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Fターム[5G303CB43]に分類される特許

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【課題】 高い比誘電率εrとQ値を有し、比誘電率の温度変化率の小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料であって、前記誘電体セラミックスは、一般式(M,Li,RE)TiO(ただし、MはBa,Sr,Caから選択される少なくとも1種、REはLa,Ce,Pr,Nd,Sm,Yb,Dyから選択される少なくとも1種、0.9≦x≦1.05。)で表される組成を有する酸化物粉末を含有する。前記酸化物粉末の基本組成成分は、aBaTiO−bSrTiO−cCaTiO−dLi1/2RE1/2TiO−eLi1/2Nd1/2TiO[ただし、REはLa,Ce,Prから選択される少なくとも1種、a〜eは各成分の配合比率(モル%)。]で表され、0≦a≦3、0≦b≦30、5≦c≦35、0≦d≦20、55≦e≦80、a+b+c+d+e=100、である。 (もっと読む)


【課題】 積層セラミックコンデンサを更に小型化、大容量化しても、高周波交流高電圧下あるいは直流高電圧下での使用における発熱が小さく、また高温における絶縁抵抗率が高く、しかも誘電率も従来と比較して劣ることがない誘電体セラミック組成物、及びそれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 一般式:(Ba1-xCaxmTiO3−t(Ba1-xCaxmZrO3(ただし、0≦x≦0.20、0.99≦m≦1.05、0.2<t≦0.4)で表される化合物を主成分とし、前記主成分における(Ba1-xCaxmTiO3100モル部に対し、Mnを0.5〜3.5モル部、Re(ReはY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれる少なくとも1種の元素)を3〜12モル部、Mgを1〜7モル部含み、かつ、前記主成分における(Ba1-xCaxmTiO3100重量部に対し、SiO2を0.8〜5重量部含み、さらに、Srを実質的に含有しない。 (もっと読む)


【課題】誘電率を高く維持したまま優れた温度特性を有するとともに、特に絶縁破壊電圧および絶縁抵抗などの信頼性に優れた誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサを実現することを目的とするものである。
【解決手段】主成分であるチタン酸バリウム100モルに対して、副成分として少なくともマグネシウムをMgO換算で0.5〜2.0モル、希土類金属A(Dy、Ho、Yから選択される少なくとも1種)と希土類金属B(Yb、Er、Tmから選択される少なくとも1種)の総和を酸化物換算で2.0〜5.0モルとし、且つ主成分であるチタン酸バリウムの原料粉末におけるBET値を100としたとき、前記誘電体磁器組成物のBET値を100〜150とする。 (もっと読む)


【課題】 BaO、希土類酸化物及びTiO2が主成分として含有された組成系であっても、Ag又はAgを主成分とする合金等の導体を内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとした誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 誘電体磁器組成物の主成分としてBaO、Nd23、TiO2、MgO及びSiO2を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてZnO、B23、CuO及びアルカリ土類金属酸化物RO(R:アルカリ土類金属)を所定の比率で含有させ、さらに好ましくは、副成分としてAgを含有させるように構成する。 (もっと読む)


【課題】印刷した場合にも「糸引き」することがなく、比較的低温で焼成することにより残渣なく消滅させることができるバインダー樹脂組成物、ガラスペースト及びセラミックペーストを提供する。
【解決手段】(メタ)アクリル酸アルキルエステル単量体に由来するセグメントと、下記化学式(1)で示される繰り返しユニットからなるポリアルキレンオキサイドセグメントとを有する共重合体(A)をマトリックス樹脂とするバインダー樹脂組成物。 −(OR)n− ・・・(1) R:炭素数3以上で構成されるアルキレン基、nは整数。 (もっと読む)


【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εrを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εrを実現することができ、しかも高いQを有する低損失な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ag(Nb1−xTa)O(ただし、0.10≦x≦0.90である。)で表される組成を有する酸化物からなる第1の誘電体セラミックスと、Q≧1000の第2の誘電体セラミックスとを含有する。この場合、第1の誘電体セラミックスを一般式Ag(Nb1−xTa)O(ただし、0.10≦x≦0.45である。)で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物とし、第2の誘電体セラミックスの比誘電率の温度変化係数を負とすることで、複合誘電体材料全体の比誘電率の温度変化が抑えられる。 (もっと読む)


【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εrを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εrを実現することができ、しかも比誘電率εrの温度変化率の小さな新規な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ag(Nb1−xTa)O(ただし、0.10≦x≦0.45である。)で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物を含有する。さらに、一般式Ag(Nb1−xTa)O(ただし、0.60≦x≦0.90である。)で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が負である酸化物を併用してもよい。本発明の複合誘電体材料は、プリプレグや金属箔塗工物、板状の成形体等に用いられ、さらにこれらプリプレグや金属箔塗工物、成形体を用いて複合誘電体基板や多層基板が作製される。 (もっと読む)


本発明に係る積層体ユニットは、導電性を有し、かつ、その上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させることができる材料によって、形成され、少なくとも表面が[001]方位に配向された支持基板と、支持基板上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させて形成され、[001]方位に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる誘電体層を備えている。このように構成された積層体ユニットは、c軸方向に配向されたビスマス層状化合物をを含む誘電体層を有しているから、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、常誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することができる。
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【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εrを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εrを実現することができ、しかも高いQ値を有する新規な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ag(Nb1−xTa)O(ただし、0.10≦x≦0.90である。)で表される組成を有する酸化物を含有する。複合誘電体材料の比誘電率εrは12以上である。酸化物は、1100℃以下の温度で焼成されたものであることが好ましい。本発明の複合誘電体材料は、プリプレグや金属箔塗工物、板状の成形体等に用いられ、さらにこれらプリプレグや金属箔塗工物、成形体を用いて複合誘電体基板や多層基板が作製される。 (もっと読む)


【課題】10kV/mmを遥かに超える高電界強度下であっても、加速寿命が良好で高信頼性を有するようにする。
【解決手段】誘電体セラミックが、組成式BamTiO2+mで表されるチタン酸バリウム系固溶体を含有した主相粒子と、組成式MgVOで表される結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいる。好ましくは、上記m、n、及びtが、1.001≦m≦1.030、0.3≦n≦5.0、1.5+n≦t≦2.5+nであり、BamTiO2+m100モルに対するMgVOの配合モル量αが、0.05≦α≦2.0である。これにより誘電特性や静電容量の温度特性、絶縁性も良好なものとすることができる。さらに、必要に応じて特定の希土類元素や金属元素、更にはSiを含む焼結助剤を含んでいてもよい。
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【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗の寿命、DCバイアス特性を維持でき、容量温度特性がEIA規格のX8R特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、TCバイアス特性およびIR温度依存性が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 所定の主成分、およびAの酸化物(ただし、Aは6配位時の有効イオン半径が0.065nm〜0.085nmの範囲にある陽イオン元素群から選択される少なくとも1種)を含む第5副成分を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物は、Ca元素を含有する複数の結晶粒子から構成されており、前記各結晶粒子の粒子内全体におけるCa濃度の平均値を、粒内Ca濃度とした場合に、前記結晶粒子の相互間における前記粒内Ca濃度に、少なくともばらつきが存在し、CV値で、5%以上であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】 優れた容量温度特性を有し、耐電圧が高く、優れたTCバイアス特性を有する誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ba、CaおよびTiを含有し、かつ、一般式ABOで表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む主成分と、Zrの化合物を含む第4副成分と、を含有し、前記第4副成分の含有量が、前記主成分100モルに対して、Zr換算で0モルより多く、5モル未満であることを特徴とする誘電体磁器組成物。好ましくは、前記誘電体磁器組成物は、偏析相を有し、前記偏析相には、Zrの化合物が含有されている。 (もっと読む)


【課題】 焼成時の耐還元性に優れ、焼成後に優れた容量温度特性及び誘電特性を有するとともに、絶縁抵抗の寿命が高められた、耐還元性誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 (BaO)m・TiO2(ここで、mは、0.990〜0.994である)100重量%に対して、
23を0.6〜1.2重量%、
MgOを0.6〜1.5重量%、
BaSiO3を0.6〜2.0重量%、
WO3を0.02〜0.2重量%、
MnCO3を0.1〜0.4重量%、および
MoO3を0.02〜0.2重量%
で含む、耐還元性誘電体磁器組成物である。 (もっと読む)


【課題】 還元雰囲気中1180℃以下で焼成でき、比誘電率が2,400以上で、X5R特性を満たし、加速寿命も長い誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサを提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分としてBa、Ca、及びTiの酸化物を、副成分としてRe(ReはY、Dy、Sm、Yb及びHoからなる群から選択される少なくとも1種以上の希土類元素)の酸化物及びMgの酸化物を、含有してなる焼結体であって、前記主成分は、組成式(Ba1−xCa)TiO(x:0〜0.10、(Ba1−xCa)/Ti比:1.005〜1.030)で表される化合物であり、この化合物100mol部に対し、Re酸化物をRe換算にて0.5〜3.0mol部、Mg酸化物をMg換算にて0.5〜3.0mol部の割合で含み、さらに前記化合物100重量部に対して焼結助剤を0.2〜1.0重量部の割合で含有。 (もっと読む)


【課題】 所望の電気特性を有し、かつ、誘電率の向上された誘電体層を含有する積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体層を含有するセラミック電子部品であって、前記誘電体層が、チタン酸バリウムを含む主成分と、Mgの酸化物およびSiの酸化物を含む副成分とを含有し、前記誘電体層には、主としてMgとSiとを含む偏析相が形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。 (もっと読む)


【課題】 還元雰囲気中1200℃以下で焼成でき、比誘電率が2,400以上で、X5R特性を満たし、加速寿命も長い誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサを提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分としてBa、Ca、及びTiの酸化物を、副成分としてCr、Mg、及びMnの酸化物を、含有してなる焼結体であって、前記主成分は、組成式(Ba1−xCa)TiO(x:0.005〜0.10、(Ba1−xCa)/Ti比:1.003〜1.030)で表される化合物であり、この化合物100mol部に対し、Cr酸化物をCr換算にて0.03〜1.5mol部、Mg酸化物をMg換算にて0.1〜3.0mol部、Mn酸化物をMn換算にて0.01〜1.0mol部、の割合で含み、さらに前記化合物100重量部に対する焼結助剤を0.2〜1.2重量部の割合で含有。 (もっと読む)


【課題】 他の電気特性(たとえば、静電容量の温度特性、絶縁抵抗、絶縁抵抗の加速寿命、誘電損失)を悪化させることなく、比誘電率の向上が可能な誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、Rの酸化物(ただし、RはY,Dy,Tb,GdおよびHoから選択される少なくとも1種)を含む第4副成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記主成分の原料と、前記第4副成分の原料の少なくとも一部とを予め反応させ、反応済み原料を得る工程を有し、前記主成分の原料と予め反応させる前記第4副成分の原料が、Rの酸化物および/または焼成によりRの酸化物となる化合物を含有するゾル、あるいはアルコキシドを含有する原料であることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率10,000以上、焼結体の結晶粒径2μm以下、信頼性が高く、Y5V規格に規定する特性値を満足し、還元雰囲気中1250℃以下の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物;磁器コンデンサ;製造方法を提供。
【解決手段】 主成分として、Ba、Ca、Ti、及びZrの酸化物が、副成分として、Re(ReはY、Dy、Ho、Yb、及びCeからなる群から選択される少なくとも1種以上の希土類元素)、Mg、Mn、及びSiの酸化物が含有されている焼結体からなり、主成分が、組成式(Ba1−xCa(Ti1−yZr)O(mは1.00〜1.02、xは0.01〜0.10、yは0.07〜0.20)100mol部;副成分として、Re換算して0.3〜1.0mol部、Mg換算して0.05〜1.0mol部、Mn換算して0.1〜0.5mol部、Si換算して1.0〜2.0mol部含有する誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】AC電界に対する室温及び100℃近傍の比誘電率の変化が小さく、DC電界印加による比誘電率の減少率の小さい誘電体磁器を提供する。
【解決手段】誘電体セラミックスからなる誘電体磁器であって、前記誘電体セラミック結晶のc軸及びa軸の格子定数比c/aが1.004以上であり、比誘電率の最大温度が、0.15V/μm以下の測定交流電界において60〜125℃、且つ0.15V/μmより大きい測定交流電界において60℃未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高い誘電率と良好な温度特性を確保し、しかもIR温度依存性が改善された積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】 誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層2と、内部電極層3とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体10を有する積層セラミックコンデンサ1であって、前記誘電体磁器組成物が、複数の結晶粒2aを含んで構成され、前記結晶粒2aには、少なくとも前記Caが該結晶粒の表面から内部に向けて拡散したCa拡散領域25aが形成してあり、平均粒径D50の値を示す結晶粒2aを対象とした場合に、前記Ca拡散領域25aの平均深さTが、前記D50の10〜30%の範囲に制御されている誘電体磁器組成物で構成されている。
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