【課題】Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜の結晶配向性を制御でき、優れたデバイスとなる超伝導体薄膜の提供を目的とする。
【解決手段】基板材料の表面に形成したＬａＮｉＯ_３薄膜層と、当該ＬａＮｉＯ_３薄膜層の上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度の特性に優れ、かつ剥離を防止した超電導体厚膜を容易に製造することができる酸化物超電導体厚膜の製造方法、酸化物超電導体厚膜、これを用いた磁場遮蔽体及び超電導限流器を提供する。
【解決手段】基体１の表面を粗面化し、当該表面に、実質的に（Ｂｉ、Ｐｂ）_２＋ａＳｒ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｚ（ただし、０＜ａ＜０．５）の組成を有する酸化物超電導体厚膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と配向性を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】０．６〜数μｍ程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、塗布熱分解法における仮焼成工程の前に、ＫｒＣｌ紫外エキシマランプ光を１５ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で照射することにより、仮焼成工程で得られる仮焼成膜の元素分布の均一性が著しく向上し、その後の本焼成工程を経て、大きい膜厚と配向性をもつ超電導膜が製造できる。 （もっと読む）

【解決課題】従来以上の配向性を有し、かつ高強度のエピタキシャル薄膜形成用の配向基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属層と、前記金属層の少なくとも一方の面に接合された銀層とからなるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板であって、前記銀層は、結晶軸のずれ角Δφが、Δφ≦９°である｛１００｝〈００１〉立方体集合組織を有するエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板である。この配向金属基板は、含有酸素濃度が３０〜２００ｐｐｍの銀板を、熱間加工・熱処理する配向化処理を行い、金属板と配向化処理した銀板とを表面活性化接合することにより製造できる。 （もっと読む）

【解決課題】従来以上の配向性を有し、かつ、高い強度を有するエピタキシャル薄膜形成用の配向基板、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属層と、前記金属層の少なくとも一方の面に接合された銅層とからなるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板であって、前記銅層は、結晶軸のずれ角ΔφがΔφ≦６°である｛１００｝〈００１〉立方体集合組織を有するエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板である。この配向金属基板は、銅層の表面上に、形成されるエピタキシャル薄膜に対する中間層を備え、前記中間層は、ニッケル、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、希土類酸化物、酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、チタン酸ストロンチウム・バリウム（ＳＢＴＯ）、窒化チタン、銀、パラジウム、金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、白金からなる層を少なくとも１層備えるものとすることがより好ましい。 （もっと読む）

高温超電導材料を含有する高通電の可撓性導体を提供する。高温超電導（ＨＴＳ）テープを含有する高電流の小型の可撓性導体及びそれを製造する方法を説明する。ＨＴＳテープは、スタック内に配列され、複数のスタックは、上部構造を形成するために配列され、かつ上部構造は、ＨＴＳケーブルを得るようにケーブル軸の周りで捻られる。本発明のＨＴＳケーブルは、消磁するために磁場を発生するのに使用するケーブル、及び高電流送電又は分配用途のような多数の用途で利用することができる。 （もっと読む）