Fターム[5G321DB21]の内容
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Fターム[5G321DB21]に分類される特許
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高温超伝導体上に金属被覆層を形成するための方法
テープ状高温超伝導体(HTSL)の超伝導層上に金属層を形成するために、初めに、有機金属または無機金属塩溶液が、超伝導層の上に塗布される。次いで、有機金属塩溶液を使用する場合には溶液を加熱することによって、無機金属塩溶液を使用する場合には還元溶液を塗布し、次いで塗布された両溶液を加熱することによって、溶液中に含まれる1種または複数種の金属がHTSL層上に堆積される。 (もっと読む)
希土類系酸化物超電導体及びその製造方法
クラックの発生を防止し、かつ面内配向度と方位性等の結晶性並びに表面平滑性に優れた中間層の上に高い臨界電流密度(Jc)を有するRE系超電導層を形成する。配向性Ni基板の上に、希土類元素の1種または2種以上を金属含有量で20〜60mol%を添加したセリウム系酸化物からなる中間層をMOD法により形成し、この酸化物層上にMOD法により高いJcを有するRE系超電導層を形成する。上記の中間層は、Ceの有機金属化合物溶液に、Gd、Y及び/またはYbの各有機金属化合物溶液を混合した混合溶液を配向Ni基板上に塗布して塗膜を形成した後、仮焼熱処理を施し、Ar−H2の雰囲気中で950〜1150℃の温度で、50〜500Paの圧力下で焼成を行うことにより形成する。この中間層の上にTFA−MOD法によりYBCO超電導層を形成する。
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