【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ７〜３５％、ＳｒＯ ２５〜６５％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｃａ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ １０〜４０％、ＣａＯ １０〜４０％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｓｒ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、高度に制御された巨大な設備を必要とせず、短時間で超伝導結晶を高度に配向させることが可能な超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、超伝導結晶が集合した超伝導結晶集合体を用意する準備工程と、超伝導結晶集合体にレーザーを照射する照射工程と、レーザーの照射位置を走査する走査工程と、走査工程後に超伝導結晶集合体を熱処理する熱処理工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】臨界温度が高い超伝導材料及びその製造方法を創案する。
【解決手段】本発明の超伝導材料は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ₂Ｏ₃ １０〜３０％、ＳｒＯ ２０〜５０％、ＣａＯ １０〜３０％、ＣｕＯ ２０〜４５％、ＳｉＯ₂＋ＴｉＯ₂ ０．１〜１０％を含有することを特徴とする。ここで、「ＳｉＯ₂＋ＴｉＯ₂」は、ＳｉＯ₂とＴｉＯ₂の合量を指す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸素富化過程を含む酸化物超電導バルク材料の製造方法において、十分に高い超電導特性を得ることのできる酸化物超電導バルク材料の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶状のＲＥ_1+xＢａ_2-xＣｕ₃Ｏ_y（ＲＥはＹ又は希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素、−０．１≦ｘ≦０．１、６.８≦ｙ≦７．２）中にＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅が微細分散した酸化物超電導バルク材料の製造方法であって、溶融状態から徐冷中に結晶成長させた酸化物超電導バルク材料の酸素量を酸素富化過程において富化する前に、１０００Ｋ以上、１２５０Ｋ以下の温度で前記結晶成長させた酸化物超電導バルク材料を熱処理する酸素富化前熱処理過程を有することを特徴とする酸化物超電導バルク材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＲＥＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x相中にＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材で、容易に製造でき、パルス着磁法で繰り返し着磁しても又は、超伝導発電機や超伝導モーター等の回転機の磁石に使用したとしても、強い磁場で、対称的に均一な磁場を安定に得ることができる酸化物超伝導バルク磁石部材を提供する。
【解決手段】ＲＥＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x（ＲＥは、希土類元素又はそれらの組み合わせ。ｘは、酸素欠損量であり、０＜ｘ≦０．２である。）相中にＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超電導バルク磁石部材であって、前記酸化物バルク体が、リングを含む形状を組み合せた入れ子状に配置され、前記入れ子状に配置された隣り合う酸化物バルク体の隙間をつなぐ継ぎ目により少なくとも１ヶ所でつながっていることを特徴とする酸化物超伝導バルク磁石部材である。 （もっと読む）

【課題】ＲＥＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x相中にＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材で、パルス着磁法で繰り返し着磁しても、強い磁場で、対称的に均一な磁場を有する超伝導バルク磁石にできる酸化物超伝導バルク磁石部材を提供する。
【解決手段】ＲＥＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x（ＲＥは、希土類元素又はそれらの組み合わせ。ｘは、酸素欠損量であり、０＜ｘ≦０．２である。）相中にＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材であって、前記酸化物バルク体が、複数で入れ子に配置され、前記入れ子に配置された各酸化物バルク体間に、０．０１ｍｍ以上０．４９ｍｍ以下の隙間を有し、前記隙間の少なくとも一部に樹脂、グリース又は半田を有することを特徴とする酸化物超伝導バルク磁石部材である。 （もっと読む）

【課題】高臨界電流密度特性を有するバルク酸化物超伝導材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実質的に半溶融状態にした複数の前駆体を結合することにより、半溶融時の圧粉体からの酸素放出を容易にし、低温かつ短時間で半溶融処理を行うことにより、第２相の凝集・粗大化の抑制、即ち、高臨界電流密度化を達成する。具体的には、銀を添加した板状の超伝導バルク材原料圧粉体間に、前記圧粉体間に隙間を形成するための銀の添加量が少ない超伝導バルク小片を配置し、層状に前記圧粉体配置した後、半溶融処理することで、半溶融時の圧粉体からの酸素放出を容易にし、その後、軟化した半溶融状態の圧粉体を重力により結合させ、超伝導相を結晶化することで、高臨界電流密度特性を有するバルク超伝導体を作製する。 （もっと読む）

【課題】クエンチ時、特に、局所的なクエンチ時の耐久性に優れた酸化物超電導体通電素子を提供する。
【解決手段】酸化物超電導体と、該酸化物超電導体の両端に電気的に接合された電極端子と、該酸化物超電導体に導電性樹脂により接着された支持体とから少なくとも構成されてなることを特徴とする酸化物超電導体通電素子である。 （もっと読む）

【課題】長尺で高性能な酸化物超電導導体通電素子を提供できるようにする。
【解決手段】２つ以上の酸化物超電導体を電気的に接合した酸化物超電導導体と、前記酸化物超電導導体の両端に電気的に接合した電極端子と、前記酸化物超電導導体を構成する酸化物超電導体間の接合部に接続した伝熱体とからなることを特徴とする酸化物超電導導体通電素子である。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体コンポーネントの表面全体を分路で覆う必要がなく、ホットスポット形成から保護された、複数の用途に適した大きな高温超伝導体コンポーネントを提供する。
【解決手段】本発明による高温超伝導体（１）は、予め定めた弱い箇所を形成するために、表面に少なくとも一つの減少した壁厚を有する領域を備え、前記減少した壁厚を有する領域に電気的分路（６）を備えたことを特徴とする。一実施形態によれば、前記少なくとも一つの減少した壁厚を有する領域は、前記高温超伝導体コンポーネントの表面における凹部である。 （もっと読む）

【課題】従来の方法によって製造された酸化物超電導体はクラックが発生し磁場特性が悪い欠点があった。
【解決手段】本発明においては、ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（ＲＥは希土類元素を示す）の酸化物超電導体の前駆体とセラミックス基板の間に、互いに離間して配列とされている面積が略３００平方ｍｍ²以下の多数の板状前駆体溶融バルクを中間層として介挿し、上記前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、短い時間で結晶成長可能とし、捕捉磁場特性の優れた酸化物超電導バルク体を製造する技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、種結晶の結晶構造を基に半溶融状態の前駆体を結晶化して酸化物超電導バルク体とする方法であって、前駆体を包晶温度よりも低く、結晶化開始温度よりも低い温度域において、複数段のステップで徐々に温度降下させ、各ステップにおいては等温保持する予備的段階降温等温処理を施し、次いで、前駆体を包晶温度以上の温度に加熱し、結晶成長のための処理として複数段のステップで徐々に温度降下させ、各ステップにおいては等温保持する主体的段階降温等温処理を施して前駆体を結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 RE−Ba−Cu−Ｏ系バルク超電導材料を製造するための前駆体の支持基材を提供する。
【解決手段】 RE系化合物（REはＹを含む希土類元素）、Ba系化合物、Cu系化合物またはこれらの複合化合物からなる混合物を出発物質とし、これを成形して前駆体を作製し、得られた前駆体を部分的に溶融後、冷却して超電導相を成長させるRE−Ba−Cu−Ｏ系超電導材料の製造方法において、前駆体を支持する基材の少なくとも前駆体に直接接触する部分が、RE’系化合物（RE’はRE以外の希土類元素）、Ba系化合物、Cu系化合物またはこれらの複合化合物からなる粉末とRE”₂BaCuＯ₅（RE”はRE以外の希土類元素）の粒状粒子の混合物から構成されており、かつ、基材の少なくとも前駆体に直接接触する部分から生成する（RE’，RE”）−Ba−Cu−Ｏ系超電導相の結晶生成温度が、前駆体から生成するRE−Ba−Cu−Ｏ系超電導相の結晶生成温度よりも低い。 （もっと読む）

｛１００｝面が圧延面に平行で、＜００１＞軸が圧延方向に平行な圧延集合組織を有する多結晶金属基板と、この多結晶金属基板の表面に形成された前記多結晶金属の酸化物結晶層とを含む酸化物超電導線材用金属基板において、前記酸化物結晶層における粒界傾角の９０％以上が１０度以下であり、かつ前記酸化物結晶層の９０％以上の｛１００｝面が前記多結晶金属基板の表面に対して１０°以下の角度であることを特徴とする酸化物超電導線材用金属基板。
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【課題】溶融キャステング技術により得られ、クラックが改良され、曲がりの少ない、臨界電流の均一性が改良され、そして好ましくは臨界電流が増加するＢｉＳｒＣａＣｕＯ系の高温超伝導体を提供する。
【解決手段】溶融キャストＢｉＳｒＣａＣｕＯ−タイプの高温超伝導材料であって、超伝導相内のＳｒ割合の一部がＢａで置換されていることを特徴とするＢｉＳｒＣａＣｕＯ−系の高温超伝導材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小電流・小電力領域でも高性能で、大電流・大電力領域でも特性低下の小さい超電導バルク体を提供する。
【解決手段】超電導バルク体１において、該超電導バルク体１の少なくとも表面の一部の臨界電流密度が、該超電導バルク体内部の臨界電流密度よりも大きい表面超電導領域２が設けられていることを特徴とする超電導バルク体である。表面超電導領域２は、（ａ）のように、超電導バルク体１の一つの表面全面に形成しても良いし、また、（ｂ）のように、超電導バルク体１の一つの表面の一部に形成しても良い。あるいは、（ｃ）のように、超電導バルク体１の２つの表面形成しても良い。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＲＥ１２３相の熱分解工程を含まず、高温かつ長時間の溶融が不必要なプロセスを開発し、大型でかつ高性能、かつ、機械的特性に優れた超電導バルク体を作製する方法を提供する。
【解決手段】 ＲＥ−Ｂａ−Ｏ系化合物（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上）とＢａ−Ｃｕ−Ｏ系液相原料を出発原料とし、液相成分を溶融した後、結晶成長させることを特徴とするＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作製方法である。 （もっと読む）

ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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