【課題】 実用化に向け、十分大きな超電導電流を流せる、ＭｇＢ_２超電導体とその線材を提供する。
【解決手段】
超電導体ＭｇＢ_２の原料となるマグネシウム（Ｍｇ）あるいは水素化マグネシウム（ＭｇＨ_２）とホウ素（Ｂ）との混合体粉末にベンゼンなどの芳香族炭化水素を添加することにより、高い超電導臨界電流密度（Ｊ_ｃ）を得る。 （もっと読む）

本発明は、ナノファイバーの糸、リボン、およびシートに関するものであって；前記糸、リボン、およびシートを製造する方法；そして前記糸、リボン、およびシートの応用を対象とする。幾つかの実施形態において、ナノチューブの糸、リボンおよびシートはカーボンナノチューブを含む。詳細には、本発明のその様なカーボンナノチューブは以下の様な独特な特性および特性の組み合わせを提供する。例えば、極度の靭性、ノットにおける破損に対する耐性、高レベルの電気および熱伝導性、可逆的に出現する高いエネルギー吸収性、破損歪みが同様な靭性を有するその他のファイバーにおける数％と比較して１３％まであること、クリープに対する耐性が非常に高いこと、空気中で４５０℃にて１時間加熱した場合でさえも強度を保持すること、および空気中で照射された時でさえも非常に高い放射線耐性およびＵＶ耐性などである。
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【課題】 不純物相、異常粒成長、あるいは、マクロ亀裂に起因する電気伝導度の低下を抑制することが可能な導電性多結晶体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 目的とする組成を有する導電性材料が得られるように配合された粉末を成形し、成形体を得る成形工程と、前記成形体を所定の温度Ｔ_１において、所定の時間ｔ_１加熱する第１熱処理工程と、前記成形体を所定の温度Ｔ_２において、所定の時間ｔ_２加熱する第２熱処理工程とを備えた導電性多結晶体の製造方法。但し、前記温度Ｔ_１は、異常粒成長が生じうる温度以上、前記導電性材料の融点未満の温度。前記時間ｔ_１は、平均粒径の５倍以上の粒径を持つ粒子の生成が認められるまでの時間未満の時間。前記温度Ｔ_２は、緻密化が生じる温度以上、異常粒成長が生じうる温度未満の温度。前記時間ｔ_２は、緻密化させるのに十分な時間以上の時間。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの酸化を引き起こしにくい緩衝膜を用いてより超伝導性のよいホウ化マグネシウムの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】サファイア（酸化アルミニウム）からなり主表面がＣ面とされた基板１０１の上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）などのガリウムと窒素とから構成された緩衝層１０２が形成され、緩衝層１０２の上に接してホウ化マグネシウムからなる超伝導体層１０３が形成されている。緩衝層１０２は、膜厚２５０ｎｍ程度に形成され、超伝導体層１０３は、膜厚１００〜１２０ｎｍ程度に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 低温で二ホウ化マグネシウムを形成することにより、微細加工を安定して行うことを可能にする二ホウ化マグネシウムの製造方法を提供する。
【解決手段】 マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板１１とを反応室２内に配置し、反応室２内で、マグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、基板１１上に二ホウ化マグネシウムを形成する。そして、この二ホウ化マグネシウムを形成する際の基板温度を１００℃以下とし、マグネシウムの蒸着量とホウ素の蒸着量との比を、１．０〜９．０の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】 超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料を提供する。
【解決手段】 Co₂Si型結晶構造をとり、化学組成が式MIrP（M=Ti,Zr,Nb又はMoから選択した１以上の元素）で表わされる化合物であることを特徴とする燐化合物。（但し、各成分M：Ir：Pの比率は基本的には1：1：1であるが、格子欠陥等により組成変動がある場合に、その組成変動範囲を含む） （もっと読む）

【課題】電気抵抗に影響を与え、超伝導現象発現に寄与する線材に於いて、芯線の熱膨張を抑えられる程の厚みをもった被覆する物質を低温状態で被覆することにより、電気抵抗への影響及び及び超電導を発現する方法、装置及びそれを用いた線材を提供する。
【解決手段】芯線（MgB2)を冷却14し、420℃以上の融点を持つ被覆する物質（Fe)を溶融状態で偏心無きように被覆8し、芯線の内部まで温度上昇する前に急冷9し、芯線の温度上昇に伴う膨張と、被覆材の冷却による収縮とにより内圧力を生じさせ、また伸線方向にも圧力をかけることが出来る。用いる芯線を作る方法として、フィルムに散布し丸める手段4、また静電付着させる手段7、そのまま被覆材に押し出す手段が可能で、また線材に高周波、レーザーによる熱処理、表面処理を施すことができる。 （もっと読む）

【課題】二硼化マグネシウムを用いた永久電流スイッチにおいて、コンパクトかつ熱的な安定性に優れるスイッチ用超電導積層体とその製造方法を提供すること。
【解決手段】二硼化マグネシウム超電導体とそれを被覆する金属被覆を含み、該超電導体の一部が露出した平角又はテープ状超電導線材を、複数個積層して、隣接する線材の露出した上記超電導体が接続されるように積層・一体化した超電導積層体を回路内に備えたことを特徴とする永久電流スイッチ。 （もっと読む）

【課題】 金属シースＭｇＢ_２超電導線材において、超電導コア部の高密度化による臨界電流密度向上と長尺線材化を同時に実現する。
【解決手段】 金属シースの内面に拡散硬化層を形成して内面の硬さを外面の硬さよりも高くし、その状態でシース内にＭｇＢ_２超電導体、更に必要に応じてインジウム、銅、錫等の臨界密度向上物質を充填して伸線加工を施し、超電導線材を製造する。金属シースには鋼のように靭性があるものを用いる。長尺化してもシースが断線せず、超電導コア部を高密度化することができる。 （もっと読む）

【課題】 交流損失の抑制が可能であり、小さい曲率半径を有するコイルにも対応でき、製造が容易な並列化超電導導体を得、超電導コイルとしては、電流容量の増大の容易化や励磁突入時や突発短絡事故時等における過電流による導体の焼損防止等を図る。
【解決手段】 超電導導体は、電気的絶縁材料または高抵抗材料を被覆した酸化物超電導線材２０ａを、導体幅方向に複数本並列配置したものとし、超電導コイルは、前記超電導導体を、単独で単層もしくは複数層巻回するか、あるいは、超電導導体を複数個、コイル軸方向に並列配置してなる二次並列導体とし、この二次並列導体を単層もしくは複数層巻回し、かつ、超電導コイルの構造もしくは配置上、超電導コイルによって生じる磁場分布によって超電導導体の各酸化物超電導線材間に作用する垂直鎖交磁束が、互いに打ち消し合うように作用する部分を、少なくとも一部に有してなるものとする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、二ホウ化マグネシウム超電導線と同種又は異種の超電導線との超電導接続により優れた通電特性及び安定性を有する二ホウ化マグネシウム超電導線の接続構造及びその接続方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、超電導被覆層によって覆われている二ホウ化マグネシウム超電導線と他の超電導線とが前記超電導被覆層を介して互いに接してはんだを充填させた接続金属管内にて接続されていることを特徴とする二ホウ化マグネシウム超電導線の接続構造にある。 （もっと読む）

【課題】 超伝導特性に優れたナノ微粒子含有ＭｇＢ_２系高温超伝導体を提供する。
【解決手段】 ＭｇＢ_２からなるマトリックス中に、Ｍｇを除く金属、合金、金属及び／又は合金の酸化物、Ｍｇを除く金属及び／又は合金とＭｇとからなる化合物、並びにＭｇを除く金属及び／又は合金とＢとからなる化合物の群から選ばれる１種又は２種以上の粒子径５〜２５ｎｍのナノ微粒子が含有され、１５〜２５Ｋの自己磁場下における臨界電流密度が３×１０^５〜５×１０^５Ａ／ｃｍ^２であり、超伝導開始温度が４０Ｋ以上である。 （もっと読む）

【課題】 臨界電流密度を向上することのできる焼結体、焼結体の製造方法、超電導線材、超電導機器、および超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の焼結体の製造方法は、ＭｇとＢとを含む焼結体の製造方法であって、Ｍｇ粉末３ａ，３ｂとＢ粉末２とを互いに混合せずに配置する配置工程と、配置工程の後、Ｍｇ粉末３ａ，３ｂおよびＢ粉末２を熱処理する熱処理工程とを備えている。また、熱処理工程の温度は６５１℃以上１１０７℃以下である。 （もっと読む）

【課題】 実用線材とするために必要な、高臨界電流密度化、長尺線材化、高安定化を同時に達成することのできるＭｇＢ₂超電導線材とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも２種の異なる種類の金属管を組み合わせた複合金属管から形成される複合シース中にニホウ化マグネシウムが内包された複合シースニホウ化マグネシウム超電導線材であって、加工度９９％以上になるまで減面加工されたものである。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なＭｇＢ₂薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２が結晶面（００１）のサファイアであり、ＡｌＮバッファ層１６が結晶面（００１）であり、ＭｇＢ₂薄膜１７が結晶面（００１）であることを特徴とするＭｇＢ₂薄膜１７の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板２上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するにあたり、反応室１内にＮ₂ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室１内に備えるＡｌターゲット１５に電圧を印加して基板２上にＡｌＮバッファ層１６を形成するバッファ層形成ステップと、反応室１内に備えるＭｇターゲット３およびＢターゲット４に電圧を印加してＡｌＮバッファ層１６上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するＭｇＢ₂薄膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

【目的】 ナノサイズの超伝導細線を簡便に作製する。
【構成】 炭素原子を含むタングステン有機金属ガスを収束イオンビームまたは電子線により分解し、タングステン金属を直接基板上に堆積させ、描画するとともに、その際に、タングステン有機金属ガス中の炭素原子をタングステン金属に含有させる。 （もっと読む）

【課題】大型の超伝導成形体を製造でき、製造後の圧延、押出し、穴あけ、切削などの機械加工が可能な高体積率のＭｇＢ_２を含む超伝導体を提供する。
【解決手段】ＭｇＢ_２粒子を０．１〜１０ＭＰａの圧カで加圧成形しＭｇＢ_２の体積率が２０〜５０％のプリフォームを形成し、このプリフォームに１２７３Ｋ以下のアルミニウム溶湯を５〜１０ＭＰａで加圧浸透させると同時に底面から急冷してＭｇＢ_２粒子−Ａｌ複合材料を製造する。 （もっと読む）

二ホウ化マグネシウムからなる超電導相を備える超電導複合ワイヤは、導電性金属からなるコア（１）、それぞれが二ホウ化マグネシウムのコア（５）を有し前記導電性金属のコア（１）の周囲に配置されている複数のフィラメント（３）、前記複数のフィラメントを囲んでいる収容および機械的補強のための外側の金属鞘（４）、および二ホウ化マグネシウムと化学的に適合でき、かつ最大９８０℃まで前記導電性金属のコア（１）の導電性金属の前記フィラメント（３）への拡散に対して障壁として機能できる金属からなる少なくとも１つの層（２、２ａ、２ｂ）を有し、前記少なくとも１つの層が、ａ）前記導電性金属のコアのコーティング（２）として、さらには／あるいはｂ）前記フィラメント（３）のコーティング（２ａ）として、さらには／あるいはｃ）前記フィラメント（３）の前記二ホウ化マグネシウムのコア（５）のコーティング（２ｂ）として、塗布されている。
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【課題】実際の電気、電子デバイスへの適用のための超電導性を示すダイヤモンド薄膜を提供する。
【解決手段】化学気相成長法により形成された超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜。このホウ素ドープダイヤモンド薄膜は、磁化−磁場曲線より典型的な第二種超電導体の性質を示した。 （もっと読む）

電流を送信するシステムが開示されている。該システムは、発電機、超伝導ケーブル、及び少なくとも１つの負荷を含む。該システムはさらに、終端、冷蔵システム、及び終端及び冷蔵システムの内の１つを含む。低温保持装置は、少なくとも一つのマンドレル、及び、例えば超伝導導体を編み込むことにより完成し得る磁気的に分離された超伝導導体を含む少なくとも１つの電気相をもつ。
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