高い比誘電率ε_rと高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃を中心に任意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
組成式：ｘＣａＴｉ_aＯ_1+2a−ｙＣａ（Ａｌ_b/2Ｎｂ_c/2）Ｏ_1+(3b+5c)/4−ｚＣａ（Ｍｇ_d/2Ｗ_e/2）Ｏ_1+(d+3e)/2で表わされる組成を有し、上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅ（ただしｘ、ｙ、ｚはモル比である）は、０．４７５≦ｘ≦０．５８、０．２１≦ｙ≦０．５０５、０．０１８≦ｚ≦０．２５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．９≦ａ≦１．０５、０．９≦ｂ≦１．１、０．９≦ｃ≦１．１、０．９≦ｄ≦１．１、０．９≦ｅ≦１．０５の範囲内にある。
（もっと読む）

１０００℃以下の温度で焼結させることができ、焼結体の比誘電率が５５０以上であり、容量変化率の温度特性がＪＩＳ規格のＢ特性を満足し、電圧印加時においても比誘電率が実質的に変化しない、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ系の誘電体セラミック組成物を提供する。 主成分がＡｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３で表される組成を有し、Ａｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３において、０．７≦ａ≦０．９５、０．０５≦ｂ≦０．３、０．４≦ｃ≦０．６、および０．４≦ｄ≦０．６の各条件を満足するとともに、０．９５≦（ａ＋ｂ）／（ｃ＋ｄ）≦１．０２の条件を満足する、誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）

本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ_３を１００モル部、ＭｎＯをｘ_１モル部、Ｃｒ_２Ｏ_３をｘ_２モル部、Ｙ_２Ｏ_３および／またはＨｏ_２Ｏ_３をｘ_３モル部、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯからなる群より選択される酸化物をｘ_４モル部、ＳｉＯ_２および／またはＧｅＯ_２をｘ_５モル部含み、０．５≦ｘ_１≦４．５、０．０５≦ｘ_２≦１．０、ｘ_１＋ｘ_２≦４．５５、０．２５≦ｘ_３≦１．５、０．５≦ｘ_４≦６、および０．５≦ｘ_５≦６を満たす。本発明の積層型セラミックコンデンサは、このような組成物により構成されるセラミック誘電体と、ＮｉまたはＮｉ合金により構成される電極とからなる、積層構造を有する。 （もっと読む）