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Fターム[5G321DB33]の内容

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Fターム[5G321DB33]に分類される特許

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【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶(超伝導特性を示さない結晶)の析出量が少なく、短時間の処理でBi系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル%表記で、Bi 10〜40%、CaO 10〜40%、CuO 25〜65%を含有する非晶質材料を、Sr含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高温超伝導線材において基板を成す物質の種類および組成比と金属結晶粒の粒径を調節したステンレス鋼を基板として用いることにより、良好な電解研磨が行われるとともに、臨界電流特性が向上した、高温超伝導線材を提供する。
【解決手段】本発明の高温超伝導線材は、基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された高温超伝導層とを含んでなる高温超伝導線材において、前記基板は、SUS310s、またはシリコン(Si)が0.01%〜1%、モリブデン(Mo)が1%〜5%で含有されるステンレス鋼からなり、該基板を成す金属結晶粒は12μm以下の平均粒径を有し、前記高温超伝導層はReBCO(ReBaCu、Re=Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Y)系高温超伝導物質を使用する。 (もっと読む)


【課題】常温絶縁型超電導ケーブル同士を接続する超電導ケーブルの中間接続構造であって、コンパクトな超電導ケーブルの中間接続構造を提供する。
【解決手段】突き合わされた常温絶縁型超電導ケーブル200,200´の超電導導体層12,12´同士を電気的に接続する接続導体1と、接続導体1の外周を取り囲み、突き合わされた常温絶縁型超電導ケーブル200,200´の断熱管14,14´同士を連結する多重管構造の連結管2と、連結管2の外周を取り囲み、突き合わされた常温絶縁型超電導ケーブル200,200´のケーブル絶縁層15,15´に跨る接続部絶縁層3と、を備える (もっと読む)


【課題】本発明は、結晶配向性に優れ、超電導特性に優れた酸化物超電導層を形成するための基となるIBAD−MgOなどの中間層の下地として望ましい層を備え、IBAD−MgOなどの中間層の結晶配向度を更に高めることができる構造を備えた酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材21上に、XO−Y混合酸化物(但し、Xは、TiまたはHfを示す。)のベッド層22とイオンビームアシスト法により成膜された中間層23とが備えられ、酸化物超電導層が積層されて酸化物超電導導体の基材として利用されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】交流損失の低減が可能である超電導ケーブルを提供する。
【解決手段】超電導ケーブルは、フォーマ11の外周に複数の超電導線材120をスパイラル巻きして形成された超電導導体層を有するケーブルコアを備え、超電導導体層は、ケーブルコアの径方向に超電導線材120が積層された多層構造である。そして、超電導導体層において、内周側の層12aの外周には、同じように超電導線材120をスパイラル状に巻回して外周側の層が形成され、内周側の層と外周側の層との間に磁性材料からなる磁場平滑化層12mが設けられている。 (もっと読む)


【課題】酸化物薄膜の形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理を行うに際して、必要以上に熱処理時間を長くしてコストアップを招くことがなく、また、必要以上に熱処理温度を高くして品質の低下を招くことがない酸化物薄膜の成膜装置およびこのような装置を用いた酸化物薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の配向金属基板の表面の酸化層を除去する還元熱処理室の直後に、還元熱処理室より搬送された配向金属基板の表面に酸化物薄膜を成膜する成膜室を備えた酸化物薄膜の成膜装置であって、還元熱処理室と成膜室との間に、還元熱処理室および成膜室の互いの雰囲気を実質的に独立した雰囲気とする雰囲気遮断部が設けられ、さらに、還元熱処理室および成膜室のそれぞれにガス供給機構および排気機構が設けられている酸化物薄膜の成膜装置とそれを用いた成膜方法。 (もっと読む)


【課題】品質のバラツキのない、特性の劣化を生ずることのない、低コストの超電導線材を得ることを可能とする超電導線材用基板、その製造方法、及び超電導線材を提供すること。
【解決手段】テープ状基材と、このテープ状基材の表面を研磨し、前記テープ状基材の片面または両面に形成された、厚さ0.1μm〜5μmの金属メッキ層とを具備し、前記金属メッキ層表面は、鏡面仕上げ圧延、熱処理が施され、前記金属メッキ層の表面粗さRaが10nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ヒステリシス損失を低減できる前駆体の製造方法、超電導線材の製造方法、前駆体および超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造方法は、以下の工程を備えている。第1の金属層と、第1の金属層上に形成されたNi層とを有する積層金属を準備する。積層金属のNi層上に中間層20を形成する。中間層20上に超電導層30を形成する。中間層20を形成する工程および超電導層30を形成する工程の少なくともいずれか一方の後に、積層金属を熱処理することで、積層金属から非磁性Ni合金層12を形成する。 (もっと読む)


【課題】 成膜過程、又は成膜終了後の熱処理において、成膜した膜間に剥離が生じない超電導膜成膜用基板、超電導線材、及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】 金属からなる基体と、この基体の直上に形成された酸化クロムを主体とする酸化物層とを具備することを特徴とする超電導膜成膜用基板。この超電導膜成膜用基板上に、超電導層を形成したことを特徴とする超電導線材。金属からなる基体の直上に、酸化クロムを主体とする酸化物層を形成する工程を具備することを特徴とする超電導膜成膜用基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、キャップ層の形成に要する時間の短縮化及びコストの低減を図ることにより、酸化物超電導導体を生産性よく製造することができる酸化物超電導導体用基材の製造方法、酸化物超電導導体の製造方法、各製造方法で用いられる酸化物超電導導体用キャップ層の形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法では、IBAD基材7上にキャップ層を形成する方法として、金属ターゲット14a、15aを用いる反応性DCスパッタ法を用いる。形成するキャップ層は、例えばCeO層である。キャップ層を形成する際には、走行系11に沿って複数の金属ターゲット14a、15aを配設し、IBAD基材7の温度及び成膜空間に導入するガスの酸素濃度を所定の範囲に設定するのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ハンドリング性及び機械的強度に優れた金属基板を有する酸化物超電導線材を提供する。
【解決手段】走行する無配向で非磁性のNi基合金からなるテープ状の金属基板Tは、超音波洗浄槽23a及びスクラブ洗浄ローラ23bを備えた洗浄装置23及びテクスチャリング処理装置24を通過することにより金属基板Tの表面にテクスチャリング処理が施され、基板の表面に微細条痕が形成される。テキスチャリング処理層の表面上に1層又は2層以上の中開層及びReBaCu超電導体がMOD法により形成される。 (もっと読む)


【課題】高強度で且つ長手方向に安定した高度な2軸配向を有する酸化物超電導線材用金属積層基板を安価に提供する。
【解決手段】厚みが0.2mm以下の非磁性の金属板T1と、圧下率90%以上で冷間圧延された厚み50μm以下のCu合金からなる金属箔T2とを常温表面活性化接合にて積層し、積層後、150℃以上1000℃以下の熱処理により前記金属箔を結晶配向させた後、前記金属箔上に厚みで10μm以下のNiまたはNi合金のエピタキシャル成長膜T3を積層させて酸化物超電導線材用金属積層基板を製造する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化し、製造も容易とすることができる薄膜積層体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材11上に、イオンビームアシスト法(IBAD法)により形成された面内方向の結晶軸分散の半値幅(Δφ)において11〜13°の範囲に結晶配向可能な材料からなる中間層12と、該中間層上に成膜法により直に形成された蛍石系結晶構造およびそれに準じる結晶構造とされて100nm以上の膜厚で前記中間層の結晶配向性よりも優れたΔφ=8゜以下、300nm以上の膜厚でΔφ=5゜以下となる結晶配向性とされたキャップ層13とが積層されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


超伝導性物品であって、基板、基板の上に横たわるバッファ層、及びバッファの上に横たわる高温超伝導性(HTS)材料よりなるフィラメントを持つものが与えられる。フィラメントは基板の長さに沿って伸び、かつ、隣接するフィラメントから水平方向にある空間だけ空けて配置されている。多層フィラメント超伝導性テープは、少なくとも約0.4である臨界電流保持比を持つ。
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【課題】低磁性、高強度、及び高配向の酸化物超電導線材用複合基板、その製造方法、及び超電導線材を提供すること。
【解決手段】無配向の金属層と、前記金属層の片面または両面に設けられた表面配向層とを有する酸化物超導電線用複合基板であって、前記無配向の金属層に含まれる添加元素と同元素を含み、該同元素の濃度が前記金属層との界面から前記表面配向層の表面に向って減少する濃度勾配を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】薄膜の物性制御が容易であり、蒸着工程数の減少による時間節減および製造コストの減少による経済的効果を有する装置を用いて組成比における傾斜型薄膜を提供する。
【解決手段】真空チャンバー内部の複数のスパッターガン12a,12bにより、異種の物質を同時に基板の上面に蒸着する装置において、前記薄膜の組成比制御を、各種の物質成分の基板への経路上に設置された蒸着領域制御板13a,13bを用いて行い、薄膜の厚さ方向に組成比が傾斜的に変わる傾斜型薄膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】テープ状基材の表面を、超伝導膜と中間層膜とを配向性良く結晶化させるために、テープ基材表面を数ナノレベルの平滑性と均一性を持つように仕上げる研磨方法。
【解決手段】テープ状金属基材110と、テープ上金属基材110の上に形成された中間層と、さらにこの中間層の上に形成された酸化物超伝導膜層とから成る酸化物超伝導体における、テープ状金属基材110のうち、中間層が形成される面である被研磨面を研磨するテープ状金属基材110の研磨方法であって、テープ状金属基材110を連続に走行させながら、被研磨面を研磨する研磨工程を備え、研磨工程は、初期研磨である第1研磨処理部103と、その後に行う仕上研磨である第2研磨処理部104とを含んで成り、研磨工程終了後の被研磨面には走行方向と平行な研磨溝が形成されてなること、を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】金属オキシフッ化物前駆物質被膜により、高いエピタキシャル整列、好ましくはc-軸エピタキシャル整列を有する酸化物超伝導体の厚い被膜を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体被膜は、厚さが1μmまでであっても、高いJcおよびc-軸エピタキシャル酸化物粒子の容積百分率が高いことを特徴とする。酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること;および製品が77K、ゼロ磁場で約105A/cm2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、PH2O、PO2、およびその組合せからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 (もっと読む)


【課題】テープ線の損傷を最小化しながら円滑なテープ線の供給が行われるようにする長尺テープ線上への蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー10の内部に、外周面に沿って螺旋状のガイド溝が設けられ且つガイド溝に沿って長尺のテープ線が巻き付けられているドラム30と、ドラムの一側から離間して設けられた蒸着ソース40と、ドラムの両軸側にテープ線の送りリール50および巻き戻しリール60とが位置し、ドラムが回転しながら蒸着ソースからテープ線20上に特定の物質が蒸着されるようにするとともに、テープ線の送りと巻き戻しが行われるようにする長尺テープ線上への蒸着装置において、ドラムの内側で円周面に隣接して外側に突出するようにドラムの長手方向に長く設けられ、テープ線の移送方向に回転するスリップローラー100を備え、テープ線の移動の際にガイド溝においてテープ線がスリップされる長尺テープ線上への蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】基板の電解研磨時間を短縮することで生産性を向上させることができ、さらには、単位面積当たりのクラックの発生を低減させ、且つ水平度に優れている超伝導ケーブル用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による超伝導ケーブル用基板の製造方法は、ハステロイ(登録商標)(Hastelloy)C−276またはステンレス鋼を、表面粗さがRMS(Root Mean Square)値にて10nm以下の圧延ロールで圧延し基板を形成するステップと、圧延された基板を電解研磨液に浸漬して電解研磨するステップと、電解研磨された基板上に超伝導層を蒸着するステップとを含むことを技術的特徴とする。 (もっと読む)


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