【課題】１ＧＨｚ以上の高周波帯域において、誘電正接の小さいポリテトラフルオロエチレン絶縁体を提供する。
【解決手段】ポリテトラフルオロエチレンを含有する原料に、照射線量１００Ｇｙ〜３０００Ｇｙのγ線を照射する工程を含む製造方法により、ポリテトラフルオロエチレン絶縁体を製造する。当該製造方法では、γ線を照射した原料を、所望の形状に加工してポリテトラフルオロエチレン絶縁体を得る工程が行われることが好ましく、前記ポリテトラフルオロエチレン絶縁体を焼成する工程がさらに行われることがより好ましい。 （もっと読む）