【課題】本発明は、イオンビームアシストデポジション法による結晶配向の対称性が制御された岩塩構造の中間層の成膜方法の提供、すなわち、４回対称の岩塩構造の中間層と３回対称の岩塩構造の中間層を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、４回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体及び３回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、イオンビームアシストデポジション法により、金属基材の上方に岩塩構造の中間層を成膜する方法であって、成膜時の水蒸気圧を制御することにより前記中間層の結晶配向の対称性を３回対称又は４回対称に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な超電導特性の酸化物超電導導体を提供可能な酸化物超電導導体用基材、及び該酸化物超電導導体用基材を工程時間を短縮して効率的に製造することができる酸化物超電導導体用基材の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、良好な超電導特性の酸化物超電導導体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材１０は、金属基材１上に、第１拡散防止層１１と、第２拡散防止層１２と、第３拡散防止層１３と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層４とがこの順に設けられてなり、第２拡散防止層１２の表面粗さＲａが、金属基材１の表面粗さＲａよりも低く設定されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】自己磁界を主体とする低損失で高効率的な単芯の超伝導線を提供する。
【解決手段】断面円形状の単芯超伝導線１の内側に低抵抗材からなる安定化層２を配設し、安定化層２の外側に超伝導体からなる超伝導層３を配設し、超伝導層３が、長手方向に対して垂直な断面において周方向に超伝導体を連続して形成されている。また、低抵抗材が銅（Ｃｕ）で、超伝導体が二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ₂）の場合、安定化層２と超伝導層３との間にバリア層４を有する。超伝導層３の外側には高抵抗材からなる高抵抗シース層５を配設している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導積層体を気相法により形成された金属シード層と電解めっきによる金属製の安定化層で保護した構造の酸化物超電導線材を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材１は、基材３と、基材３上に設けられた中間層５と酸化物超電導層６と、酸化物超電導層６上に設けられたＡｇの安定化基層７とを備えて酸化物超電導積層体２が構成され、酸化物超電導積層体２の周面側に、少なくとも酸化物超電導積層体２の側面および基材３側の面を覆うように気相法により形成された金属シード層８が被覆され、金属シード層８の外周側および安定化基層７の上面側に電解めっきによる金属製の安定化層９が積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導線材の配向性を向上させることができる超電導線材およびその製造方法の提供。
【解決手段】金属基材１０表面の表面粗さＲａの値が１０ｎｍ以下とされて、少なくとも中間層１５側となる基材１０表面にはニッケル層１０ａが備えられ、ニッケル層の表面粗さＲａの値が基材の表面粗さの値より低く設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超電導コイルなどに用いて好適な断面形状の酸化物超電導導体用基材とそれを用いた酸化物超電導導体及びそれらの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、外周部の周方向の少なくとも一部に平面部を有し外周部の周方向の少なくとも他の部分に円周面部を有してなる柱状であり、前記平面部と円周面部が全長に渡り連続形成された長尺の基材と、該基材の外周面に前記平面部と円周面部の少なくとも一方を覆ってイオンビームアシスト成膜法により積層された結晶配向性の良好な中間層とを具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超電導線を細分化する工程を行うことなく、交流損失の少ない超電導線材、及び前記超電導線材からなる超電導コイルを製造することができる技術の提供を目的とする。また、本発明は、超電導線を細分化する工程を行うことなく、交流損失の少ない超電導線材を効率よく製造することができるため、細分化工程を省くことで製造プロセスの単純化と低コスト化をなすことができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の超電導線材は、テープ状金属基材の表面および裏面に隣接する側面に、結晶配向させた中間層と、酸化物超電導層とを備えてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、臨界電流値の異なる超電導線材を作り分けることができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材上に、イオンビームアシスト蒸着法による中間層とキャップ層と酸化物超電導層が設けられた超電導線材であって、臨界電流値が異なる複数の超電導線材を製造し分けるに際し、酸化物超電導層は同一厚さに形成し、基材表面の表面粗さＲａの値に応じて同一厚さの酸化物超電導層において得られる臨界電流値が上限値を示す表面粗さＲａの値の内、最大値が存在し、この最大値よりも大きな表面粗さＲａの値に応じて先の臨界電流値の上限値よりも低い臨界電流値を示す酸化物超電導層が得られる範囲が存在し、この範囲において、表面粗さＲａの値が大きくなる程、臨界電流密度が低下する関係を利用し、基材の表面粗さＲａにより、臨界電流値が異なる複数の超電導線材を製造し分けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた超電導特性を発揮する酸化物超電導導体用基材並びにその基材を用いた酸化物超電導導体として有用な技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、その上に、イオンビームアシスト法により成膜されて結晶配向性が整えられ、４回対称性が付与されたＮｉＯからなる中間層と、該中間層上に形成されたキャップ層とを具備してなり、該キャップ層はその上に酸化物超電導層が設けられるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な加工性を有し、Nb₃Sn相の生成を促進し、超伝導特性に優れたNb₃Sn超伝導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎとＮｂとＣｕを含む第１の基材２と、前記第１の基材に隣接して配置されたＮｂを含む第２の基材３と、ＮｂとＳｎとの拡散反応により前記第１の基材と前記第２の基材との間に生成されたNb₃Sn化合物層とを有する。シート状の第１の基材とシート状の第２の基材とを交互に積層して複合化し、該複合体５を捲回する加工を行い、前記捲回体を線材に引抜加工Ｓ４するNb3Sn超伝導線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超伝導線材の絶縁材形成時の損傷を減らし、超伝導線材の表面を均一にし、製造が簡単であり、ノイズ信号なしに、超伝導マグネットから電圧信号をうまく感知することができる超伝導線材を提供する。
【解決手段】緩衝層を介在して超伝導層と金属基板が接合された線材に安定化材層がメッキされた超伝導線材であって、安定化材層の全面にエポキシ樹脂絶縁材層がコートされている。 （もっと読む）

【課題】セラミック線材を形成する方法を提供する。
【解決手段】線材基板の上にセラミック前駆体を提供し、前記セラミック前駆体が提供された線材基板を熱処理して結晶化されたセラミック線材が得られる。前記熱処理工程は、前記セラミック前駆体が液体状態を有するようにプロセッシングチャンバーの温度及び／又は酸素分圧を調節し、前記液体状態のセラミック薄膜から前記線材基板の上にエピタキシセラミック薄膜を形成することを含む。
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【課題】Ｓｎの過不足による特性の低下を抑制することのできるＮｂ_３Ｓｎ超電導線材の製造方法、及びＮｂ_３Ｓｎ超電導線材を提供する。
【解決手段】本発明に係るＮｂ_３Ｓｎ超電導線材の製造方法は、Ｎｂ、Ｓｎ、及びＣｕを含む金属材料を準備する材料準備工程と、Ｎｂ、Ｓｎ、及びＣｕを含み、Ｎｂのモル数とＣｕのモル数との合計に対するＮｂのモル比率をｘ（ただし、０．２５≦ｘ≦０．８）、Ｃｕのモル比率を１−ｘと規定した場合に、Ｓｎのモル比率がａｘ＋ｂ（１−ｘ）（ただし、０．３≦ａ≦０．４、０．０２≦ｂ≦０．１）で表される線材を形成する線材形成工程と、線材に熱処理を施し、ＳｎとＮｂとからＮｂ_３Ｓｎを生成させる熱処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高価なフォトマスクを要することなくエッチングにより超電導層に溝部形成が可能であって細線化を確実に行うことができる方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材上に中間層を介し超電導層が形成され、少なくとも超電導層を複数に分断離間する分離溝を備えてなる超電導細線の製造方法であって、基材上に中間層と超電導層と保護層を備えた超電導導体に対し、保護層から少なくとも超電導層表面に達する溝部を超電導導体の長さ方向に沿って形成する工程と、ネガ型の感光性樹脂層を形成する工程と、保護層上の感光性樹脂層が残り、溝部に対応する位置の感光性樹脂層を除去して溝部に連続する接続溝を感光性樹脂層に形成するように露光、現像を行う工程と、溝部と接続溝を介してそれらの下に位置する酸化物超電導層をエッチングにより除去して分離溝を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシストスパッタ法により４回対称ＭｇＯ膜と３回対称ＭｇＯ膜を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、４回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体及び３回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により形成される中間層の結晶配向性を高め、かつ、中間層の成膜条件が広範囲となるよう促す特性を有するベッド層を備えた酸化物超電導体用基材及びそれを用いた酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材は、金属基材２１上に、Ｘ_２Ｏ_３酸化物（Ｘは、Ｙｂ、Ｇｄ、Ｈｏ、ＬａまたはＳｍを示す。）、又は、前記Ｘ_２Ｏ_３酸化物とＹ_２Ｏ_３から選択される２種以上が混合された混合酸化物よりなるベッド層２２と、ベッド層２２上にイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超電導特性の高い超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導コア部と、超電導コア部を覆う良導体である安定化層と、超電導コア部、安定化層の間に設けられ、反応を防止するバリア層を有する超電導線材の製造方法であって、前記超電導コア部は、二ホウ化マグネシウムよりなり、ホウ素の粉末と、マグネシウム材とを管に挿入し、管ごと伸線加工を施し、その後熱処理を施すことにより製造することを特徴とする。マグネシウム材の形状は、板材，テープ，シート，箔などのいずれの形を採用してもよい。 （もっと読む）

【課題】超電導層への水分の侵入を抑えるとともに、外部からの機械的あるいは化学的なダメージを受け難い構造を有することにより、臨界電流密度の低下を抑制し、良好な超電導特性を有する超電導線材とその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る超電導線材１００は、長尺状の第一基材１の一方の面に、中間層２、超電導層３、保護層４の順に重ねて配してなる第一基体１０と、該保護層４に重なり、安定化材から構成された長尺状の第二基材５からなる第二基体２０とを少なくとも備え、前記第二基体２０の前記保護層４と対向する面には、その長手方向に連続する凹部が配されており、該凹部の内底面が前記保護層４と導電性の接合部材６を介して接合され、かつ、前記超電導層３は、その側面が全て該凹部内に収まるように配されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶配向性に優れ、超電導特性に優れた酸化物超電導層を形成するための基となるＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の下地として望ましい層を備え、ＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の結晶配向度を更に高めることができる構造を備えた酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材２１上に、ＺｒＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３混合酸化物のベッド層２２とイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とが備えられ、酸化物超電導層が積層されて酸化物超電導導体の基材として利用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｇＢ_２を良好な結晶配向性を維持しつつ成膜させることで、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な超電導導体を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、安定してＭｇＢ_２の結晶配向を制御し、高い超電導特性を有するＭｇＢ_２超電導導体の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体１０は、金属基材１１と、金属基材１１上に、イオンビームアシスト（ＩＢＡＤ）法により形成された３回対称ＭｇＯ（１１１）層１３と、ＭｇＢ_２層１４とが積層された積層体よりなることを特徴とする。 （もっと読む）