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Fターム[5G321DC21]の内容

Fターム[5G321DC21]の下位に属するFターム

PVD法
CVD法

Fターム[5G321DC21]に分類される特許

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【課題】真空ポンプを用いないプロセスでMgB2薄膜合成を行う手法を提供する。
【解決手段】超伝導ホウ素化合物MgB薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム(MgCl)、塩化ナトリウム(NaCl)、塩化カリウム(KCl)、ホウ酸マグネシウム(MgB)、及び必要に応じホウ素(B)を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、加熱炉によって粉状出発材を加熱して溶融し、反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻す。 (もっと読む)


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