【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）の組成式で
表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｍサイトを、前記Ｂａ、Ｃａ及びＳｒの中の互いに異なる２個で複数置き換え、また前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えて（Ｍ_１−ｘ^２＋Ｍ_ｘ^２＋）（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６(但し、０＜ｘ＜１及び０＜ｙ＜１）の組成式で表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ}，Ｃａ_ｘ，Ｓｒ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_{１−ｚ−ａ}，Ｚｒ_ｚ，Ｓｎ_ａ）Ｏ_３の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、０．０３≦ｘ≦０．３０、０．００＜ｙ≦０．０５、０．０２＜ｚ≦０．２、０≦ａ≦０．２、０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３、０．９７≦ｍ≦１．０３、第１副成分は、酸化亜鉛であり、第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、第１副成分が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、第２副成分は主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】引張強さ、耐寒性等の機械的特性を損なわず、有毒ガスを発生させずに、トリアジン系難燃助剤に相当する難燃効果を有することでＵＩＣ規格を満たす難燃性を備える電線用のノンハロゲン難燃性樹脂組成物、及び当該ノンハロゲン難燃性樹脂組成物を用いた電線、並びにケーブルを提供する。
【解決手段】本発明に係るノンハロゲン難燃性樹脂組成物は、ポリオレフィン系樹脂のベースポリマ１００重量部に対し、５０重量部以上２５０重量部以下の金属水酸化物と、１重量部以上５０重量部以下のホウ酸カルシウムと、１重量部以上５０重量部以下のすず酸亜鉛とを含み、ＵＩＣ規格 ＣＯＤＥ８９５ ＯＲ ３ｒｄ ｅｄｉｔｉｏｎ ａｐｐｅｎｄｉｘ６に準拠した垂直燃焼試験において炎を取り去った後の燃焼時間が３０秒未満である。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面平滑性に優れた焼結層を形成することのできる無機微粒子分散ペーストを提供する。
【解決手段】エチルセルロース、（メタ）アクリル樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群より選択される少なくとも１種と、有機化合物と、無機微粒子と、有機溶剤とを含有する無機微粒子分散ペーストであって、前記有機化合物は、水酸基を１つ以上有し、かつ、常温固体で沸点が３００℃未満である無機微粒子分散ペースト。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
ａ（Ｓｎ，Ｔｉ）Ｏ_２−ｂＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｃＭｇＴｉ_２Ｏ_５−ｄＭｇＳｉＯ_３
で表され、前記組成式におけるａ、ｂ、ｃ、及びｄ（ただし、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル％である）がそれぞれ４≦ａ≦３７、３４≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１５、及び２≦ｄ≦１５の範囲内にあり、ここでａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である主成分と、ＭｎＯ_２またはＭｎ_３Ｏ_４からなる添加成分からなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分１００重量部に対して０．５〜６．０重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
ａ（Ｓｎ，Ｔｉ）Ｏ_２−ｂＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｃＭｇＴｉ_２Ｏ_５−ｄＭｇＳｉＯ_３
で表され、前記組成式におけるａ、ｂ、ｃ、及びｄ（ただし、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル％である）がそれぞれ４≦ａ≦３７、３４≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１５、及び２≦ｄ≦１５の範囲内にあり、ここでａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である主成分と、ＺｒＯ_２からなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分１００重量部に対して３．０〜１２．０重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
ａ（Ｓｎ，Ｔｉ）Ｏ_２−ｂＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｃＭｇＴｉ_２Ｏ_５−ｄＭｇＳｉＯ_３
で表され、前記組成式におけるａ、ｂ、ｃ、及びｄ（ただし、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル％である）がそれぞれ１０≦ａ≦３７、３４≦ｂ≦８２、４≦ｃ≦１５、及び４≦ｄ≦１５の範囲内にあり、ここでａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である主成分と、ＭｇＯからなる添加成分からなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分１００重量部に対して０．５〜２．０重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い複合酸化物を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物と、チタン、ジルコニア及び錫からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物とを混合して焼成温度まで加熱し、焼成し、降温して複合酸化物を製造する複合酸化物の製造方法において、前記降温工程における降温速度を３℃／分以上、４００℃／分以下に調整する。降温は好ましくは炉内に気体を導入して行う。 （もっと読む）

【課題】自立性があり、かつ誘電率に大きな異方性を有する異方性誘電体を提供する。
【解決手段】平板状金属粒子を絶縁材料中に配向分散した金属／絶縁材料複合体からなる異方性誘電体であり、この平板状金属粒子の配向方向と平行な方向の誘電率は、この配向方向と垂直な方向の誘電率の１．５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の温度係数が正でありながら、誘電率の高い、温度補償用セラミックコンデンサに好適な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 Ｓｎ_mＮｂ₂Ｏ₆（０．７≦ｍ≦１．３）を主成分とする。 （もっと読む）

【課題】 還元雰囲気下において焼成されても、安定した絶縁性を有する、積層セラミックコンデンサに好適な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 ＣａＴｉＯ₃系において、Ｓｎを含む組成とする。特に、ＳｎをＢａサイトに固溶させた、（Ｃａ_1-x-yＢａ_xＳｎ_y）ＴｉＯ₃（ただし０≦ｘ＜０．２、０．０１≦ｙ＜０．２）を主成分とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックは一般に誘電率が低いとされるが、ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックにおいて、より高い誘電率が得られるようにし、これを用いた積層セラミックコンデンサの小型化を図れるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分が組成式：（Ｓｒ_{１−x−ｙ}Ｓｎ_ｘＢａ_ｙ）ＴｉＯ_３で表わされ、かつこの組成式において、ｘが０．００５≦ｘ≦０．２４、ｙが０≦ｙ≦０．２５である、誘電体セラミックを用いる。上記主成分１００モルに対して、Ｍ（Ｍは、ＭｎおよびＶの少なくとも一方）を、ＭＯに換算して、０．０１モル〜５モル、および／または、Ｓｉを、ＳｉＯ_２に換算して、０．２モル〜５モル含むことが好ましく、さらに、上記主成分１００モルに対して、Ｃａを、ＣａＯに換算して、０．１モル〜２５モル含むことがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子トンネリングを防止するのに十分な厚さにおいても、要求されるキャパシタンス値を満たすことができる高誘電率の誘電定数を有し、誘電損失が非常に低く、常誘電特性を示す線形的なＢＳＴＯ誘電体薄膜組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）誘電体薄膜に錫酸化物（ＳｎＯ_２）が連続組成拡散法によって添加され、一般式Ｂａ_{（１−ｘ）}Ｓｒ_ｘＴｉ_{（１−ｙ）}Ｓｎ_ｙＯ_３（式中、モル分率ｘは０．０６≦ｘ≦０．８２の範囲であり、モル分率ｙは０．０５≦ｙ≦０．２８の範囲である）（ＢＳＴＳＯ）である誘電体薄膜組成物とする。これにより、電界によるキャパシタンスの変化がほとんどなく、要求されるキャパシタンス値を示し誘電損失は非常に低く、既存の誘電体素材であるＳｉＯ_２のような常誘電（paraelectric）特性を示す。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率ε_ｒが８〜２０で調整可能であり、Q×ｆｏ値も大きく、さらに共振周波数ｆｏの温度係数τ_ｆの絶対値が３０ｐｐｍ/℃以下で調整が容易な高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 酸化スズ（ＳｎＯ₂）、フォルステライト（Ｍｇ₂ＳｉＯ₄）、ステアタイト（ＭｇＳｉＯ₃）、マグネシウムチタネート（ＭｇＴｉ₂Ｏ₅）からなる誘電体磁器組成物であって、組成式 aＳｎＯ₂−bＭｇ₂ＳｉＯ₄−cＭｇＴｉ₂Ｏ₅−dＭｇＳｉＯ₃で表したときに、前記組成式におけるａ，ｂ，ｃ，ｄ(ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル％である)が、４≦ａ≦３７、２５≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１９、２≦ｄ≦１９、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００の範囲にある高周波用誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンフリーで高度の難燃性を発揮し、可撓性、機械物性、耐熱老化性、耐加熱変形性、低温特性、電気絶縁性に優れた難燃性樹脂組成物と、該難燃性樹脂組成物により絶縁被覆されたフレキシブルフラットケーブルを提供すること。
【解決手段】ポリマー成分が、ＪＩＳ硬度がＡ９８未満の熱可塑性ポリウレタンエラストマーとエチレン共重合体とを含有し、かつ、難燃剤成分が、水酸化マグネシウム、１，３、５‐トリアジン誘導体、並びに亜鉛、アルミニウム、及び錫からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子を含み、ハロゲン原子を含まない金属化合物を含有する難燃性樹脂組成物と、該難燃性樹脂組成物により絶縁被覆されたフレキシブルフラットケーブル。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率と共振周波数を有しつつ、共振周波数の温度係数を低い値に調整できる誘電体組成物および材料を得ること。
【解決手段】ａＡＴｉＯ_３−ｂＮａＮｂＯ_３（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ａおよびｂが０．０３０≦ａ≦０．１７０かつ０．８３０≦ｂ≦０．９７０かつａ＋ｂ＝１を満足する磁器組成物を主材料系として、それに誘電率などを高く保ったまま共振周波数の温度係数を低くするための組成物と混合して、焼結体または混合物を得ることにより解決した。 （もっと読む）

【課題】高温での誘電損失の低減化を可能にし、かつ薄膜化が可能である高誘電性フィルム形成用のコーティング組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）フィルム形成樹脂、（Ｂ）高誘電性無機粒子および（Ｃ）溶剤を含むコーティング組成物であって、（Ａ）がセルロース系樹脂のみからなり、（Ｂ）が、Ｍ_aＴｉ_bＯ_c（Ｍは周期表の第２周期から第５周期までの２族金属元素；ａは０．９〜１．１；ｂは０．９〜１．１；ｃは２．８〜３．２）で示される複合酸化物粒子、Ｍ¹_aＭ²_bＯ_c（Ｍ¹とＭ²は異なり、Ｍ¹は周期表の２族金属元素、Ｍ²は周期表の第５周期の金属元素；ａは０．９〜１．１；ｂは０．９〜１．１；ｃは２．８〜３．２）で示される複合酸化物粒子、および周期表の２族金属元素および４族金属元素よりなる群から選ばれる少なくとも３種の金属元素を含む複合酸化物粒子よりなる群れから選ばれた少なくとも１種である高誘電性フィルム形成用コーティング組成物。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の焼成温度依存性が抑制され、かつ機械的強度を向上する。
【解決手段】図１に示すＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２及びＴｉＯ_２の三元組成図において、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆで囲まれる領域の組成を主成分とし、この主成分に対す副成分として、ＺｎＯ：０．５〜５ｗｔ％、ＮｉＯ：０．１〜３ｗｔ％、ＳｉＯ_２：０．０１５〜１．０ｗｔ％を含有する焼結体からなる誘電体磁器であって、焼結体は、主相として（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ_４を、また、副相として（Ｚｎ，Ｎｉ）_２ＴｉＯ_４及びＺｒＳｉＯ_４を含む。この誘電体磁器は、式（２）で求められる比誘電率εｒの焼成温度依存性（γεｒ）を、８％以下にできる。
γεｒ＝（ε_ｍａｘ−ε_ｍｉｎ）／ε_ｍａｘ×１００（％）…式（２）
ε_ｍａｘ：焼成温度（１３００〜１４００℃）における比誘電率εｒの最大値
ε_ｍｉｎ：焼成温度（１３００〜１４００℃）における比誘電率εｒの最小値 （もっと読む）