【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック粒子の内部がＡＢＯ３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つであり、ＢはＺｒ）を主成分として含有し、このセラミック粒子の表層部が、Ｂａ及びＴｉとＡＢＯ３が固溶した領域を有することにより、誘電率を下げることなく高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を得た。この、誘電体磁器組成物を積層し焼成することにより、誘電率と高温負荷寿命を両立させた電子部品を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式（１）
（１−ｘ）｛（Ｎａ_ｙＢａ_１−ｚ）（Ｎｂ_ｚＴｉ_１−ｚ）Ｏ_３｝−ｘＢｉＦｅＯ_３（式中、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ≦０．０１５、０．８０≦ｙ≦０．９５、０．８５≦ｚ≦０．９５を表す。）上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、を有し、上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を用いて整合構造を有し且つ化学的組成が異なるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を製造することにより、信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、Ｂａ_ｍＴｉＯ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜４．００モルを含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜０．７０モルを含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｓｉ酸化物０．２０〜２．００モルを含む第３副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ａｌ酸化物０．０２〜１．００モルを含む第４副成分と、上記第３副成分に対して、ＢａまたはＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物２０〜１４０％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】 本願発明の課題は、加熱プレス時の変形が少なく、タックフリー性に優れ、繰り返し折り曲げに耐え得る柔軟性、難燃性、電気絶縁信頼性に優れ、反りが小さい絶縁膜、絶縁膜付きプリント配線板を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも（Ａ）バインダーポリマー及び（Ｂ）有機−無機複合化微粒子を含有することを特徴とする絶縁膜であって、前記（Ｂ）有機−無機複合化微粒子は、前記絶縁膜中に分散しており、前記絶縁膜の厚み方向の断面の任意の１２５μｍ×１５μｍの範囲において、（Ｂ）有機−無機複合化微粒子が１０〜６０％の面積を占めることを特徴とする絶縁膜を用いることで上記課題を解決しうる。 （もっと読む）

【課題】
少ないフィラー添加量で線膨張係数を従来並みか若しくはより低い値に抑制し、結果として複合絶縁樹脂の誘電率を抑制して放電劣化を抑制すること。
【解決手段】
本発明は、上記課題を解決するために、大小の粒子径を持ち、かつ、該小粒子径が長径と短径から成る無機フィラーを含有する複合絶縁樹脂であって、前記小粒子径の無機フィラーの短径が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）の組成式で
表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性の向上及び加工容易性の向上を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるＡｌ_２Ｏ_３、第１副原料としてのＴｉ化合物及び第Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ及びＢａのうち少なくとも１種を複合させた、第１副原料とは異なる２副原料が混合されることにより原料が調製される。各副原料の添加量が、ｐ₁＝０．０５〜１．５０及びｐ₂＝０．０５〜２．５０により定義される「第１添加量範囲」又はｐ₁＝０．０５〜０．６０及びｐ₂＝０．０５〜１．２０により定義される「第２添加量範囲」に含まれるように調節される。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式ＢａＴｉＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてＭｎ、Ｓｉの元素を含有する。ＫＮｂＯ_３とＢａＴｉＯ_３との混晶体から成る主成分とすることで、１００℃以下では、ＢａＴｉＯ_３が有する高い比誘電率を利用し、１５０℃以上では、ＫＮｂＯ_３が有する高い比誘電率を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｍサイトを、前記Ｂａ、Ｃａ及びＳｒの中の互いに異なる２個で複数置き換え、また前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えて（Ｍ_１−ｘ^２＋Ｍ_ｘ^２＋）（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６(但し、０＜ｘ＜１及び０＜ｙ＜１）の組成式で表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が９９．０重量％以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で０．２重量％以上０．８重量％以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が２０μｍ以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を実現する。
【解決手段】コイル導体５ａ、５ｂが磁性体部６ａ、６ｂに埋設されたコイル部３ａと、容量電極７が誘電体部８に埋設されたコンデンサ部２とを備える。コイル導体５ａ、５ｂ、容量電極７がＣｕを主成分とする導電性材料で形成され、磁性体部６ａ、６ｂ、誘電体部８が、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％以下、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有モル量ｘ、Ｍｎ_２Ｏ_３の含有モル量ｙを（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）の範囲内にあるＮｉ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトで形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主成分とする金属線材と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができるインダクタ等のセラミック電子部品を実現する。
【解決手段】金属線材３が磁性体部２中に埋設されている。金属線材１３がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、前記磁性体部２が、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％以下、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有モル量ｘ、Ｍｎ_２Ｏ_３の含有モル量ｙを（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）の範囲内にあるＮｉ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトで形成される。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低圧下で加硫しても、発泡が十分に抑制されるシースを備えたケーブルを製造できるクロロプレンゴム組成物、及びこれを用いて得られるケーブルを提供すること。
【解決手段】クロロプレンゴムと、加硫剤と、乾式シリカとを含むクロロプレンゴム組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、粗大な粒子の形成を防止して、微細な粒子の一酸化ニオブを効率よく生成できる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ_２Ｏ_５からＮｂＯを製造するＮｂＯの製造方法において、水素化ニオブを生成しない条件のもとで、Ｎｂ_２Ｏ_５とＭｇとを反応させてＮｂＯ_Ｘ（０＜Ｘ＜１）を生成する還元処理と、ＮｂＯ_Ｘ（０＜Ｘ＜１）とＮｂ_２Ｏ_５とを混合して水素雰囲気下で焼成してＮｂＯを生成する焼成処理とを備えることを特徴とする。還元処理は、Ｎｂ_２Ｏ_５と気体状Ｍｇとを１ｐｐｍ以下に水分を除去した不活性ガス雰囲気下で反応させ、ＭｇＯを含むＮｂＯ_Ｘを生成する第一段階と、第一段階で生成した、ＭｇＯを含むＮｂＯ_Ｘを、過酸化水素を含有する鉱酸水溶液により洗浄してＭｇＯを除去し、ＭｇＯを含まないＮｂＯ_Ｘ（０＜Ｘ＜１）を生成する第二段階とからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 材料に希土類を含むことなく38〜44の比誘電率を有する誘電体セラミックスを安価に作製することができ、誘電特性として、Ｑｆ値が高く、かつ広範囲な温度域における共振周波数の温度係数τｆが小さく、かつ低温域（−40〜25℃）および高温域（25〜85℃）で共振周波数の温度係数τｆの差（Δτｆ）の小さい誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタを提供する。
【解決手段】 組成式を、αＺｒＯ_２・βＴｉＯ_２・γＭｇＯ・δＮｂ_２Ｏ_５と表したとき、モル比α，β，γおよびδが、0.3200≦α≦0.5700，0.2800≦β≦0.5300，0.0101≦γ≦0.0774，0.0199≦δ≦0.1526，α＋β＋γ＋δ＝１および0.5＜γ／δ≦１を満足
し、前記組成式の成分100質量％に対して、ＣａをＣａＯ換算で0.01質量％を超え0.3質量％以下含む誘電体セラミックスである。 （もっと読む）