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Fターム[5G321DB52]の内容

Fターム[5G321DB52]に分類される特許

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【課題】
精密な温度制御による溶融凝固過程や高配向性基体上の薄膜成長過程を経ることなしに、高い2軸もしくは3軸配向性を高い再現性で実現する超伝導体の提供。
【解決手段】
発明1の酸化物超伝導焼結体は、三軸を有する超伝導酸化物粉末が焼結されてなる酸化物超伝導焼結体であって、前記超伝導酸化物粉末の三軸が、それぞれ同一方向に配向されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Bi系超伝導線材のn値の向上方法を提供する。
【解決手段】磁場中でBi系超伝導線材を部分溶融処理するBi系超伝導線材のn値の向上方法であり、磁場中で銀シースBi2212超伝導線材を部分溶融処理するBi系超伝導線材のn値の向上方法とすることができる。磁場中で銀シースBi2212超伝導線材を部分溶融処理し、平板結晶粒のアスペクト比を小さくし、部分溶融処理は、900℃〜950℃の範囲でなされる。 (もっと読む)


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