Fターム[5G303AB11]の内容
無機絶縁材料 (13,418) | 目的(及び、改善している性質) (1,889) | 温度変化率 (223)
Fターム[5G303AB11]に分類される特許
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高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置
高い比誘電率εrと高いQ値を有し、また共振周波数の温度係数τfが0ppm/℃を中心に任意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
組成式:xCaTiaO1+2a−yCa(Alb/2Nbc/2)O1+(3b+5c)/4−zCa(Mgd/2We/2)O1+(d+3e)/2で表わされる組成を有し、上記組成式におけるx、y、z、a、b、c、d、およびe(ただしx、y、zはモル比である)は、0.475≦x≦0.58、0.21≦y≦0.505、0.018≦z≦0.25、x+y+z=1.000、0.9≦a≦1.05、0.9≦b≦1.1、0.9≦c≦1.1、0.9≦d≦1.1、0.9≦e≦1.05の範囲内にある。
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誘電体セラミック組成物およびセラミック電子部品
1000℃以下の温度で焼結させることができ、焼結体の比誘電率が550以上であり、容量変化率の温度特性がJIS規格のB特性を満足し、電圧印加時においても比誘電率が実質的に変化しない、Ag−Cu−Nb−Ta−O系の誘電体セラミック組成物を提供する。 主成分がAgaCubNbcTadO3で表される組成を有し、AgaCubNbcTadO3において、0.7≦a≦0.95、0.05≦b≦0.3、0.4≦c≦0.6、および0.4≦d≦0.6の各条件を満足するとともに、0.95≦(a+b)/(c+d)≦1.02の条件を満足する、誘電体セラミック組成物。 (もっと読む)
誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品
本発明の誘電体磁器組成物は、BaTiO3を100モル部、MnOをx1モル部、Cr2O3をx2モル部、Y2O3および/またはHo2O3をx3モル部、BaO,CaO,SrOからなる群より選択される酸化物をx4モル部、SiO2および/またはGeO2をx5モル部含み、0.5≦x1≦4.5、0.05≦x2≦1.0、x1+x2≦4.55、0.25≦x3≦1.5、0.5≦x4≦6、および0.5≦x5≦6を満たす。本発明の積層型セラミックコンデンサは、このような組成物により構成されるセラミック誘電体と、NiまたはNi合金により構成される電極とからなる、積層構造を有する。 (もっと読む)
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