説明

Fターム[5G303BA05]の内容

無機絶縁材料 (13,418) | 形状、状態 (1,044) | 形状、状態が特定されているもの (298) | 単結晶 (2)

Fターム[5G303BA05]に分類される特許

1 - 2 / 2


【課題】 積層セラミックコンデンサに用いられるBaTiO3系誘電体材料に関し、誘電率が高く、温度特性が良好で、かつ信頼性の高い、誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、上述の誘電体セラミックに適したセラミック粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式ABO3で表されるペロブスカイト型化合物(AはBaを必ず含み、Ba、Ca、Srから選ばれる少なくとも1種を含む。BはTiを必ず含み、Ti、Zr、Hfから選ばれる少なくとも1種を含む。モル比A/Bは0.95〜0.98である)を主成分とする組成を有し、かつ、個数割合にして50%以上の粒子が単結晶である、主成分粉末を用意する第1の工程と、前記主成分粉末の粒子の表面に、少なくともBa化合物を担持させる第2の工程と、前記粒子の表面にBa化合物を担持させた主成分粉末を熱処理する第3の工程と、
を備える製造方法によって得られたセラミック粉末を用いて、積層セラミックコンデンサを作製する。 (もっと読む)


【課題】 誘電性単結晶、特にLN結晶インゴットをその焦電性に由来する放電クラック発生を防止しながら、アニールとポーリングを一括して行うこと。
【解決手段】 強誘電体単結晶を育成した後に、アニールおよびポーリングを行う単結晶製造方法において、強誘電体単結晶を育成した後冷却するときに、当該強誘電体単結晶を500℃以上の温度にて還元雰囲気にさらすことにより、室温で1×10-6V/cm以上の導電率にする工程、次に当該単結晶全体を粉末中に埋設し、かつ埋設した粉末の中に電極を設けて、当該単結晶を、酸素を含む雰囲気にて、キューリー温度以上に加熱して、電極間に直流電圧を印加して、アニールとポーリングを一括して行う工程を含むことを特徴とする強誘電体単結晶の製造方法。 (もっと読む)


1 - 2 / 2