【課題】既存のＣＴＦＦ法による超伝導芯線材の製造方法を改良して、高い臨界電流及び磁気場特性を有する長線化されたＭｇＢ_２超伝導芯線材を安価に得る。
【解決手段】ＭｇＢ_２超伝導芯線材の製造方法は、帯状の金属被覆材を連続的に供給し、U字管状に成形する段階；ＭｇＢ_２超伝導体粉末を上記U字管状の被覆材の内部に充填する段階；上記超伝導体粉末の充填された被覆材をO字状の管材に成形した後、上記O字状の管材の継ぎ目を溶接する段階；上記溶接された管材を圧延または引抜きする段階及び安定化材の機能を付与するために上記管材の表面に伝導性物質をメッキする段階を含んで構成される。継ぎ目を溶接することにより超伝導体粉末の変質することなく伝導体のメッキが可能になることにより、安定化材を管材の内部に挿入する工程や管材成形工程が必要なくなる。 （もっと読む）

【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｒガス含有量を低減した超電導線材、その製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】超電導線のコア部とするための原料粉末５０と、真空環境下で前記原料粉末５０が充填された管体１２と、を有する。管体１２は真空封止されている。前記コア部は、前記管体に真空封止され状態で管体とともに線引き加工され超電導線材となる。金属製の充填用管体１１は、安定化層として機能する外側管２０と、遮断層として機能する内側管３０とを重ねて構成される二重構造の管となっている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単独添加したＭｇＢ_２超電導体あるいはベンゼン等の芳香族炭化水素単独添加したＭｇＢ_２超電導体の臨界電流密度（Ｊｃ）よりも高い臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＭｇＢ_２超電導体の製造方法およびＭｇＢ_２超電導体を提供する。
【解決手段】Ｍｇ粉末またはＭｇＨ_２粉末とＢ粉末との混合物を加圧成形して熱処理するＭｇＢ_２超伝導体の製造方法において、混合物に芳香族炭化水素とＳｉＣを添加する。芳香族炭化水素は、エチルトルエンであり、ＳｉＣは平均粒径が10〜30ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】数km級の長尺のMgB₂超電導線材を提供する。
【解決手段】本発明のMgB₂超電導線材は、中心のMgB₂超電導体と、その外側の第１の金属層と、その外側の第２の金属層と、を有し、第１の金属層と第２の金属層の金属の結晶粒のサイズは、両者の界面に近づくに従って小さくなっている。第１及び第２の金属層の金属の結晶粒のサイズは、金属層の厚さ方向の中央部において、最大となる。 （もっと読む）

低温冷却ＨＴＳケーブルが、その低温冷却ＨＴＳケーブルがない場合に生じることになる最大故障電流を有する電力公益事業電力格子内に含まれるように構成されている。この低温冷却ＨＴＳケーブルは、液体冷媒を循環させるための連続液体低温冷媒経路を備えている。ＨＴＳワイヤの連続可撓性構造が、最大故障電流を少なくとも１０％減衰させるインピーダンス特性を有している。ＨＴＳワイヤのこの連続可撓性構造は、最大故障状態が発生している間、ＨＴＳワイヤ内の最大温度上昇が、液体冷媒中のガス気泡の形成を防止するだけの十分に小さい状態で低温冷却ＨＴＳケーブルを動作させることができるように構成されている。
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【課題】真空ポンプを用いないプロセスでＭｇＢ２薄膜合成を行う手法を提供する。
【解決手段】超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ_２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ_２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ_２Ｏ_４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、加熱炉によって粉状出発材を加熱して溶融し、反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻す。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、実用的な超電導線材とするために必要な、長尺線材化，高Ｊｃ化を、同時に達成することのできるＭｇＢ₂超電導線材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明のＭｇＢ₂ 超電導線材の製造方法は、第１のＭｇ一次粒子とＢ一次粒子とを混合し、第１のＭｇ一次粒子の表面に、Ｂ一次粒子を付着・反応させ、第１のＭｇ一次粒子の表面にＭｇＢ₄又はＭｇＢ₇を生成させ、表面にＭｇＢ₄又はＭｇＢ₇が生成した第１のＭｇ一次粒子と、表面にＭｇＢ₄又はＭｇＢ₇が生成した第１のＭｇ一次粒子より粒子径が大きい第２のＭｇ一次粒子とを混合し、第２のＭｇ一次粒子の表面に、表面にＭｇＢ₄ 又は
ＭｇＢ₇ が生成した第１のＭｇ一次粒子を付着・反応させ、第２のＭｇ一次粒子の表面にＭｇＢ₂ を生成させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】二ホウ化マグネシウム（＝ＭｇＢ_２）を含有する超伝導素子を提供すること。
【解決手段】この超電導素子は、金属マトリックス（２）に密閉されかつ少なくとも１つの高導電性オーム素子（４）も有する５〜５００ミクロンの大きさの少なくとも１つの超伝導フィラメント（１）を備え、超伝導フィラメントは、マトリックス（２）及び導電性オーム素子（４）から保護金属層（３）によって分離され、超伝導フィラメントは、ホウ素（Ｂ）粉末及びマグネシウム（Ｍｇ）粉末と第１の添加剤としての炭化ホウ素（＝Ｂ_４Ｃ）粉末との間の反応によって形成され、１つ又は複数の追加の炭素含有粉末添加剤が、Ｍｇ、Ｂ及びＢ_４Ｃを含む粉末混合物の反応で存在することを特徴とする。ＭｇＢ_２に対する粉末混合物の反応は、５００〜７６０℃の温度で行われ、７６０℃以下の温度で臨界電流密度Ｊ_ｃが最大になる。 （もっと読む）

【課題】良好な超伝導臨界電流を有しながら加工性をも向上したＭｇＢ_２超伝導線材とその製造法を提供する。
【解決手段】マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）―ボロン（Ｂ）合金層と二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超伝導層とが積層されてなることを特徴とする構成とする。製造方法は、マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）合金層と接触する形でボロン（Ｂ）層を積層してなる複合体を構成し、これを線状あるいはテープ状に加工した後、マグネシウム（Ｍｇ）とボロン（Ｂ）の拡散反応温度で熱処理することによって二硼化マグネシウム（ＭｇＢ２）超伝導層を生成させる。 （もっと読む）

【課題】ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末及びその製作方法を提供する。
【解決手段】ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末（９８）を製作する方法を提供する。本方法は、２ホウ化マグネシウム粉末を含む第１相の複数の粒子のうちの少なくとも１つの上に高分子前駆体をコートする工程を含み、該高分子前駆体は第２相を産生させる化学元素を含む。この第２相は、ホウ化物、窒化物、炭化物、酸化物、オキシホウ化物、オキシ窒化物、オキシ炭化物、あるいはこれらの組み合わせのうちの１つまたは幾つかを含む。本方法はさらに、該２ホウ化マグネシウム粉末の複数の粒子の少なくとも１つの上に第２相コーティングを形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末からなるワイヤを提供する。
【解決手段】金属マトリックス（１０２）を有するワイヤ（９８）を提供する。ワイヤ（９８）はさらに、該金属マトリックス（１０２）内に配置された複数のフィラメント（１００）であって、そのうちの少なくとも１つがドープされた２ホウ化マグネシウム粉末を含む複数のフィラメント（１００）を含む。このドープされた２ホウ化マグネシウム粉末は、化学式ＭｇＢ_２−ｘＳ_ｘ（ここで、ｘは原子百分率を表し、またＳは炭素、ホウ素、窒素、酸素、あるいはこれらの組み合わせを表す）を有する複数の２ホウ化マグネシウム粒子を有する第１相を含む。この粉末はさらに、複数の２ホウ化マグネシウム粒子のそれぞれを囲繞する第２相であって、炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物、オキシ窒化物、オキシホウ化物、オキシ炭化物、あるいはこれらの組み合わせを含む第２相を含む。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型銅酸化物において、１００Ｋを超える高温超電導体が見出され
ているが、まだ、室温超伝導体は見出されていない。
【解決手段】化学式ＬａＦｅＯＰｈ（Ｐｈは、Ｐ、Ａｓ及びＳｂのうちの少なくとも１種
）で示され、ＺｒＣｕＳｉＡｓ型（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）の結晶構造を有する化合物で超
伝導転移を見出した。ＬａＦｅＯＰｈは、一般化学式ＬｎＭＯＰｎ（Ｍは遷移金属）で示
される遷移金属イオンを骨格構造に有する層状構造化合物群の一員である。ここで、Ｌｎ
は、Ｙ及び希土類金属元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ、Ｙｂ，Ｌｕ）の少なくとも一種であり、Ｍは，遷移金属元素（Ｆｅ，
Ｒｕ，Ｏｓ）の少なくとも一種であり、Ｐｎは、プニクタイド元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ
）の少なくとも一種である。この化合物はＦイオンの添加などにより、キャリア数を変化
させ、転移温度を制御できる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超電導薄膜を提供すること。
【解決手段】高真空中において、マグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気を基板法線軸に対して傾いた方向から供給することで、ＭｇＢ_２の柱状結晶粒を基板法線に対して傾けて成長させる。基板に対するマグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気の供給角度を制御することで、粒界の傾き角度が互いに異なるＭｇＢ_２柱状結晶粒を含んだ複数の層から成るＭｇＢ_２超電導薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】合金超電導材料（NbTi等）だけでなく、機械的歪みに弱い化合物超電導材料（Nb₃Sn、Nb₃Al、Bi系超電導材料、Y系超電導材料、MgB₂系超電導材料）等からなる超電導体をアルミニウム等の金属材料で被覆した複合超電導体を提供する。
【解決手段】超電導体と、１つ又は２つ以上の部材が超電導体を被覆するように接合され、かつ部材の少なくとも１つがアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材とを有する複合超電導体である。金属部材は、溝部を有する第一部材と、該溝部上部に嵌合される第二部材からなり、第一部材と第二部材が接合されて形成される中空部に超電導体が配置されている。 （もっと読む）

【課題】不可逆磁場Ｂｉｒ、臨界電流密度及び強度の高いＭｇＢ₂線材の提供。
【解決手段】ＭｇＢ₂を含む金属間化合物及びカーボンファイバーを含有する超伝導体。
カーボンファイバーの平均繊維径は１〜５００ｎｍが好ましく、特に磁束線ピン止めが効率的に起こる１０〜１００ｎｍが好ましい。また、カーボンファイバーは、２３００℃以上で黒鉛化処理され、嵩密度を０．１ｇ／ｃｍ³に圧縮したときの比抵抗が０．０３０Ωｃｍ以下のものが好ましい。カーボンファイバーの含有量は、ＭｇＢ₂を含む金属間化合物の量を１００質量部とした場合、５〜７５質量部が好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い超電導性能を有し、長尺化が可能なＭｇＢ_２超電導線材を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明はいわゆるパウダーインチューブ法によるＭｇＢ_２超電導線材の製造方法において、粉体内に金属芯を配置して減面加工すること、並びに、加工前の金属芯又は金属管に、超電導体内に導入させるべき成分の薄膜層を予め設けておき、減面加工の工程における強力な力を利用して当該成分を超電導体内に分散させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度（Ｊ_ｃ）を従来製品に比べ飛躍的に向上させることのできる超伝導ＭｇＢ_２膜の電気メッキによる作製法を提供すること。
【解決手段】Ｍｇ（マグネシウム）とＢ（ホウ素）を含む加熱溶融したメッキ浴に、Ｍｇ（ＯＨ）_２（水酸化マグネシウム）が、メッキ浴に含まれるＭｇのモル比を１とした時、０．０１５〜０．０２０のモル比で添加され、メッキ浴に導電体基板を陰極として挿入し、陽極との間に直流電圧をかけ、導電体基板上にＭｇＢ_２（二ホウ化マグネシウム）膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】超伝導特性及び熱伝導特性に優れた、ＭｇＢ₂／Ａｌ超伝導押出し材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＢ₂粒子粉体を加圧成形してプリフォームを形成し、前記プリフォームにアルミニウム溶湯を加圧浸透させてＭｇＢ₂／Ａｌ複合材料からなるビレットを形成し、前記ビレットを押出し成形することを特徴とする、ＭｇＢ₂／Ａｌ超伝導押出し材の製造方法。および、これにより得られるＭｇＢ₂／Ａｌ超伝導押出し材。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、全く新しい原理に基づく高密度設計を可能とするＭｇＢ₂超伝導体
線材の作製方法を提供しようというものである。
【解決手段】 マグネシウム５−５０原子％、残部鉄からなる鉄―マグネシウム（Ｆｅ−Ｍｇ）合金層とボロン層とからなる層状複合体を作製し、この層状複合体を６００−８００℃の温度で熱処理し、合金層中のＭｇをボロン層に拡散させて、前記ボロン層とマグネシウムとを反応させて二硼化マグネシウムを生成し、ボロン層を二硼化マグネシウム（ＭｇＢ₂）超伝導層へと転換することによって上記課題を達成する。 （もっと読む）