【課題】厚膜の酸化物超電導層の場合でも、多結晶体部分の形成が抑制されて、充分な超電導特性を発揮することができる酸化物超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法を用いた酸化物超電導線材の製造方法であって、金属結晶粒の集合組織である配向金属基板３１表面の金属結晶面が、配向金属基板表面に対して所定の角度で傾斜している配向金属基板を作製する配向金属基板作製工程と、作製された配向金属基板上に中間層を形成する中間層形成工程と、中間層上に塗布熱分解法を用いて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成工程とを備えている酸化物超電導線材の製造方法。塗布熱分解法を用いて形成された酸化物超電導層が、配向金属基板表面にある金属結晶粒の金属結晶面が配向金属基板表面に対して所定の角度で傾斜している配向金属基板上に設けられている酸化物超電導線材。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォーマに生じる渦電流損失を抑制し、交流損失の低減と過電流時の温度上昇抑制を図ることができる超電導ケーブルを提供することが可能な技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、フォーマとその外周に設けられる超電導層と該超電導層の外周に形成される電気絶縁層とを有する超電導ケーブルであり、超電導層が複数本の超電導線材をフォーマの外周に螺旋状に巻き付けた構造であり、フォーマが抵抗皮膜で被覆された常電導材料からなる金属線を複数本撚り合わせた構造の超電導ケーブルに適用されるフォーマであって、抵抗皮膜の７７Ｋにおける体積抵抗率の値が金属線の体積抵抗率の値の１０^４倍以上であり、かつ、この抵抗皮膜の体積抵抗率値が１０^９Ω・ｃｍ以下であって、隣接素線の接触長の中心角θが、５゜≦θ≦３０゜の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】２軸結晶配向したＣｕ層上にＮｉ又はＮｉ合金を成膜する方法として、めっきによる方法が知られている。結晶配向性の高いＮｉ層を生成するには、一般に低電流密度（１〜４Ａ／ｄｍ^２）でめっきを行う必要があるが、低電流密度ではめっき処理に要する時間が長くなって生産性が低下し、特に、長尺の金属基板をリールｔｏリールで生産する場合には、積層材である金属基板の過熱が起こり得るという問題点があった。そのため、結晶配向性を保持しつつ、電流密度を上げて生産効率を向上させることができる作製条件の確立が望まれていた。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明のエピタキシャル成長用基板は、２軸結晶配向したＣｕ層と、前記Ｃｕ層上に設けられた保護層とを有するエピタキシャル成長用基板であって、前記保護層のめっき歪εが１５×１０^−６以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、対向ターゲット方式のスパッタ装置により酸化物超電導導体に安定化層を形成する技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属製のテープ状の基材の上方に中間層と酸化物超電導層と安定化層を積層した構造のテープ状の酸化物超電導導体を製造するに際し、基材上方に中間層と酸化物超電導層を形成したテープ状の積層体を用意し、該積層体の幅よりも大きい間隔をあけて対向配置された対になるターゲット間に発生させたプラズマによりターゲットの構成粒子を発生させる対向ターゲットスパッタ装置を用い、対向配置されたターゲット間のプラズマ生成領域の外側に沿ってテープ状の積層体を移送させながらスパッタを行い、プラズマからターゲットの対向方向と直交する方向に放出させたターゲットの構成粒子をテープ状の積層体に堆積させて酸化物超電導層の上方と側方に安定化層を形成する。 （もっと読む）

【課題】中間層が高度に配向しており、さらに表面が平滑な中間層の上に超電導層を設けても、中間層と酸化物超電導層とが強く密着し磁場応用においても剥離が発生せず、酸化物超電導層の高配向性を維持した超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜線材を提供することができる酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属基板とその上に設けられた中間層とを備える結晶配向基材上に酸化物超電導層が設けられている酸化物超電導薄膜線材であって、酸化物超電導層と中間層のキャップ層との間に、酸化物超電導層とキャップ層との反応、もしくは酸化物超電導層とキャップ層との間における金属元素の拡散、による界面層が形成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材。また、界面層の厚みが、１００ｎｍ以下である酸化物超電導薄膜線材。さらに、キャップ層の表面粗さＲａが、１０ｎｍ以下である酸化物超電導薄膜線材。 （もっと読む）

【課題】金属基板上に、表面粗度が充分に小さく、結晶配向性と平滑性を兼ね備えた中間層を有する中間層付基材を作製し、超電導特性に優れた超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属結晶粒を有する金属基板上に、結晶配向性を有する中間層が形成されている超電導薄膜線材用の中間層付基材であって、中間層の表面粗度Ｒｚが、５０ｎｍ以下である超電導薄膜線材用の中間層付基材。金属結晶粒を有する金属基板上に、結晶配向性を有する中間層が形成されている超電導薄膜線材用の中間層付基材の製造方法であって、金属基板にＡｒイオンビームを照射するＡｒイオンビーム照射工程と、Ａｒイオンビームが照射された金属基板上に、大気に触れさせることなく中間層を形成する中間層形成工程とが設けられている超電導薄膜線材用の中間層付基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層を基材で覆って密閉構造とした酸化物超電導線材およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と中間層と酸化物超電導層と導電性の保護層をこの順に積層してなる酸化物超電導積層体が、保護層から基材まで達する溝加工部を介し前記保護層を内側にして二つ折りに折り曲げられ、２つの酸化物超電導積層体がそれらの折り曲げ部分を帯状の導体の幅方向端部側に位置させてこれら２つの酸化物超電導積層体により前記導体の全周がはんだ層を介し囲まれてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層の成膜時には制御し難い人工ピンを酸化物超電導層の形成後に導入することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材の上方に中間層と酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体において前記酸化物超電導層に人工ピンを導入する方法であって、成膜後の酸化物超電導層に加熱急冷処理を施した後、該酸化物超電導層上に人工ピン材料の薄膜を形成し、次いで加熱処理することにより前記薄膜中の人工ピン材料を前記酸化物超電導層に拡散させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短時間で特性の測定が可能な超電導線材の特性検査方法、及び特性検査装置を提供する。
【解決手段】超電導線材の幅方向における臨界電流密度の分布と、当該超電導線材の通電損失との相関データを求めておき、測定対象である超電導線材の通電損失を測定し、測定した通電損失を上記相関データに参照して、測定対象である線材の臨界電流密度の分布を求める。測定対象は、基板150の上に、希土類元素を含む酸化物からなる超電導相の薄膜110が成膜された薄膜線材10が挙げられる。通電損失は比較的短時間で測定可能であるため、薄膜線材10の通電損失を測定し、かつ上記相関データを利用することで、薄膜線材10における幅方向の臨界電流密度の分布を短時間で求められる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドロップレットが少なく、表面凹凸の少ない膜を基材上に形成する技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、ターゲットから構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させるパルス状レーザー光を出射するアブレーション用第１のレーザー光源と、第１のレーザー光源がターゲットの表面にレーザー光を集光照射した領域とその領域周辺をスポット加熱する連続波レーザー光を出射する第２のレーザー光源とを処理容器の外部に備えた成膜装置を用い、第２のレーザー光源からターゲットの表面に処理容器に設けた照射窓を介し連続波レーザー光を集光照射してアブーション領域とその周辺領域のターゲット表面の温度を上昇させ、第１のレーザー光源からアブレーション領域に処理容器に設けた照射窓を介しパルス状のレーザー光を集光照射して基材上に成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な配向性を維持したまま高い強度を有する膜形成用配向基板および超電導線材ならびに膜形成用配向基板の製造方法を提供する。
【解決手段】膜形成用配向基板５Ａは、無配向で非磁性の第１の金属層１と、その第１の金属層１に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層２とを備えている。第１の金属層１は第２の金属層２より高い強度を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材の構成元素の拡散防止機能と、その上に積層される層の結晶配向性を整える機能を一層で実現可能なベッド層を備えた超電導導体用基材の提供を目的とする。また、本発明は、ベッド層を短時間に形成することができ、製造効率の向上を図ることができる超電導導体用基材の製造方法の提供を目的とする。さらに、本発明は、前記本発明の超電導導体用基材を用いた超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体用基材１０は、基材１１と、該基材１１の上方に設けられたベッド層１２とを備えている。ベッド層１２は、Ａｌ_２Ｏ_３および希土類酸化物から構成され、希土類酸化物の含有率が、基材との界面側（下面１２ａ側）から表面側（上面１２ｂ側）に向うにつれて厚さ方向で徐々に増加する傾斜組成部分を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性が良好なＣｅＯ_２のキャップ層を備えた酸化物超電導導体用基材を低コストで製造できる製造方法、及びこれを用いて製造された酸化物超電導導体用基材並びに酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、ＹＡＧレーザ光の第３高調波（波長３５５ｎｍ）、第４高調波（波長２６６ｎｍ）、第５高調波（波長２１３ｎｍ）のいずれかを、ターゲット上でのエネルギー密度が６Ｊ／ｃｍ^２以上となるように該ターゲット上に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、前記構成粒子を基材の上方に形成された中間層の表面上に堆積させて、該中間層上にＣｅＯ_２のキャップ層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】幅広の金属基板上に中間層が形成された幅広の金属基材であっても、金属基板と中間層の熱収縮差による反りの発生を抑制することができ、その後の酸化物超電導層形成工程、安定化層形成工程、薄膜超電導線材細線化工程における不良の発生が抑制できる薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有している薄膜超電導線材用金属基材であって、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の表面に配向性のセラミックス層を形成する工程と、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を形成する工程と、これらの工程の間に介在して、配向性のセラミックス層または非配向性のセラミックス層が形成された金属基板を成膜装置から取り出して冷却する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】基材上に均一な超電導膜を形成して超電導特性の優れた酸化物超電導線材を製造すること。
【解決手段】超電導原料溶液２０が収容されたＵ字状管３０内を、テープ状の基材１０を移動させることにより、基材１０の表面に超電導原料溶液２０を付着させる工程において、Ｕ字状管３０の内壁に、Ｕ字状管３０の内壁と離間させつつ基材１０の移動方向に案内するガイド部４０を配置し、このガイド部４０によって、基材１０を、Ｕ字状管３０中を基材１０の移動方向に案内して移動させる。 （もっと読む）

【課題】各層の成膜過程や熱処理工程で膜剥離が生じ難く、また、基板を構成する元素の拡散が抑制され、さらに、拡散防止層の成膜時間を短縮することが可能な酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材は、金属からなる基材本体２と、該基材本体２上に設けられた拡散防止層３と、該拡散防止層３上に設けられた酸化物超電導層とを備え、拡散防止層３は、基材本体２の直上に設けられた第１拡散防止層３１と、該第１拡散防止層３１上に設けられたアモルファス構造を主体とする第２拡散防止層３２とを有し、第１拡散防止層３１に、第１拡散防止層３１に含まれる元素と、基材本体２に含まれる元素との反応生成物または錯体の少なくともいずれかが混在され、前記第２拡散防止層の厚さが３０ｎｍ以上である構造を有する。 （もっと読む）

【課題】所望の薄い膜厚で超電導特性の優れたテープ状ＲＥ系酸化物超電導線材を製造すること。
【解決手段】金属基板上に形成された中間層上にフッ素を含む超電導原料溶液を塗布した後、仮焼成熱処理を施すことにより前記中間層上に超電導層の前駆体を形成し、次いで、超電導層生成のために本焼成熱処理を前記前駆体に施すことにより、ＲＥＢａ_ｙＣｕ_３Ｏ_ｚ系（ＲＥは、Ｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ及びＨｏから選択された少なくとも１種以上の元素を示す）の酸化物超電導線材を製造する。この本焼成熱処理において、所定の本焼成温度に到達するまでの昇温中に、前駆体に水蒸気ガスを供給し、次いで、前記本焼成温度で所定時間の本焼成熱処理を行った後で、且つ、本焼性熱処理が施された前駆体を冷却する前に、水蒸気ガスの供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】原料収率の向上を図るとともに、超電導用基材の表面への超電導層の成膜を安定して行うことができるＣＶＤ装置、及び、超電導線材の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料ガスを噴出する原料ガス噴出部４１と、テープ状基材Ｔを支持するとともに伝熱によりテープ状基材Ｔを加熱するサセプタ３３と、サセプタ３３を加熱するヒータ３５と、原料ガス噴出部４１から噴出された原料ガスをテープ状基材Ｔの表面に案内する延長ノズル４３とを備え、テープ状基材Ｔの幅方向における両側にダミーテープＳが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属テープを溶接により一体化した基材を備えていても溶接部分の上に設けた酸化物超電導層に抵抗部分が少なく、優れた超電導特性を発揮する長尺の酸化物超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属テープの端部同士を突き合わせ溶接して一体化した基材と、該基材の上方に設けられた酸化物超電導層と保護層とを備えた酸化物超電導導体であって、前記金属テープの端部同士の突き合わせ溶接部分表面が段差２０ｎｍ以下の平坦面とされたことを特徴とする。 （もっと読む）