本発明は、再結晶立方体集合組織を有するニッケル系の半製品及びその製造方法及びその使用に関する。この半製品は、例えば高度に微細構造の配向を有する物理化学的被覆用の基材として使用可能である。このような基材は、例えば高温超電導の分野で使用されるようなセラミック被覆用の支持体として適している。この使用は、この場合、超伝導磁石、変圧器、モーター、断層撮影装置又は超伝導電流路において行われる。本発明の根底をなす課題は、高度に微細構造の配向を有する物理化学的被覆用の基材として使用する際に改善された使用特性を有するニッケル系の半製品を開発することであった。特に、前記半製品は、高度で熱安定性の立方体集合組織を有しかつ粒界溝の形成は十分に抑制されるのが好ましい。前記課題は、半製品の材料がマイクロアロイの範囲内でＡｇ添加物を含有し、Ａｇ添加物が最大で０．３Ａｔｏｍ％であることにより解決される。この半製品は、例えば高度に微細構造の配向を有する物理化学的被覆用の基材として使用可能である。
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コーティングされるべき基板(１１６)上に照射するイオン源(１３２)或いは(２１８)が、ＭＯＣＶＤ、ＰＶＤ或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
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