組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが正数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素である第１ビスマス層状化合物層８ａを有する誘電体薄膜８である。この第１ビスマス層状化合物層８ａと下部電極６との間には、第１ビスマス層状化合物層８ａの組成式よりもビスマスが過剰に含有してある第２ビスマス層状化合物層８ｂが形成してある。
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【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】組成式（ＢａＯ）_ｍ ＴｉＯ_２ で表され、式中のｍが１．０２〜１．０３であるチタン酸バリウムとガラス成分と添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、組成式（ＢａＯ）_ｍ’・ＴｉＯ_２ で表され、式中のモル比ｍ’がモル比ｍに対して、ｍ’＜ｍの関係を満足し、かつ窒素吸着法により測定した比表面積（ＳＳＡ）が１０〜５０ｍ^２ ／ｇのチタン酸バリウム原料とモル比ｍ’をｍ’＝ｍに調製可能な量のＢａ化合物を含む添加物成分原料とガラス成分原料とを準備する工程と、前記チタン酸バリウム原料に前記ガラス成分原料及び添加物成分原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

［（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）Ｏ］_ｍ［（Ｔｉ_ｙＺｒ_{１−ｙ−ｚ}Ｈｆ_ｚ）Ｏ_２］で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Ｍｎ酸化物および／またはＡｌ酸化物を含む第１副成分と、ガラス成分とを少なくとも含む誘電体磁器組成物である。主成分に含まれる式中の組成モル比を示す記号ｍ、ｘ、ｙおよびｚが、０．９０≦ｍ≦１．０４、好ましくは１．００５≦ｍ≦１．０２５、０．５≦ｘ＜１、好ましくは０．６≦ｘ≦０．９、０．０１≦ｙ≦０．１０、好ましくは０．０２≦ｙ≦０．０７、０＜ｚ≦０．２０、好ましくは０＜ｚ≦０．１０の関係にある。
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【課題】従来の黒色石英ガラスは添加物の影響やボイドの発生による光散乱、迷光、色むらがあり、光学分析用部材に用いた際に分析精度が低下するなどの問題があった。また、添加剤を入れることでさらに強度が下がり、わずかな振動や衝撃によって破損が発生するなどの問題があった。
【解決手段】コーディエライトを主成分とし、Ｍｎを除く遷移金属元素群を少なくとも１種類以上含み、且つ−３０℃〜６０℃の熱膨張係数が−０．２〜０．６×１０^−６／℃であることを特徴とするセラミックス焼結体とする。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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（Ｂａ_{ｌ−ｈ−ｉ−ｍ}Ｃａ_ｈＳｒ_ｉＧｄ_ｍ）_ｋ（Ｔｉ_{ｌ−ｙ−ｊ−ｎ}Ｚｒ_ｙＨｆ_ｊＭｇ_ｎ）Ｏ_３で表わされ、０．９９５≦ｋ≦１．０１５、０≦ｈ≦０．０３、０≦ｉ≦０．０３、０．０１５≦ｍ≦０．０３５、０≦ｙ＜０．０５、０≦ｊ＜０．０５、０≦（ｙ＋ｊ）＜０．０５および０．０１５≦ｎ≦０．０３５を満足する、チタン酸バリウム系複合酸化物からなる反応物を得、この反応物１００モルに対して、Ｍａ（Ｂａ等）を１．５モル未満、Ｍｂ（Ｍｎ等）を１．０モル未満、Ｍｃ（Ｓｉ等）を０．５モル以上かつ２．０モル以下それぞれ混合し、この混合物を焼成することによって、誘電体セラミックを得る。この誘電体セラミックは、耐湿性が良好で、ＪＩＳ規格のＦ特性およびＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性を満足し、比誘電率が９０００以上であり、高温での信頼性に優れている。
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【課題】 ３０〜５０程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．０９３≦ｂ<０．１２４、０．０９３<ｃ≦０．１５０且つ０．２５１≦ｄ<０．３６２。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（例えば高い誘電率、ＣＲ積、ＩＲ寿命など）や温度特性（例えばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＩＣＰ法により測定した不純物としてのＳｉＯ_２ の存在量が６０ｐｐｍ以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 ７０〜８５程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．３２５≦ｂ≦０．３７５、０．０５４≦ｃ<０．０８８且つ０．０６２<ｄ<０．１４３。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（例えば高い誘電率、ＣＲ積、ＩＲ寿命など）や温度特性（例えばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、Ｘ線源にＣｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折において、（１１１）面の回折ピークが観察され、該回折ピークの半値幅が０．２°以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 静電容量の温度特性に優れ、ＩＲ温度依存性が低く、信頼性の高いセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体層を有するセラミック電子部品であって、前記誘電体層が、組成式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ （ｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０）で表される主成分と、Ａｌの酸化物と、Ｓｉの酸化物またはＲの酸化物（ただし、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）と、を副成分として含有し、前記Ａｌの酸化物の少なくとも一部と、前記Ｓｉの酸化物または前記Ｒの酸化物の少なくとも一部とは、主として前記主成分から構成される主相とは異なる２次相が含まれていることを特徴とするセラミック電子部品。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（たとえばＤＣバイアス特性）や温度特性（たとえばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を湿式混合し、かさ密度が３ｇ／ｃｍ^３ 以下の仮焼前体を準備する工程と、準備された仮焼前体を、９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼済体を得る工程と、得られた仮焼済体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 高い誘電率と良好な温度特性を確保し、しかもＴＣバイアス特性が改善された積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】 誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層２と、内部電極層３とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体１０を有する積層セラミックコンデンサ１であって、前記誘電体磁器組成物が、実質的に主成分で構成されたコア２２ａの周囲に、副成分が主成分に拡散されたシェル２４ａを持つ複数の誘電体粒子２ａを有する誘電体磁器組成物であって、平均粒径の値を示す誘電体粒子を対象とした場合に、前記シェル２４ａの最大厚みｔ１と最小厚みｔ２の差（ｔ１−ｔ２）が、前記誘電体粒子の半径Ｒの６〜６０％に制御されている誘電体磁器組成物で構成されている積層セラミックコンデンサ１。
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【課題】比誘電率（εｒ）、Ｑｆ値が高い誘電体磁器組成物を提供することである。
【解決手段】（Ｂａ_１−ａＳｒ_ａ）_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０．２０≦ａ≦０．５０）の組成を有していることを特徴とする、誘電体磁器組成物を提供する。疑似タングステンブロンズ構造を有するＢａ_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４系の誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳｒで置換することによって、比較的高い比誘電率（εｒ）を維持しつつ、Ｑｆ値を著しく向上させ得る。また、Ｂａ_４Ｓｒ_２（Ｎｄ_１−ｂＹ_ｂ）_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０≦ｂ≦０．４０）の組成を有している誘電体磁器組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）以上のさらなる高温についてまで容量温度特性が平坦化され、しかも絶縁抵抗の劣化が抑制された誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、第１副成分(Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ及びＳｒの各酸化物の少なくとも１種）と、第２副成分（酸化シリコンを主成分）と、第３副成分（Ｖ，Ｍｏ及びＷの各酸化物の少なくとも１種）と、第４副成分（Ｓｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕの少なくとも１種の酸化物）と、第５副成分（ＣａＺｒＯ_３ またはＣａＯ＋ＺｒＯ_２ ）と、第７副成分（Ｍｎ及びＣｒの一方または双方の酸化物）と、を有する誘電体磁器組成物からなること。 （もっと読む）

【課題】 中間域のε_ｒを発現でき、ε_ｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτ_ｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０且つ０．１７０<ｄ<０．３４６。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】耐湿負荷特性が良好であり、しかも所望の高比誘電率と静電容量の温度特性を有し、破壊電界強度も高く、信頼性の優れた誘電体セラミック、及び該誘電体セラミックを使用して製造された中高圧用途向けのセラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】セラミック焼結体１が、１００（Ｂａ_1-xＣａ_x）（Ｔｉ_1-yＺｒ_y）Ｏ_３＋ａＲｅＯ_1.5＋ｂＭＯ_ｚ（ＲｅはＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹの中から選択された少なくとも１種、ＭはＮｉ、Ｆｅ、及びＺｎの中から選択された少なくとも１種、ｚは元素Ｍの価数との関係で一義的に決定される正数）で表される組成を有している。また、ｘ、ｙ、ａ、ｂはそれぞれ０＜ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２５、０．１≦ａ≦４、０．０１≦ｂ≦５である。
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【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗を維持でき、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、ＩＲ温度依存性が改善された誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ、ＳｒＯの内少なくとも１種を含む第１副成分と、酸化珪素が主成分の第２副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ 及びＷＯ_３ の内少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｒ１の酸化物（但し、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕの内少なくとも１種）の第４副成分と、ＣａＺｒＯ_３ 又はＣａＯ＋ＺｒＯ_２ の第５副成分と、Ａの酸化物（但し、Ａは６配位時有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍ陽イオン元素群の内少なくとも１種）の第８副成分を含む誘電体磁器組成物で、前記主成分１００モルに対する前記第８副成分の比率が０〜４モル（０と４モルを除く。Ａ酸化物に換算した値）である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、８Ｒ特性を満足し、ＩＲ温度依存性が改善された耐還元性誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式｛（Ｍｅ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ ・（Ｚｒ_１−ｙ Ｔｉ_ｙ ）Ｏ_２ で示され、該組成式中の元素名を示す記号Ｍｅが、Ｓｒ、Ｍｇ及びＢａの少なくとも一つであり、該組成式中の組成モル比を示す記号ｍ、ｘ及びｙが、０．９９５≦ｍ≦１．０２０、０＜ｘ≦０．１５、０≦ｙ≦１．００の関係にある誘電体酸化物を含む主成分１００モルに、希土類酸化物０．１〜６モルを含む第１副成分と、Ｍｇ酸化物１〜５モルを含む第２副成分と、Ｍｎ酸化物０．１〜２．５モルを含む第３副成分とを、含む誘電体磁器組成物であって、第４副成分として、Ａ酸化物（但し、Ａは６配位時の有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍの陽イオン元素群から選択される少なくとも１種）をさらに添加する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）