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Fターム[5G321DB01]の内容

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【課題】 超電導粉末の脱気処理を確実にすることにより、超電導特性、特に臨界電流に優れた超電導線材を製造する方法、超電導多芯線材の製造方法およびこれらを用いて製造された超電導機器を提供する
【解決手段】 超電導用原料粉末を処理して超電導前駆体粉末を調製する工程と、超電導前駆体粉末を第1の金属パイプに充填する工程と、金属パイプを封止する工程と、を包含する超電導線材の製造方法において、第1の金属パイプに充填する工程および第1の金属パイプを封止する工程を、減圧雰囲気下で行うことを特徴とする超電導線材の製造方法。 (もっと読む)


本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Yb1−xNdBaCu7−yであって、xが0.01〜0.30、yが0.00〜0.20である組成を有し、結晶粒のc軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
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ドープされたiX−Ba−Cu−O材料を製造する方法であって、この方法は、
a)X−Ba−L−O又はX−Ba−Cu−L−O材料をX−1−Ba−Cu−O材料と混合するステップと、
b)この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、1各Xは希土類(IIIB族)元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各LはU、Nb、Ta、Mo、W、Zr、Hf、Ag、Pt、Ru及びSnから選択される、ドープされたiX−Ba−Cu−O材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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