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Fターム[5G321CA13]の内容

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Fターム[5G321CA13]に分類される特許

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【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 (もっと読む)


【課題】中間層が高度に配向しており、さらに表面が平滑な中間層の上に超電導層を設けても、中間層と酸化物超電導層とが強く密着し磁場応用においても剥離が発生せず、酸化物超電導層の高配向性を維持した超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜線材を提供することができる酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属基板とその上に設けられた中間層とを備える結晶配向基材上に酸化物超電導層が設けられている酸化物超電導薄膜線材であって、酸化物超電導層と中間層のキャップ層との間に、酸化物超電導層とキャップ層との反応、もしくは酸化物超電導層とキャップ層との間における金属元素の拡散、による界面層が形成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材。また、界面層の厚みが、100nm以下である酸化物超電導薄膜線材。さらに、キャップ層の表面粗さRaが、10nm以下である酸化物超電導薄膜線材。 (もっと読む)


【課題】本発明は、酸化物超電導層の成膜時には制御し難い人工ピンを酸化物超電導層の形成後に導入することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材の上方に中間層と酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体において前記酸化物超電導層に人工ピンを導入する方法であって、成膜後の酸化物超電導層に加熱急冷処理を施した後、該酸化物超電導層上に人工ピン材料の薄膜を形成し、次いで加熱処理することにより前記薄膜中の人工ピン材料を前記酸化物超電導層に拡散させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】所望の薄い膜厚で超電導特性の優れたテープ状RE系酸化物超電導線材を製造すること。
【解決手段】金属基板上に形成された中間層上にフッ素を含む超電導原料溶液を塗布した後、仮焼成熱処理を施すことにより前記中間層上に超電導層の前駆体を形成し、次いで、超電導層生成のために本焼成熱処理を前記前駆体に施すことにより、REBaCu系(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd及びHoから選択された少なくとも1種以上の元素を示す)の酸化物超電導線材を製造する。この本焼成熱処理において、所定の本焼成温度に到達するまでの昇温中に、前駆体に水蒸気ガスを供給し、次いで、前記本焼成温度で所定時間の本焼成熱処理を行った後で、且つ、本焼性熱処理が施された前駆体を冷却する前に、水蒸気ガスの供給を停止する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも低温での熱処理により得られ、しかも高臨界電流密度を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物1を含ませることで、従来よりも低温での熱処理により得られ、高臨界電流密度を有する超電導線材10及びその製造方法を提供することができる。Mg(B1−x・・・(1)(ただし、式(1)中、xは0<x<1を満たす数であり、yは2.1≦yを満たす数である。) (もっと読む)


【課題】単層でも臨界電流特性を良好にする。
【解決手段】基材上に形成され、RE系超電導体20を主成分として含有する酸化物超電導薄膜であって、RE系超電導体20は、CuO面22と、CuO単鎖24と、CuO重鎖26とを有し、さらに、CuO単鎖24とCuO重鎖26が隣り合う異種鎖部と、CuO単鎖24同士又はCuO重鎖26同士が隣り合う同種鎖部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】原料の種類が増えるのを抑制しつつ臨界電流特性を良好にする。
【解決手段】基材と、前記基材上に形成され、希土類元素とCuO鎖とCuO面とを含んで構成されたRE系超電導体ユニットを複数含有する超電導層と、複数ある前記CuO鎖のうち、前記超電導層と前記超電導層の前記基材側に隣接する層との界面周囲の前記RE系超電導体ユニット中に存在し、前記RE系超電導体ユニットの格子定数により定まるCuO鎖の長さよりも1.2倍以上2倍以下積層方向に長いCuO鎖と、前記長いCuO鎖に対して積層方向に隣接して存在する刃状転位と、を備える酸化物超電導薄膜。 (もっと読む)


【課題】臨界温度が高い超伝導材料及びその製造方法を創案する。
【解決手段】本発明の超伝導材料は、組成として、モル%表記で、Bi23 10〜30%、SrO 20〜50%、CaO 10〜30%、CuO 20〜45%、SiO2+TiO2 0.1〜10%を含有することを特徴とする。ここで、「SiO2+TiO2」は、SiO2とTiO2の合量を指す。 (もっと読む)


【課題】厚膜の酸化物超電導薄膜であっても、Jcが低下せず、膜厚に応じた高いIcの酸化物超電導薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物溶液の塗布、仮焼熱処理、本焼熱処理を行い、所定厚みの酸化物超電導層を作製する酸化物超電導層作製工程と、ナノ微粒子の溶液を用いて酸化物超電導層の上にナノ微粒子を付着させるナノ微粒子付着工程とを、交互に行い、ナノ微粒子が所定間隔で層状に設けられた酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法。有機金属化合物溶液の塗布、仮焼熱処理を行い、所定厚みの仮焼膜を作製する仮焼膜作製工程と、ナノ微粒子の溶液を用いて仮焼膜の上にナノ微粒子を付着させるナノ微粒子付着工程とを、交互に行い、その後、本焼熱処理を施し、ナノ微粒子が所定間隔で層状に設けられた酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 (RE)BCO薄膜において、制御された結晶欠陥を導入する簡便な方法を提供する。
【解決手段】 基板上に成膜された一般式(RE)Ba2Cu37(式中、REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Ybから選ばれる1種の原子を表す。)で表される希土類酸化物を主成分とする高温超電導酸化物薄膜の上に、多孔質アルミナ自立膜を載置し、該アルミナ膜をマスクとしてアルゴンイオンミリングを行うことにより、前記高温超電導薄膜にナノスケールの結晶欠陥を導入する。 (もっと読む)


【課題】磁場印加環境下において、安定した高い超電導特性を確保できる酸化物超電導線材を製造すること。
【解決手段】基板上に形成された中間層上にフッ素を含む超電導原料溶液を塗布する塗布工程Aの後、仮焼成熱処理工程Bを施す。超電導原料溶液は、RE(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd及びHoから選択された少なくとも1種以上の元素を示す)、Ba及びCuを含む混合溶液に、磁束ピンニング点を形成するZr、Sn、Ce、Ti、Hf、Nbのうち少なくとも一つの添加元素が含まれ、且つ、前記Baのモル比をy<2の範囲内とする溶液である。仮焼成熱処理工程Bと、超電導層生成のための本焼成熱処理工程Dとの間に、本焼成熱処理工程Dにおける本焼成熱処理温度より低い温度で中間焼成熱処理工程Cを施して、磁束ピンニング点を含むREBaCu系の酸化物超電導線材を製造する。 (もっと読む)


【課題】基板上に厚膜化されながら、全体に亘ってc軸配向した酸化物超電導層が形成されて、充分に高いIcを有する酸化物超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層を形成する酸化物超電導線材の製造方法であって、本焼成最適温度がそれぞれ異なる複数の仮焼膜を、本焼成最適温度の低い仮焼膜から、順次、基板上に積層して仮焼膜積層体を形成した後、仮焼膜積層体を本焼成する酸化物超電導線材の製造方法。基板上に形成される仮焼膜は、3層以上である。各仮焼膜から形成される酸化物超電導層の厚みは、0.05〜1.0μmである。 (もっと読む)


【課題】厚膜化してもJcの低下を招くことがなく、充分に高いIcを有する酸化物超電導層が基材上に形成された酸化物超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層を形成する酸化物超電導線材の製造方法であって、本焼成最適温度がそれぞれ異なる複数の酸化物超電導層を、本焼成最適温度の高い酸化物超電導層から、順次、基板上に積層する酸化物超電導線材の製造方法。基板上に形成される酸化物超電導層は3層以上であり、各酸化物超電導層の厚みは0.05〜1.0μmである酸化物超電導線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】充分に高いIcを得ることができる酸化物超電導薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】膜中に、磁束ピンとして機能するナノ微粒子3が分散されている酸化物超電導薄膜2。酸化物超電導薄膜中におけるナノ微粒子の分散密度が、1020〜1024個/mである酸化物超電導薄膜。ナノ微粒子の粒径が、5〜100nmである酸化物超電導薄膜。有機金属化合物を溶媒に溶解した溶液に、磁束ピンとして機能するナノ微粒子を溶媒に溶解した溶液を所定量添加して、酸化物超電導薄膜用の原料溶液を調製し、前記原料溶液を用いて、塗布熱分解法により、酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法。ナノ微粒子を溶媒に溶解した溶液に分散剤を添加する酸化物超電導薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】厚膜化してもJcの低下を招くことがなく、厚膜化に比例して、充分に高いIcを有する酸化物超電導層が基板上に形成された酸化物超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層を形成する酸化物超電導線材の製造方法であって、有機金属化合物の塗膜を形成する塗膜形成工程と、塗膜に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を形成する仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて、本焼膜を形成する本焼熱処理工程とを備え、塗膜形成工程、仮焼熱処理工程および本焼熱処理工程を繰り返して、本焼膜を複数層積層させることにより、積層界面に欠陥層が設けられた酸化物超電導層を形成する酸化物超電導線材の製造方法。塗布熱分解法により本焼膜が欠陥層を介して複数層積層されている酸化物超電導線材。 (もっと読む)


【課題】FF−MOD法においても容易にピンの材料を添加することができ、金属錯体を熱分解する処理やピン化合物を生成させるための熱処理を必要とせず、ピンの粒子サイズを好適に制御することができる原料溶液を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法を用いて基板上に磁束ピン止め点が導入されたRE123系の酸化物超電導体を形成するための酸化物超電導体形成用の原料溶液であって、酸化物超電導体を形成するための有機金属化合物を溶解した溶液に、ピン止め点を形成するためのナノ粒子を所定量分散させている酸化物超電導体形成用の原料溶液。ナノ粒子の粒径は、5〜100nmである。有機金属化合物は、フッ素を含まない有機金属化合物である。 (もっと読む)


【課題】厚膜の酸化物超電導薄膜を形成させて、充分に高いJcやIcを示す超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】配向金属基材上に中間層が形成された配向金属基板の上に、金属有機化合物を原料として、塗布熱分解法により酸化物超電導薄膜を形成して、酸化物超電導薄膜線材を製造する酸化物超電導薄膜線材の製造方法であって、配向金属基板の中間層の上に、YBCO超電導薄膜を成膜するYBCO超電導薄膜成膜工程と、YBCO超電導薄膜の上に、HoBCO超電導薄膜を成膜するHoBCO超電導薄膜成膜工程とを有している酸化物超電導薄膜線材の製造方法。配向金属基材上に中間層が形成された配向金属基板の上に、膜厚0.3μm以下のYBCO超電導薄膜が形成され、さらに、YBCO超電導薄膜の上に、HoBCO超電導薄膜が形成されている酸化物超電導薄膜線材。 (もっと読む)


【課題】 バルク体全体の臨界電流密度の向上および制御により疑似永久磁石等の性能を大幅に改善でき、また、現存の加速器により実施可能で、しかも、複数のバルク体の臨界電流密度のばらつきを抑制してアンジュレータの性能向上も図れるバルク超伝導体の臨界電流密度制御方法、及びアンジュレータ用バルク超伝導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 バルク状の第二種超伝導体に対し、エネルギーが前記バルク体を透過可能な大きさで、かつ、柱状欠損の生成閾値よりも低い粒子ビームを照射して臨界電流密度の制御を行った。 (もっと読む)


【課題】FF−MOD法を用いて、厚膜化することにより、充分に高いIcの酸化物超電導薄膜を安定して提供する。
【解決手段】MOD法を用いて、フッ素を含まない有機金属化合物溶液の塗膜の仮焼熱処理、および仮焼膜の本焼熱処理により酸化物超電導層を作製する工程と、酸化物超電導層の上に非超電導物質からなる層を形成する工程と、非超電導物質からなる層上に、MOD法を用いて酸化物超電導層を作製すると共に、酸化物超電導層作製時の加熱により、非超電導物質と酸化物超電導層とを化学反応させて、ピン止め点として機能する反応生成物が分散した分散層を作製する工程とを備えているREBCO系酸化物超電導薄膜の製造方法。MOD法を用いて作製される酸化物超電導層を複数層備え、各酸化物超電導層の間に、ピン止め点として機能する非超電導物質が分散された分散層が形成されているREBCO系酸化物超電導薄膜。 (もっと読む)


【課題】磁場印加環境下において、あらゆる磁場印加角度方向に対しても、有効に磁束をピンニングでき、高い超電導特性を確保すること。
【解決手段】酸化物超電導線材は、金属基板と、金属基板上に形成された中間層と、中間層上に形成されたREBaCuO系超電導層と、を備える。REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd及びHoから選択された1種以上の元素からなる。超電導層中には、Zrを含む酸化物粒子が磁束ピンニング点として分散されており、超電導層中に含まれるBaのモル比yは、Zrのモル比をxとした場合、1.2+ax≦y≦1.8+axの範囲、及び0.5≦a≦2である構成を採る。 (もっと読む)


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