【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】有毒な重金属を含まず、高いＴｃを有するＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ−Ｆ系酸化物超伝導体の薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ_２Ｃａ_ｎ−１Ｃｕ_ｎＯ_２ｎ（Ｏ_１−ｘＦ_ｘ）２（ただし、ｎは２≦ｎ≦５の整数、ｘは０＜ｘ＜１の数）からなる酸化物超伝導薄膜１０であって、ＳｒＴｉＯ_３又はＭｇＯの単結晶基板１７の（１００）面３１、（０１０）面又は（００１）面のうちのいずれかの面上に形成された酸化物超電導薄膜。ＳｒＴｉＯ_３又はＭｇＯの単結晶基板の（１００）面、（０１０）面又は（００１）面のうちのいずれかの面上にＢａ_２Ｃａ_ｎ−１Ｃｕ_ｎＯ_２ｎ（Ｏ_１−ｘＦ_ｘ）２（ただし、ｎは２≦ｎ≦５の整数、ｘは０＜ｘ＜１の数）からなる酸化物超伝導薄膜を、パルスレーザーデポジション法により成膜する酸化物超伝導薄膜の製造方法であって、前記単結晶基板の基板温度が７００℃〜７７０℃で成膜する成膜工程を含む。 （もっと読む）

【課題】単層でも臨界電流特性を良好にする。
【解決手段】基材上に形成され、ＲＥ系超電導体２０を主成分として含有する酸化物超電導薄膜であって、ＲＥ系超電導体２０は、ＣｕＯ_２面２２と、ＣｕＯ単鎖２４と、ＣｕＯ重鎖２６とを有し、さらに、ＣｕＯ単鎖２４とＣｕＯ重鎖２６が隣り合う異種鎖部と、ＣｕＯ単鎖２４同士又はＣｕＯ重鎖２６同士が隣り合う同種鎖部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】原料の種類が増えるのを抑制しつつ臨界電流特性を良好にする。
【解決手段】基材と、前記基材上に形成され、希土類元素とＣｕＯ鎖とＣｕＯ_２面とを含んで構成されたＲＥ系超電導体ユニットを複数含有する超電導層と、複数ある前記ＣｕＯ鎖のうち、前記超電導層と前記超電導層の前記基材側に隣接する層との界面周囲の前記ＲＥ系超電導体ユニット中に存在し、前記ＲＥ系超電導体ユニットの格子定数により定まるＣｕＯ鎖の長さよりも１．２倍以上２倍以下積層方向に長いＣｕＯ鎖と、前記長いＣｕＯ鎖に対して積層方向に隣接して存在する刃状転位と、を備える酸化物超電導薄膜。 （もっと読む）

【課題】臨界温度が高い超伝導材料及びその製造方法を創案する。
【解決手段】本発明の超伝導材料は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ₂Ｏ₃ １０〜３０％、ＳｒＯ ２０〜５０％、ＣａＯ １０〜３０％、ＣｕＯ ２０〜４５％、ＳｉＯ₂＋ＴｉＯ₂ ０．１〜１０％を含有することを特徴とする。ここで、「ＳｉＯ₂＋ＴｉＯ₂」は、ＳｉＯ₂とＴｉＯ₂の合量を指す。 （もっと読む）

【課題】
マイクロクラックの発生を抑制して300nm以上の膜厚を持つサファイア基板上に超電導材料の成膜を可能にする及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程（1）、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程（2）、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程（3）、超電導物質への変換を行う本焼成工程（4）を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみｃ軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】印加される磁場の方向や膜の部位によらずに、量子化磁束の動きが効果的に抑制された酸化物超電導膜の製造方法の提供。
【解決手段】レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を、ターゲットに同時又は交互に照射することで、基材上に常電導体を含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁束揺らぎに対して敏感な超伝導回路に使用される超伝導配線では、磁束雑音を抑制することが必要であり、超伝導磁気センサの測定雑音限界の改善や超伝導量子ビット回路における磁束雑音を抑制し、超伝導量子ビット回路の量子コヒーレンス向上に寄与する超伝導配線、磁束雑音の抑制方法、磁束センサ及び超伝導量子ビット回路を提供する。
【解決手段】超伝導配線の超伝導体層１０１の上下表面及び端面を磁気秩序層として機能する反強磁性絶縁体層１０２または強磁性絶縁体層で被覆した。 （もっと読む）

【課題】従来の欠点を克服した超電導素子及び超電導素子を作成するプロセスを提供する。
【解決手段】理論密度の値の少なくとも８５％に等しい密度を有する超電導材料を含む溝によって形成された少なくとも１つの超電導軌道を含む、非超電導材料で作られた剛体の支持材を含む超電導素子、及び該素子を作成するプロセスについて説明する。本発明はまた、超電導素子の考えられる用途にも関し、上記超電導素子を含む超電導デバイスにも関する。 （もっと読む）

【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板１０１の上に、電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。次に、微細パターン１０２の上に、室温においてアモルファス状炭素１０３及びアモルファス状珪素１０４を蒸着する（図１（ｂ））。その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。次に、微細パターン１０６を設けた基板１０１の上にホウ化マグネシウム１０５を蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１の超音波洗浄を行うことにより微細パターン１０６をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】 多層カーボンナノチューブと少なくとも同程度の高温で超伝導状態となることができる超伝導膜構造及びその作製方法の提供。
【解決手段】超伝導膜構造は、基板上に複数の単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜が形成されてなる超伝導膜構造であって、前記単層カーボンナノチューブが、前記単層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型単層カーボンナノチューブである。 （もっと読む）

【課題】クエンチ時、特に、局所的なクエンチ時の耐久性に優れた酸化物超電導体通電素子を提供する。
【解決手段】酸化物超電導体と、該酸化物超電導体の両端に電気的に接合された電極端子と、該酸化物超電導体に導電性樹脂により接着された支持体とから少なくとも構成されてなることを特徴とする酸化物超電導体通電素子である。 （もっと読む）

【課題】高い臨界面電流を実現できる超伝導酸化物薄膜、および大きな耐電力性を持った超伝導部材の提供。
【解決手段】サファイアＲ面基板上に形成された、酸化物からなるバッファ層と、さらにその上に形成された超電導超伝導層とを具備してなる超電導超伝導部材であって、前記酸化物の酸素原子同士の最近接酸素間の距離と、酸化物の粒塊の粒径が特定された超電導超伝導部材とその製造方法。この超伝導部材は超伝導フィルターの部材として用いることができる。 （もっと読む）

結晶製品は、単結晶セラミック繊維、テープ、またはリボンを含む。該繊維、テープ、またはリボンは、その長さに沿って少なくとも１つの結晶学的ファセットを有し、その長さは、概して、少なくとも１メートルである。サファイアの場合、ファセットは、Ｒ面、Ｍ面、Ｃ面、またはＡ面ファセットである。超電導製品を含むエピタキシャル製品は、該繊維、テープ、またはリボン上に形成することができる。
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本発明は、ＲＥ＝希土類元素またはイットリウムであるＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７型のナノ構造超伝導材料に関し、このナノ構造超伝導材料は、２つの相、即ち、ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７の主要マトリックスと、ＢａＺｒＯ_３、ＣｅＯ_２、ＢａＳｎＯ_３、ＢａＣｅＯ_３、ＳｒＲｕＯ_３、Ｌａ_１−ｘＭ_ｘＭｎＯ_３（Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）、ＲＥ_２Ｏ_３および／またはＲＥ_２Ｃｕ_２Ｏ_５）の二次相とを備える。二次相は、高密度のナノメートル欠陥を提供し、それにより渦を効果的に固定する能力が増大するようにしてマトリックス内に無作為に分布している。本発明の別の主題は、これら超伝導材料を製造するための方法である。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｊｃが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。
【解決手段】
一般式ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_Ｘ（式中、ＲＥはＰｒ及びＣｅを除く希土類元素のうち、少なくとも１種の元素であり、６．５＜Ｘ＜７．１である）で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Ｂａを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】大量生産に適したネオジムガレート単結晶上に望ましい配向を有する希土類１２３型超電導膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ネオジムガレート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向した酸化セリウム（セリア）膜を作製し、その上に希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属有機化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を塗布し、加熱処理することを特徴とするｃ軸配向性をもつ希土類１２３型超電導体多層膜の製造方法。
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【課題】高いＱ値の高温超伝導フィルタを実現可能とするＮｄＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇やＬａＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇などの薄膜が、ＭｇＯ基板の上に形成できるようにする。
【解決手段】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板１０１を用意する。ＭｇＯ基板１０１は、主表面が（１００）面とされたものであり、また、一辺が２０ｍｍ程度の矩形の基板である。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板１０１が６００℃〜６４０℃の範囲に加熱された状態とし、例えば、ネオジウム（Ｎｄ），バリウム（Ｂａ），及び銅（Ｃｕ）を蒸発源（蒸着源）とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の主表面にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導体薄膜１０２が膜厚５００ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板を効率よく均一に加熱し、ＭｇＯ基板の上に酸化物超伝導体薄膜を均一に形成することができる酸化物超伝導体薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ基板１０１の裏面に、膜厚３００ｎｍ程度のカーボン層１０２を形成した後、分子線エピタキシー装置に搬入し、カーボン層を輻射加熱することでＭｇＯ基板を均一に加熱し、ＭｇＯ基板の主表面にＮｄ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜１０４を形成する。次に、カーボン層を除去してＭｇＯ基板の裏面を露出させる。このＭｇＯ基板を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板に形成されている酸化物超伝導体薄膜を輻射加熱することでＭｇＯ基板を加熱し、ＭｇＯ基板の裏面に、Ｓｍ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜を、膜厚６００ｎｍ程度に形成する。こうして、ＭｇＯ基板の両面に酸化物超伝導体薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板の上に、バリウムと銅とを含む酸化物からなる高品質な高温超伝導薄膜が、再現性よく形成できるようにする。
【解決手段】Ｃａの含有量が１４７ｐｐｍ程度のＭｇＯ基板１０１を用意し、これを酸素雰囲気１０２の中に配置された状態とし、加えて、ＭｇＯ基板１０１に１０００℃・１２時間の加熱処理が行われた状態とする。このことにより、ＭｇＯ基板１０１の表面に形成されている劣化層が除去された状態とする。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、基板温度を７００℃とした状態とし、Ｎｄ，Ｂａ，及びＣｕを蒸発源とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の上にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導薄膜１０３が膜厚２５０ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）