【課題】
少ないフィラー添加量で線膨張係数を従来並みか若しくはより低い値に抑制し、結果として複合絶縁樹脂の誘電率を抑制して放電劣化を抑制すること。
【解決手段】
本発明は、上記課題を解決するために、大小の粒子径を持ち、かつ、該小粒子径が長径と短径から成る無機フィラーを含有する複合絶縁樹脂であって、前記小粒子径の無機フィラーの短径が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低温同時焼成セラミック組成物及びこれを含む低温同時焼成セラミック基板並びにその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る低温同時焼成セラミック組成物は、セラミック粉末２０〜７０重量部と、低温焼結用のガラス成分３０〜８０重量部とを含み、当該セラミック粉末は、板状セラミック粉末と球状セラミック粉末とを含み、当該板状セラミック粉末に対する当該球状セラミック粉末の含量比（球状セラミック粉末／板状セラミック粉末）が０〜１である。本発明に係る低温同時焼成セラミック組成物は、面方向（ｘ−ｙ方向）の収縮が抑制され、且つ優れた強度を有することができる。 （もっと読む）

【課題】ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率の、低温で焼結したβ−ユ−クリプタイトセラミックスを提供する。
【解決手段】β−ユ−クリプタイトセラミックスの組成の原料粉末を十分混合し、低温で仮焼して、焼結助剤を加えると共に、微粉砕することによって、ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率のβ−ユ−クリプタイトセラミックス焼結体。 （もっと読む）

【課題】所望の誘電率３０〜６０を有するＢａＯ−ＴｉＯ_２系セラミックスの低損失特性を維持しつつ低温焼成化が可能で、樹脂基板への搭載時に問題となる線膨張のマッチングをとることができるようにする。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式（ＢａＯ・ｘＴｉＯ_２）と表される成分を含み、該組成式におけるＢａＯに対するＴｉＯ_２のモル比ｘが、４．６≦ｘ≦８の範囲内にあり、
前記主成分に対して副成分として、ホウ素酸化物および銅酸化物を含むとともに、これらの副成分をそれぞれａＢ_２Ｏ_３、ｂＣｕＯと表したとき、
前記主成分に対する前記各副成分の重量比率を表すａおよびｂがそれぞれ
０．５（重量％）≦ａ≦５（重量％）
０．１（重量％）≦ｂ≦３（重量％）
である。 （もっと読む）

【課題】高熱膨張率及び低熱伝導率を有する絶縁基板用絶縁材料、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】化学組成ＫＡｌＳｉ_２＋ｘＯ_６＋２ｘ（０．５≦ｘ≦１．８）を有するケイ酸アルミ焼結体からなる、熱電発電素子を構成する絶縁基板用絶縁材料であって、相対密度が９５％以上の緻密なケイ酸アルミニウムセラミックからなり、熱疲労による発電能力の低下が抑制された特性を有することを特徴とする熱電発電素子を構成する絶縁基板用絶縁材料、その製造方法、絶縁基板及びその応用製品。
【効果】高熱膨張率及び低熱伝導率を有する絶縁基板を提供すると共に、該絶縁基板を用いた熱疲労に優れ出力特性の高い熱電素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低熱膨張係数を有し、且つ銅との接着力に優れる絶縁樹脂組成物、及びその半硬化物を支持体表面に形成してなる支持体付き絶縁フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂組成物の全固形分中、（Ａ）エポキシ樹脂が１０〜３０質量％、（Ｂ）フェノール性水酸基含有ポリアミドイミドが３５〜６５質量％、（Ｃ）フェノキシ樹脂が３〜２０質量％、及び（Ｄ）無機フィラーが５〜３８質量％含まれる絶縁樹脂組成物。さらに（Ｅ）架橋ゴム粒子を含有しても良い。
及び前記絶縁樹脂組成物の半硬化状態のフィルムが支持体の表面に形成されている支持体付絶縁フィルム。 （もっと読む）

【課題】 高熱膨張係数、低誘電率、低誘電損失および耐薬品性に優れた低温焼成磁器および低温焼成磁器組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の低温焼成磁器組成物は、３８〜４８ｍｏｌ％のＳｉＯ_２、６〜９ｍｏｌ％のＡｌ_２Ｏ_３、２７〜３７ｍｏｌ％のＭｇＯ、５〜１０ｍｏｌ％のＢ_２Ｏ_３、０．２５〜１ｍｏｌ％のＺｒＯ_２、１〜３ｍｏｌ％のＣａＯおよび６〜９．５ｍｏｌ％のＢａＯからなるガラス粉末５５〜６５質量％と、ＳｉＯ_２からなる母材の表面に前記ガラス粉末の組成からＡｌ_２Ｏ_３を除いた組成の複数のガラス粒子が被着された複合粉末４５〜３５質量％とで構成され、前記ＳｉＯ_２からなる母材に対する前記複数のガラス粒子の割合が、質量比率で３〜７％であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】低い焼成温度によって緻密で収縮し難い焼結体を得ることが可能なセラミックス粉末を、簡便且つ生産性よく得ることが出来る、セラミックス粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】ナノサイズのセラミックス粒子を構成する材料と、サブミクロンサイズのセラミックス粒子からなるセラミックス粉末と、を予め混合した原料を用い、これを水熱合成し、ナノサイズのセラミックス粒子を合成しつつ、同時に、ナノサイズのセラミックス粒子をサブミクロンサイズのセラミックス粒子の表面に被覆させる工程を含むセラミックス粉末の製造方法の提供による。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック基板を製造するにあたり、無収縮プロセスを用いて焼成するのに適した誘電体セラミック原料組成物を提供する。
【解決手段】１００重量部の（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）ＷＯ_４系セラミック（０≦ｘ≦１．０）と、ＬｉをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１０重量％、ＭｇをＭｇＯ換算で３１〜４９重量％、ＺｎをＺｎＯ換算で６〜１０重量％、ＢをＢ_２Ｏ_３換算で１７〜２９重量％、およびＳｉをＳｉＯ_２換算で１８〜３４重量％含有する、２５〜７０重量部のホウケイ酸ガラスとを含み、ＣａＷＯ_４結晶相、ＳｒＷＯ_４結晶相および（Ｃａ，Ｓｒ）ＷＯ_４結晶相の少なくとも１種ならびにＬｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相が析出している、誘電体セラミック原料組成物。この誘電体セラミック原料組成物は、無収縮プロセスによって焼成される複合積層構造物２１において、基板用セラミックグリーンシート２５の材料として好適に用いられる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ法によるペロブスカイト型誘電物質からなる高誘電体薄膜の形成において、クラックの発生がなく、膜の収縮が小さく、かつ誘電特性に優れた誘電体薄膜を形成することができる高誘電体薄膜形成用塗布組成物とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】特定の混合液を用いてアルカリ土類金属元素の所定濃度の有機酸塩液（Ａ）を調製する工程、特定の有機溶剤を用いてチタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の所定濃度のアルコキシド液（Ｂ）を調製する工程、有機酸塩液（Ａ）とアルコキシド液（Ｂ）を用いて複合有機酸塩液（Ｃ）を合成する工程、及び複合有機酸塩液（Ｃ）を所定濃度に濃縮させた後、希釈して、所定濃度に調整する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高温下でも絶縁性に優れており、かつ、他の諸特性にも優れている絶縁シートを提供する。
【解決手段】 アルコキシド縮合脱水物からなるバインダーと、酸化チタン、アルミナ及びジルコニアの少なくとも一つを含む顔料と、溶媒とからなる塗料が、シート形状又は非シート形状の基材または発熱体の表面に設けられて膜を形成している絶縁構造体であって、アルコキシド縮合脱水物が、トリメチルメトキシシラン又はトリメチルエトキシシランと、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシランとを５対２以下の割合で含む。 （もっと読む）

【課題】有害な鉛を含まず、誘電率が低く、軟化点が低く、ガラス転移点が高く、基板との熱膨張係数のマッチングが良く、耐水性の高い、信頼性の高いディスプレイパネルを作製可能とするガラス組成物を提供する。
【解決手段】酸化物ガラスであって、含まれる元素の内、酸素（Ｏ）を除く元素の比率が原子％表示で、硼素（Ｂ）が７２％を越え８８％以下、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）の合計量が６％以上１６％以下、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）の合計が１％以上８％以下、珪素（Ｓｉ）が０％以上１２％以下、亜鉛（Ｚｎ）が２％を越え１８％以下である、ガラス組成物とする。 （もっと読む）

【課題】線膨張係数が低く、空隙率が小さく、組成が均一なペースト組成物および誘電体組成物と、ハンドリングがしやすく、誘電率が大きい可撓性を有するキャパシタ用層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】特定の種類から選ばれる無機フィラー、芳香族ポリアミド、および溶剤を含有してなるペースト組成物であって、前記無機フィラーの含有量が５重量％以上７５重量％以下であり、前記無機フィラーの平均粒径が０．００５μｍ以上１μｍ以下であり、溶剤の含有量は８５重量％以下であり、リン酸エステル骨格を有する化合物を含有しているペースト組成物である。または、特定の種類から選ばれる無機フィラー、芳香族ポリアミド、リン酸エステル骨格を有する化合物を含み、前記無機フィラーの含有量が４０重量％以上９５重量％以下であり、前記無機フィラーの平均粒径が０．００５μｍ以上１μｍ以下である誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】 エポキシ樹脂中に充填する材料を適切に選択することにより、高誘電率と低熱膨張率を併せ持ち、機械的強度にも優れた絶縁材料を提供する。
【解決手段】 樹脂組成物１は、１分子当たり２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物とエポキシ樹脂用硬化剤からなるエポキシ樹脂２中に、層状シリケート化合物３、酸化物系粒子４、および高誘電率粒子５という３種類の無機粒子が均一に分散して構成されている。エポキシ化合物１００重量部に対して、層状シリケート化合物が１〜５０重量部、酸化物系粒子が１００〜４００重量部、高誘電率粒子が１００〜４００重量部、の割合でそれぞれ充填され、かつ、エポキシ化合物１００重量部に対して、酸化物系粒子と高誘電率粒子の充填量の合計は５００重量部以下とされる。層状シリケート化合物は、酸化物系粒子および高誘電率粒子より先に、剪断混合によりエポキシ化合物中に分散させられる。 （もっと読む）

【課題】 比較的低い融点を有する、高いガラス転移点等を有し耐熱性に優れる、熱膨張率が銅に近い、そして絶縁性も高い、との特性を全て満たす耐熱絶縁被覆用ガラスを提供する。
【解決手段】 （１）Ｐ酸化物及びＢ酸化物、並びに（２）２種類以上のアルカリ金属酸化物を含有し、ガラス転移点における熱膨張率が８〜２３×１０^−６／℃であることを特徴とする耐熱絶縁被覆用ガラス、特にＰ酸化物及びＢ酸化物が、それぞれ、Ｐ_２Ｏ_５及びＢ_２Ｏ_３である耐熱絶縁被覆用ガラス。 （もっと読む）

【課題】 無機質フィラーを用いてガラス転移温度以上の温度領域における熱膨張率の上昇を充分に抑制した樹脂成形部を与える絶縁性樹脂組成物を提供する。また、当該絶縁性樹脂組成物を製造する方法、及び、当該絶縁性樹脂組成物を用いて樹脂部分を形成した電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の絶縁性樹脂組成物は、平均粒径が１〜５０μｍ、空隙率が０．２以上、且つ、平均空孔径が１０〜１００ｎｍである多孔質無機微粒子、及び、絶縁性樹脂を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 α−石英成分の含有量を調整して、一定の比誘電率の差を確保しつつ、線熱膨張係数を制御できる低温焼成基板材料を提供する。また、この低温焼成基板材料により、低誘電率層と高誘電率層を有する多層配線基板において、大型化する集合基板の反りを低減でき、誘電率層の配置設計上の自由度を確保できる多層配線基板を提供する。
【解決手段】 低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２４６〜６０重量％、Ｂ_２Ｏ_３０．５〜５重量％、Ａｌ_２Ｏ_３６〜１７．５重量％及びアルカリ土類金属酸化物２５〜４５重量％の組成を有し、アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも６０重量％がＳｒＯであるガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを１２〜３８ｖｏｌ％、及び、α−石英を２〜１０ｖｏｌ％を含有することを特徴とし、多層配線基板とするときはα−石英の含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内とする。 （もっと読む）

【課題】線熱膨張係数を有しつつ、高い比誘電率を有する低温焼成基板材料を提供することである。また、異組成のガラス−セラミックス混合層を積層させた多層配線基板において、非対称の積層構造としても焼成品の反りを小さくすることである。
【解決手段】本発明に係る低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ土類金属酸化物系ガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、チタニアを１４〜２７ｖｏｌ％、及び、コーディエライトを５〜１５．５ｖｏｌ％含有し、且つ、線熱膨張係数が５．９０×１０^−６〜６．４０×１０^−６／℃で、比誘電率が１０以上であることを特徴とする。多層配線基板とするときは、コーディエライトの含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を小さくなるように制御する。 （もっと読む）