抵抗の加速寿命が長い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を得ることが可能なセラミック原料粉体を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムで構成される主成分粒子の表面に副成分添加物で構成される被覆層を有するセラミック原料粉体であって、前記主成分粒子の平均半径をｒとし、前記被覆層の平均厚みを△ｒとしたときに、前記△ｒを、０．０１５ｒ以上０．０５５ｒ以下の範囲内に制御することを特徴とするセラミック原料粉体。
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【課題】 比誘電率、および共振周波数の温度係数の調整が可能な誘電体磁器を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ_ｘＳｎ_ｙＴｉ_ｚＯ₄（ｘ＋ｙ＋ｚ＝２、０．５５＜ｘ＜１．００、０．８５＜ｚ＜１．１５）を主成分とし、ＮｉＯ、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅からＮｉＯを必須とした１種以上を添加物として選択し、それぞれ１重量％以下（０重量％を含まず）添加してなる誘電体磁器であって、ルチル型結晶構造をとる結晶相を含有する誘電体磁器とする。 （もっと読む）

セラミック多層モジュール（１）のような積層型セラミック電子部品に備える多層セラミック基板（２）において積層される絶縁性セラミック層（３）のための絶縁体セラミック組成物であって、
フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、ホウケイ酸ガラス粉末とを含み、ホウケイ酸ガラス粉末は、リチウムをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１５重量％、マグネシウムをＭｇＯ換算で３０〜５０重量％、ホウ素をＢ_２Ｏ_３換算で１５〜３０重量％、ケイ素をＳｉＯ_２換算で１０〜３５重量％、亜鉛をＺｎＯ換算で６〜２０重量％、および、アルミニウムをＡｌ_２Ｏ_３換算で０〜１５重量％含む。絶縁体セラミック組成物は、１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高い。 （もっと読む）

【課題】特許文献１の高周波用誘電体磁器組成物の場合には、焼成温度が１３５０〜１４００℃と高温であり、積層コンデンサ用材料として使用するには依然として焼成温度が高すぎる。また、特許文献２の積層コンデンサの場合には、積層コンデンサの製造工程が複雑で製造に手間がかかり、しかも、接着層とセラミック層との熱収縮率の差により構造欠陥を生じる虞があって積層セラミックとしての小型化、多層化を実現することが難しい。
【解決手段】本発明の誘電体セラミック組成物は、一般式がＭｇ_ｘＳｉＯ_２＋ｘ＋ａＳｒ_ｙＴｉＯ_２＋ｙで表される誘電体セラミック組成物であって、上記一般式におけるｘ、ｙ及びａは、それぞれ１．７０≦ｘ≦１．９９、０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．０５≦ａ≦０．４０の関係を満足するものである。 （もっと読む）