説明

Fターム[5G321CA13]の内容

超電導導体及びその製造方法 (9,304) | 超電導導体の構造 (3,937) | 超電導体の内部構造 (841) | ピンニングセンタ (54)

Fターム[5G321CA13]に分類される特許

21 - 40 / 54


【課題】、安定した超電導特性を得ることができ製造工程が容易な超電導電流リードを提供すること。
【解決手段】極低温容器内に設置された超電導装置に対して、室温環境下に設置された電源から電力を供給する超電導電流リード100において、一端部151に電極端子131が接続されたリード本体152の一面152aに形成された溝部154内に、複数の超電導線材160がそれぞれ並行に配置されている。超電導線材160は、ReBaCu系超電材料からなる酸化物超電導層163を備え、酸化物超電導層163中には、Y,Zr、Sn、Ti、Ceのうち少なくとも一つを含む50nm以下の酸化物粒子が磁束ピンニング点として分散している。複数の超電導線材160は、電極端子131に対して、切り欠き部135内に、支持部材152とともに嵌合した状態で電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】湾曲した状態で超電導装置に用いても磁場の影響を受けにくく、安定した超電導特性を得ること。
【解決手段】極低温容器内に設置された超電導装置に対して、室温環境下に設置された電源から電力を供給する超電導電流リード100において、両端のそれぞれに一対の電極131、133が接合されたリード本体152の表裏面152a、152b上に、複数の超電導線材160をそれぞれ並行に配置されている。超電導線材160は、両端部が電極131、133にそれぞれ接続されている。超電導線材160は、ReBaCu系超電材料からなる酸化物超電導層163を備え、酸化物超電導層163中には、Y,Zr、Sn、Ti、Ceのうち少なくとも一つを含む50nm以下の酸化物粒子が磁束ピンニング点として分散している。 (もっと読む)


【課題】磁化及び交流損失が極めて小さいREBCO超電導線材を製造し得る、直流磁場中で磁化が極めて小さいか、又は、変動磁場中のピンニングロスが極めて小さい電磁特性を有するREBCO超電導体を提供する。
【解決手段】超電導現象が発現する温度域において、外部磁場が増加から減少に、又は、減少から増加に転じて形成される磁化曲線が、磁化ゼロ近傍で、磁化変化率が略ゼロで推移する磁化ゼロ区域を有することを特徴とするRE1Ba2Cu37-z超電導体。ここで、REは、Y、Gd、Nd、Sm、Eu、Yb、Pr、及び、Hoの1種又は2種以上。 (もっと読む)


【課題】従来と比較して磁場角度依存性に優れた超電導体を提供する。
【解決手段】基板上にGdBaCu7-δ(δ=0〜1)の超電導層を形成した酸化物超電導線材において、前記超電導層の内部に、柱状又は棒状のBaZrOが、超電導結晶のc軸に対して傾き、かつ、隣接する長手方向がねじれる状態で分散していることを特徴とする酸化物超電導線材。 (もっと読む)


【課題】REBa2Cu37-x相中にRE2BaCuO5相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材で、容易に製造でき、パルス着磁法で繰り返し着磁しても又は、超伝導発電機や超伝導モーター等の回転機の磁石に使用したとしても、強い磁場で、対称的に均一な磁場を安定に得ることができる酸化物超伝導バルク磁石部材を提供する。
【解決手段】REBa2Cu37-x(REは、希土類元素又はそれらの組み合わせ。xは、酸素欠損量であり、0<x≦0.2である。)相中にRE2BaCuO5相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超電導バルク磁石部材であって、前記酸化物バルク体が、リングを含む形状を組み合せた入れ子状に配置され、前記入れ子状に配置された隣り合う酸化物バルク体の隙間をつなぐ継ぎ目により少なくとも1ヶ所でつながっていることを特徴とする酸化物超伝導バルク磁石部材である。 (もっと読む)


【課題】REBa2Cu37-x相中にRE2BaCuO5相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材で、パルス着磁法で繰り返し着磁しても、強い磁場で、対称的に均一な磁場を有する超伝導バルク磁石にできる酸化物超伝導バルク磁石部材を提供する。
【解決手段】REBa2Cu37-x(REは、希土類元素又はそれらの組み合わせ。xは、酸素欠損量であり、0<x≦0.2である。)相中にRE2BaCuO5相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材であって、前記酸化物バルク体が、複数で入れ子に配置され、前記入れ子に配置された各酸化物バルク体間に、0.01mm以上0.49mm以下の隙間を有し、前記隙間の少なくとも一部に樹脂、グリース又は半田を有することを特徴とする酸化物超伝導バルク磁石部材である。 (もっと読む)


【課題】ベッド層をMOD法により形成することによりIBAD層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板1上に、酸素雰囲気中でMOD−CZO層2、IBS−GZO3、IBAD−MgO層4、LMO層5、PLD−CeO層6及びPLD−GdBCO超電導層8を順次成膜した超電導線材10において、CeO層はΔφ=4.2deg.と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、GdBCO超電導層はIc=243A(Jc〜5MA/cm)と機械研磨基板を用いた場合と同程度のIc値を示す。 (もっと読む)


常伝導金属で取り囲まれた超電導芯線を含んでなる2つの超伝導体、特に二ホウ化マグネシウム超伝導体、の間の接続構造を製作する方法であって、マグネシウムとホウ素とからなる物質混合物にマグネシウムの溶融温度を低下させる物質を添加し、前記芯線の露出端部を前記物質混合物と接触させて、該物質混合物を前記低下させられた溶融温度に相当する反応温度においてその場で反応させて二ホウ化マグネシウムを生成させる方法である。 (もっと読む)


【課題】磁束揺らぎに対して敏感な超伝導回路に使用される超伝導配線では、磁束雑音を抑制することが必要であり、超伝導磁気センサの測定雑音限界の改善や超伝導量子ビット回路における磁束雑音を抑制し、超伝導量子ビット回路の量子コヒーレンス向上に寄与する超伝導配線、磁束雑音の抑制方法、磁束センサ及び超伝導量子ビット回路を提供する。
【解決手段】超伝導配線の超伝導体層101の上下表面及び端面を磁気秩序層として機能する反強磁性絶縁体層102または強磁性絶縁体層で被覆した。 (もっと読む)


基板と、この基板の上に重なるバッファ層と、このバッファ層の上に重なる高温超伝導(HTS)層からなる超伝導部材である。HTS層は複数のナノロッドを含む。基板テープを提供する段階と、この基板テープの上に重なるバッファ層を蒸着する段階と、前記バッファ層の上に重なるドットアレイを形成する段階と、前記ナノドットアレイの上にそれを核とするナノロッドのアレイを蒸着する段階と、前記ナノロッドのアレイの周りに、バッファ層の上に重なる高温超伝導(HTS)層を蒸着する段階からなる超伝導部材を形成する方法である。
(もっと読む)


【課題】小径の超電導素線材を作業効率よく製造することができる超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る超電導線材の製造方法は、第1の金属材料からなるコア材10に、第2の金属材料を圧延し、焼鈍熱処理を施して形成された金属薄膜テープを所定の巻き数で巻き合わせて、コア材10の長手方向にロールフォーミング成形可能な径を有する第1の線材を作製する線材作製工程と、第1の線材を切断して、複数本の第2の線材を形成する切断工程と、複数本の第2の線材をマルチ用ビレット70に充填してマルチビレット65を作製する充填工程と、マルチビレット65を押出して押出材を作製する押出工程と、押出材を引抜加工して引抜材を作製する引抜工程と、引抜材に熱処理を施して超電導線材を作製する熱処理工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】超電導層中に磁束ピンニング点を微細分散させることにより、磁場印加角度依存性に優れたY系酸化物超電導線材を得る。
【解決手段】2軸配向性を有する高配向性金属基板11上に、MOD法によるCe―Zr―O酸化物からなる拡散防止層12a及びRFスパッタ法によるCeO酸化物からなる反応防止層12bを順次積層した2層構造の中間層12並びにTFA―MOD法によるYBaCuからなる第1の超電導層13a及びTFA―MOD法によるY(Ce、Zr)BaCuからなる第2の超電導層13bを順次積層した2層構造の超電導層13を形成し、第2の超電導層13b中に微細に分散したBaCeO、BaZrO不純物粒子とこの粒子近傍の無配向領域が磁束ピンニング点を形成することにより、Y系酸化物超電導線材10の磁場印加角度依存性を著しく向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】磁場下における臨界電流特性の向上とともに、無磁場下における臨界電流密度の低下を抑制し、良好な臨界電流特性を有する酸化物超電導導体とその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る酸化物超電導導体1は、基体2と、該基体の一方の面上に形成された酸化物超電導層5とを備え、該酸化物超電導層はRE123系の超電導材料からなり、不純物を含まない第一超電導膜3と不純物を含む第二超電導膜4との積層体であって、前記積層体は、前記第一超電導膜と前記第二超電導膜との界面を少なくとも備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高臨界電流密度特性を有するバルク酸化物超伝導材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実質的に半溶融状態にした複数の前駆体を結合することにより、半溶融時の圧粉体からの酸素放出を容易にし、低温かつ短時間で半溶融処理を行うことにより、第2相の凝集・粗大化の抑制、即ち、高臨界電流密度化を達成する。具体的には、銀を添加した板状の超伝導バルク材原料圧粉体間に、前記圧粉体間に隙間を形成するための銀の添加量が少ない超伝導バルク小片を配置し、層状に前記圧粉体配置した後、半溶融処理することで、半溶融時の圧粉体からの酸素放出を容易にし、その後、軟化した半溶融状態の圧粉体を重力により結合させ、超伝導相を結晶化することで、高臨界電流密度特性を有するバルク超伝導体を作製する。 (もっと読む)


【課題】
超電導薄膜の膜厚が増大した場合にも、温度を上昇させることなく、臨界電流密度の低下を抑制できる酸化物超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
基材に積層された中間層と、該中間層に積層された希土類系酸化物超電導体RE-Ba-Cu-O(式中、REは希土類元素(La、Nd、Sm、Eu、Gd、Y及びYb)から1種又は2種以上選択される)からなる薄膜層を含む超電導薄膜線材において、前記薄膜層は、前記中間層からの離間距離が増大するにつれ、BaとCuの組成比が減少し、相対的に希土類元素の組成比が増大するように構成する。このようにすると、酸化物超電導線材では、超電導薄膜の膜厚が増大した場合にも、温度を上昇させることなく、臨界電流密度の低下を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】ピンニングセンターが効果的に導入されることにより、超電導特性の向上する酸化物超電導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板12と、この基板12上に形成され、結晶粒の<001>方向が前記基板に略垂直に配向し、隣接する結晶粒同士の(100)面が互いに0度以上4度以下または86度以上90度以下の傾角をなすよう配向する高い結晶性の酸化物超電導膜14を備え、酸化物超電導膜14が基板に略平行に積層される複数の高密度磁場捕捉層14a、cと、高密度磁場捕捉層14a、c間に挟まれる低密度磁場捕捉層14bとで形成される積層構造を有し、高密度磁場捕捉層14a、cの基板12に水平な断面における平均粒界幅が80nm以下であり、かつ、この平均粒界幅が低密度磁場捕捉層14bの基板12に水平な断面における平均粒界幅よりも小さいことを特徴とする酸化物超電導体10およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】高銅比の下、フィラメント径が20μm 以下でありながら、健全性に優れたNbTi系超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のNbTi系超電導線材は、銅マトリクスに多数のNbTi合金フィラメントが埋設されたものである。その銅比(銅マトリクスの横断面積/全てのNbTi合金フィラメントの総横断面積)が10〜30、前記NbTi合金フィラメント径が3〜20μm であり、線材の横断面において全てのフィラメントを内側に含み、かつ半径が最小の外接円に囲まれたフィラメント集合部が線材の横断面中心を中心として0.4D(D:線材直径)を直径とする基準円の領域内に同心状に配置される。前記フィラメント集合部は銅比を0.9〜1.3程度とするのがよい。 (もっと読む)


【課題】高n値を確保することができる太径のNbTi系合金フィラメントを備えたもので、しかも高いJcを有するNbTi系超電導線材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】NbTi系超電導線材は、銅マトリクス中に複数のNbTi合金フィラメントが埋設されたものである。その銅比(銅マトリクスの横断面積/全てのNbTi合金フィラメントの総断面積)は0.7〜3.5であり、前記NbTi合金フィラメントの平均直径dは100〜150μmである。さらに、前記NbTi合金フィラメントの横断面における層状のα−Ti相の面積率が15〜25%で、かつ前記横断面のd/4部のα−Ti相の層間隔の平均が10〜20nmである。 (もっと読む)


【課題】超電導体中に磁束ピンニング点を微細分散させることにより、磁場印加角度依存性に優れたRe系酸化物超電導線材を得る。
【解決手段】複合基板の中間層上に、Ba濃度を低減したRe系超電導体を構成する金属元素を含む有機金属錯体溶液とBaと親和性の大きいZr、Ce、Sn又はTiから選択された少なくとも1種以上の金属を含む有機金属錯体溶液からなる混合溶液中を塗布後、焼成して、人工的にZr含有酸化物粒(磁束ピンニング点)を微細分散させることにより、Jcの磁場印加角度依存性(Jc,min/Jc,max)を著しく向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】Tcが高く、ピンニング力の大きい超伝導体を提供する。
【解決手段】MgB2からなる超伝導物質層と、MgB2及びNiからなるメッシュ状の混合層とを交互に積層し、磁場を印加した場合に、内部に侵入する量子化磁束の間隔と混合層とが一致するように膜厚を調製することにより、量子化磁束によって生じるローレンツ力を効率良くピンニングし、なおかつ、ピンニングセンター層を含まない超伝導体と同等の超伝導転移温度を保持する。 (もっと読む)


21 - 40 / 54