本発明は、ＲＥ＝希土類元素またはイットリウムであるＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７型のナノ構造超伝導材料に関し、このナノ構造超伝導材料は、２つの相、即ち、ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７の主要マトリックスと、ＢａＺｒＯ_３、ＣｅＯ_２、ＢａＳｎＯ_３、ＢａＣｅＯ_３、ＳｒＲｕＯ_３、Ｌａ_１−ｘＭ_ｘＭｎＯ_３（Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）、ＲＥ_２Ｏ_３および／またはＲＥ_２Ｃｕ_２Ｏ_５）の二次相とを備える。二次相は、高密度のナノメートル欠陥を提供し、それにより渦を効果的に固定する能力が増大するようにしてマトリックス内に無作為に分布している。本発明の別の主題は、これら超伝導材料を製造するための方法である。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｊｃが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。
【解決手段】
一般式ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_Ｘ（式中、ＲＥはＰｒ及びＣｅを除く希土類元素のうち、少なくとも１種の元素であり、６．５＜Ｘ＜７．１である）で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Ｂａを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な超伝導臨界電流を有しながら加工性をも向上したＭｇＢ_２超伝導線材とその製造法を提供する。
【解決手段】マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）―ボロン（Ｂ）合金層と二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超伝導層とが積層されてなることを特徴とする構成とする。製造方法は、マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）合金層と接触する形でボロン（Ｂ）層を積層してなる複合体を構成し、これを線状あるいはテープ状に加工した後、マグネシウム（Ｍｇ）とボロン（Ｂ）の拡散反応温度で熱処理することによって二硼化マグネシウム（ＭｇＢ２）超伝導層を生成させる。 （もっと読む）

【課題】クラスタービーム自体を補助的に噴射／成長させる方法で超伝導膜内にナノ粒子を形成させることにより、磁束線のピン止め力を向上させて超伝導体の臨界電流密度を増大させる、補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜の製造方法、製造装置、及びその方法によって製造される高温超伝導膜の提供。
【解決手段】真空チャンバー内で蒸発法によって高温超伝導膜を形成させる高温超伝導膜製造方法において、高温超伝導体材料物質を蒸発させて高温超伝導体物質を蒸気状態にして基板に蒸着させると同時に、ハウジングの内部に充填されたクラスタービーム材料物質を加熱して気体原子に形成させ、形成された気体原子をハウジングの入り口のノズルを通過させた後、クラスタービームの形で基板側に噴射／成長させることにより、高温超伝導膜の内部にピン止め点を形成させる、補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】不可逆磁場Ｂｉｒ、臨界電流密度及び強度の高いＭｇＢ₂線材の提供。
【解決手段】ＭｇＢ₂を含む金属間化合物及びカーボンファイバーを含有する超伝導体。
カーボンファイバーの平均繊維径は１〜５００ｎｍが好ましく、特に磁束線ピン止めが効率的に起こる１０〜１００ｎｍが好ましい。また、カーボンファイバーは、２３００℃以上で黒鉛化処理され、嵩密度を０．１ｇ／ｃｍ³に圧縮したときの比抵抗が０．０３０Ωｃｍ以下のものが好ましい。カーボンファイバーの含有量は、ＭｇＢ₂を含む金属間化合物の量を１００質量部とした場合、５〜７５質量部が好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、短い時間で結晶成長可能とし、捕捉磁場特性の優れた酸化物超電導バルク体を製造する技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、種結晶の結晶構造を基に半溶融状態の前駆体を結晶化して酸化物超電導バルク体とする方法であって、前駆体を包晶温度よりも低く、結晶化開始温度よりも低い温度域において、複数段のステップで徐々に温度降下させ、各ステップにおいては等温保持する予備的段階降温等温処理を施し、次いで、前駆体を包晶温度以上の温度に加熱し、結晶成長のための処理として複数段のステップで徐々に温度降下させ、各ステップにおいては等温保持する主体的段階降温等温処理を施して前駆体を結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

超伝導性フィルム構造体に対する臨界電流容量の改良が開示され、個々の耐高温バリウム−銅酸化物層がCeO₂等の如き金属酸化物材料の薄層によって分離された、例えば多層耐高温バリウム−銅酸化物構造体の使用が包含される。
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超伝導材料（２）であって、基板（４）と、基板上の界面層（６）（化学式Ｘ_ｗＢａ_ｘＣｕ_ｙＬ_ｔＯ_ｚの材料を含む）と、界面層上の超伝導層（８）（化学式Ｘ_ａＢａ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｄの化合物を含む）と、を含む超伝導材料（２）が提供される。また超伝導材料の製造方法、及びこの方法によって生成される材料も提供される。
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【課題】 Ｂｉ系超電導体に有効な磁束ピニング領域を導入することにより、臨界電流密度が高いＢｉ系超電導体、超電導線材および超電導機器を提供する。
【解決手段】 Ｂｉ原子、Ｓｒ原子、Ｃａ原子、Ｃｕ原子、Ｏ原子とＦｅ原子またはＹ原子を含むＢｉ系超電導体であって、Ｃｕ原子およびＦｅ原子の合計量に対するＦｅ原子の含有量が０．０１原子％以上１原子％以下、または、Ｃａ原子およびＹ原子の合計に対するＹ原子の含有量が０．０１原子％以上１原子％以下であることを特徴とするＢｉ系超電導体。 （もっと読む）

【課題】 超伝導特性に優れたナノ微粒子含有ＭｇＢ_２系高温超伝導体を提供する。
【解決手段】 ＭｇＢ_２からなるマトリックス中に、Ｍｇを除く金属、合金、金属及び／又は合金の酸化物、Ｍｇを除く金属及び／又は合金とＭｇとからなる化合物、並びにＭｇを除く金属及び／又は合金とＢとからなる化合物の群から選ばれる１種又は２種以上の粒子径５〜２５ｎｍのナノ微粒子が含有され、１５〜２５Ｋの自己磁場下における臨界電流密度が３×１０^５〜５×１０^５Ａ／ｃｍ^２であり、超伝導開始温度が４０Ｋ以上である。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｂ−Ｚｒ基合金等の難加工性を回避して、多芯線の製造を可能とする、新しい難加工性超伝導合金多芯線の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも、合金を構成する元素の複数本の素線を束ねて、合金を構成する元素からなるマトリックス管に挿入し、伸線加工した後切り出し一次スタック線とする工程と、一次スタック線を多数本束ねて、合金を構成する元素または安定化材からなるマトリックス管に挿入し、伸線加工して２次スタック線とする工程と、熱処理により前記合金を構成する元素を合金化させる工程を含むように、難加工性超伝導合金多芯線を製造する。 （もっと読む）

【課題】 有効なピンニングセンターの導入により、臨界電流密度が高い酸化物バルク超電導体を提供する。
【解決手段】 ＲＥ_1+xＢａ_2-xＣｕ₃Ｏ_y（０≦ｘ≦０．１、６．５≦ｙ≦７．２、ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの群から選ばれた少なくとも一つの元素）結晶中に、ピンニングセンターとしてＢａＣｅＯ₃あるいはＢａ（Ｃｅ_1-aＭ_a）Ｏ_3-b（０＜ａ＜０．５、０≦ｂ≦０．５、ＭはＺｒ、Ｈｆ、Ｓｎ等の金属元素）相の粒子が分散しており、且つ、Ｐｔ又はＲｈの一方又は双方が添加されていることを特徴とする酸化物超電導材料。 （もっと読む）

薄膜を製造する方法は、前駆体溶液を、支持体上に蒸着させて、前駆体膜を形成することを含む。前駆体溶液は、塩の内の少なくとも１つがフッ化物含有塩である、１種類またはそれより多くの溶媒中の希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を含めた希土類／アルカリ土類金属／遷移金属酸化物に対する前駆体成分を含有する。前駆体溶液は、単独で、または前駆体溶液中の１つまたは複数の前駆体成分、または希土類／アルカリ土類金属／遷移金属酸化物の元素を置換し、そして前駆体膜を処理して、前駆体溶液の希土類、アルカリ土類金属、遷移金属および添加剤金属またはドーパント金属を含む中間体金属オキシフルオリドを形成する能力がある１つまたは複数の金属化合物を包含するドーパント成分と組合わせて、第二相ナノ粒子を形成する能力のある１つまたは複数の金属化合物を包含する添加剤成分も含有する。
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ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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