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Fターム[5G321CA05]の内容

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Fターム[5G321CA05]に分類される特許

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【課題】線材の全体の厚さを必要以上に厚くすることなく、過電流が流れた場合に、線材の焼損を効果的に防ぐことができる酸化物超電導積層体、及び酸化物超電導線材を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物超電導積層体10は、金属基材本体1と中間層2と酸化物超電導層3と保護層4とMgB層5とをこの順に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】原料コストを抑制しつつ、磁場中の臨界電流特性をさらに向上する。
【解決手段】1層あたりの熱容量が0.4J/h以上2.0J/h以下となるように、長尺状の基材11を加熱する加熱工程と、CVD法を用いて加熱状態の基材11上に酸化物超電導体を成膜する成膜工程と、基材11を冷却する冷却工程とを順に繰り返して、多層膜の超電導層13を形成する。 (もっと読む)


【課題】優れた超電導特性を示す超電導薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料1は、基板10と、当該基板10上に形成された超電導膜30とを備える。超電導膜30は、MOD法により形成されたMOD層31と、MOD層31上に気相法により形成された気相合成層32とを含んでいる。このように、MOD層31を先に形成してから、その後に気相合成層32を形成することになるので、MOD層31を形成する工程での熱処理(MOD法における熱処理)により気相合成層32の特性が劣化することを防止できる。 (もっと読む)


【課題】厚膜の酸化物超電導薄膜であっても、Jcが低下せず、膜厚に応じた高いIcの酸化物超電導薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物溶液の塗布、仮焼熱処理、本焼熱処理を行い、所定厚みの酸化物超電導層を作製する酸化物超電導層作製工程と、ナノ微粒子の溶液を用いて酸化物超電導層の上にナノ微粒子を付着させるナノ微粒子付着工程とを、交互に行い、ナノ微粒子が所定間隔で層状に設けられた酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法。有機金属化合物溶液の塗布、仮焼熱処理を行い、所定厚みの仮焼膜を作製する仮焼膜作製工程と、ナノ微粒子の溶液を用いて仮焼膜の上にナノ微粒子を付着させるナノ微粒子付着工程とを、交互に行い、その後、本焼熱処理を施し、ナノ微粒子が所定間隔で層状に設けられた酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板上に厚膜化されながら、全体に亘ってc軸配向した酸化物超電導層が形成されて、充分に高いIcを有する酸化物超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層を形成する酸化物超電導線材の製造方法であって、本焼成最適温度がそれぞれ異なる複数の仮焼膜を、本焼成最適温度の低い仮焼膜から、順次、基板上に積層して仮焼膜積層体を形成した後、仮焼膜積層体を本焼成する酸化物超電導線材の製造方法。基板上に形成される仮焼膜は、3層以上である。各仮焼膜から形成される酸化物超電導層の厚みは、0.05〜1.0μmである。 (もっと読む)


【課題】厚膜化してもJcの低下を招くことがなく、充分に高いIcを有する酸化物超電導層が基材上に形成された酸化物超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層を形成する酸化物超電導線材の製造方法であって、本焼成最適温度がそれぞれ異なる複数の酸化物超電導層を、本焼成最適温度の高い酸化物超電導層から、順次、基板上に積層する酸化物超電導線材の製造方法。基板上に形成される酸化物超電導層は3層以上であり、各酸化物超電導層の厚みは0.05〜1.0μmである酸化物超電導線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】厚膜化してもJcの低下を招くことがなく、厚膜化に比例して、充分に高いIcを有する酸化物超電導層が基板上に形成された酸化物超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層を形成する酸化物超電導線材の製造方法であって、有機金属化合物の塗膜を形成する塗膜形成工程と、塗膜に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を形成する仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて、本焼膜を形成する本焼熱処理工程とを備え、塗膜形成工程、仮焼熱処理工程および本焼熱処理工程を繰り返して、本焼膜を複数層積層させることにより、積層界面に欠陥層が設けられた酸化物超電導層を形成する酸化物超電導線材の製造方法。塗布熱分解法により本焼膜が欠陥層を介して複数層積層されている酸化物超電導線材。 (もっと読む)


【課題】 金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と高い配向性及び高い臨界電流を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 0.6〜数μm程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、複数のRE123に対応する組成の仮焼成膜の間に、少なくとも1つのRE’123に対応する組成の仮焼成膜が介在した多層構造からなる仮焼成膜を経由することにより、大きい膜厚、高い配向性及び1cm幅あたり200Aを超える高い臨界電流をもつ、多数の積層欠陥を含む超電導膜が製造され、さらに、塗布熱分解法における仮焼成工程の一部を特定の波長と強度を持った紫外エキシマランプ光の照射処理で置き換えることにより、全工程を熱エネルギーで行った場合より大きい膜厚で高い配向性および高い臨界電流が得られる。 (もっと読む)


【課題】厚膜の酸化物超電導薄膜を形成させて、充分に高いJcやIcを示す超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】配向金属基材上に中間層が形成された配向金属基板の上に、金属有機化合物を原料として、塗布熱分解法により酸化物超電導薄膜を形成して、酸化物超電導薄膜線材を製造する酸化物超電導薄膜線材の製造方法であって、配向金属基板の中間層の上に、YBCO超電導薄膜を成膜するYBCO超電導薄膜成膜工程と、YBCO超電導薄膜の上に、HoBCO超電導薄膜を成膜するHoBCO超電導薄膜成膜工程とを有している酸化物超電導薄膜線材の製造方法。配向金属基材上に中間層が形成された配向金属基板の上に、膜厚0.3μm以下のYBCO超電導薄膜が形成され、さらに、YBCO超電導薄膜の上に、HoBCO超電導薄膜が形成されている酸化物超電導薄膜線材。 (もっと読む)


【課題】反りの発生が抑制されて、酸化物超電導層を成膜する際に、膜厚ムラの発生がなく、Icのバラツキが抑制され、また、ハンドリングなどに問題が生じない薄膜超電導線材用金属基材とその製造方法、および薄膜超電導線材を提供する。
【解決手段】金属基板の両面に中間層が形成されており、幅方向における最大変形高さDの、幅Lに対する比率D/Lが、0.02以下である薄膜超電導線材用金属基材。金属基板の両面に、同時に中間層を形成して製造する薄膜超電導線材用金属基材の製造方法。金属基板を、互いに平行に配置された2つのターゲットの間に、ターゲットと90度回転した位置に配置して、オフアクシススパッタ法を用いて、金属基板の両面に中間層を成膜する薄膜超電導線材用金属基材の製造方法。薄膜超電導線材用金属基材の、片面または両面のセラミックス層の上に、酸化物超電導層が形成されている薄膜超電導線材。 (もっと読む)


【課題】FF−MOD法を用いて、厚膜化することにより、充分に高いIcの酸化物超電導薄膜を安定して提供する。
【解決手段】MOD法を用いて、フッ素を含まない有機金属化合物溶液の塗膜の仮焼熱処理、および仮焼膜の本焼熱処理により酸化物超電導層を作製する工程と、酸化物超電導層の上に非超電導物質からなる層を形成する工程と、非超電導物質からなる層上に、MOD法を用いて酸化物超電導層を作製すると共に、酸化物超電導層作製時の加熱により、非超電導物質と酸化物超電導層とを化学反応させて、ピン止め点として機能する反応生成物が分散した分散層を作製する工程とを備えているREBCO系酸化物超電導薄膜の製造方法。MOD法を用いて作製される酸化物超電導層を複数層備え、各酸化物超電導層の間に、ピン止め点として機能する非超電導物質が分散された分散層が形成されているREBCO系酸化物超電導薄膜。 (もっと読む)


【課題】MOD法を用いて作製された仮焼膜を積層して厚膜の仮焼膜とした後、本焼熱処理を行って酸化物超電導薄膜を作製するに際して、結晶配向性が揃った高いIcを有する酸化物超電導薄膜を作製することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】金属有機化合物を原料とし塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、基板10上に金属有機化合物の溶液を塗布して塗膜を作製し、その後塗膜を仮焼熱処理温度にて熱処理して金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して仮焼膜20を作製することを繰り返して積層仮焼膜層を作製する積層仮焼膜層作製工程と、積層仮焼膜層の最上層の上に積層仮焼膜層の結晶化を抑制する結晶化抑制層30を作製する結晶化抑制層作製工程と、本焼熱処理温度にて熱処理して積層仮焼膜層を結晶化させて酸化物超電導薄膜を作製する酸化物超電導薄膜作製工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】REBa2Cu37-x相中にRE2BaCuO5相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材で、パルス着磁法で繰り返し着磁しても、強い磁場で、対称的に均一な磁場を有する超伝導バルク磁石にできる酸化物超伝導バルク磁石部材を提供する。
【解決手段】REBa2Cu37-x(REは、希土類元素又はそれらの組み合わせ。xは、酸素欠損量であり、0<x≦0.2である。)相中にRE2BaCuO5相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材であって、前記酸化物バルク体が、複数で入れ子に配置され、前記入れ子に配置された各酸化物バルク体間に、0.01mm以上0.49mm以下の隙間を有し、前記隙間の少なくとも一部に樹脂、グリース又は半田を有することを特徴とする酸化物超伝導バルク磁石部材である。 (もっと読む)


【課題】REBa2Cu37-x相中にRE2BaCuO5相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材で、容易に製造でき、パルス着磁法で繰り返し着磁しても又は、超伝導発電機や超伝導モーター等の回転機の磁石に使用したとしても、強い磁場で、対称的に均一な磁場を安定に得ることができる酸化物超伝導バルク磁石部材を提供する。
【解決手段】REBa2Cu37-x(REは、希土類元素又はそれらの組み合わせ。xは、酸素欠損量であり、0<x≦0.2である。)相中にRE2BaCuO5相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超電導バルク磁石部材であって、前記酸化物バルク体が、リングを含む形状を組み合せた入れ子状に配置され、前記入れ子状に配置された隣り合う酸化物バルク体の隙間をつなぐ継ぎ目により少なくとも1ヶ所でつながっていることを特徴とする酸化物超伝導バルク磁石部材である。 (もっと読む)


ELR材料からなる極めて低い抵抗(「ELR」)フィルムの動作特性は、ELRフィルムの適切な表面上に変性材料を堆積して、変性ELRフィルムを生成することによって改善することができる。本発明のいくつかの実施態様では、ELRフィルムは、「c−フィルム」の形をとることができる。そのような動作特性は、高温でのELR状態での動作、追加の電荷の保持、改善された磁気的性質による動作、改善された機械的性質による動作、またはその他の改善された動作特性を含むことができる。本発明のいくつかの実施態様では、ELR材料は、YBCOなどであるがこれに限定されない混合原子価酸化銅ペロブスカイトである。本発明のいくつかの実施態様では、変性材料は、クロムなどであるがこれに限定することのない、酸素に容易に結合する伝導性材料である。
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【課題】超電導線材の歩留まりを向上させることができるとともに、製造コストを低減することができる超電導線材および超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板と、金属基板上に設置された中間層と、中間層上に設置された超電導層と、超電導層上に設置された第1の銀安定化層と、金属基板と中間層と超電導層と第1の銀安定化層とを含む積層体の外表面の少なくとも一部を覆う第2の銀安定化層とを備えた超電導線材とその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】効率よく熱処理を行なう薄膜超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜超電導線材10の超電導層5に含まれる酸素の量を高精度に制御するために当該薄膜超電導線材10を、酸素雰囲気中で熱処理を行なう。このとき、当該熱処理を行なう温度において酸素と反応したり加熱によって変形することのないスペーサ20を薄膜超電導線材10と重畳したものをコイル状に巻回する。 (もっと読む)


【課題】交流損失におけるヒステリシス損失及び結合損失の両方を低減させることが可能な酸化物超電導導体を提供する。
【解決手段】円筒形状の導電性基体と、前記導電性基体の円周面上に形成された酸化物超電導体層と、前記酸化物超電導体層の厚さ方向に貫通するようにして複数のらせん状のスリットが形成され、前記酸化物超電導体層を前記厚さ方向において分断するようにして酸化物超電導導体を構成する。 (もっと読む)


【課題】加熱処理時に超電導導体がコイル径方向に変位することを抑制して、その最内周及び最外周での変位量を低減しつつ、十分な超電導導体間の接着強度を実現し、かつ絶縁特性、長期信頼性に優れた超電導コイルの製造方法を提供する。
【解決手段】超電導導体の外周を第1のプリプレグ絶縁部材で被覆して巻回するとともに、前記第1のプリプレグ絶縁部材で被覆された前記超電導導体の上面及び下面を、第2のプリプレグ絶縁部材で被覆する。なお、超電導導体が複数層を形成する場合は、前記第2のプリプレグ絶縁部材で層間を分離する。次いで、加熱処理を実施して、前記第1のプリプレグ絶縁部材及び前記第2のプリプレグ絶縁部材中の樹脂を前記超電導導体の隙間に充填する。なお、加熱処理中の、前記第2のプリプレグ絶縁部材の剛性は前記第1のプリプレグ絶縁部材の剛性よりも小さくする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化し、製造も容易とすることができる薄膜積層体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材11上に、イオンビームアシスト法(IBAD法)により形成された面内方向の結晶軸分散の半値幅(Δφ)において11〜13°の範囲に結晶配向可能な材料からなる中間層12と、該中間層上に成膜法により直に形成された蛍石系結晶構造およびそれに準じる結晶構造とされて100nm以上の膜厚で前記中間層の結晶配向性よりも優れたΔφ=8゜以下、300nm以上の膜厚でΔφ=5゜以下となる結晶配向性とされたキャップ層13とが積層されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


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