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Fターム[5G321DD04]の内容

Fターム[5G321DD04]の下位に属するFターム

改質方法

Fターム[5G321DD04]に分類される特許

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【課題】 本発明は、全く新しい原理に基づく高密度設計を可能とするMgB2超伝導体
線材の作製方法を提供しようというものである。
【解決手段】 マグネシウム5−50原子%、残部鉄からなる鉄―マグネシウム(Fe−Mg)合金層とボロン層とからなる層状複合体を作製し、この層状複合体を600−800℃の温度で熱処理し、合金層中のMgをボロン層に拡散させて、前記ボロン層とマグネシウムとを反応させて二硼化マグネシウムを生成し、ボロン層を二硼化マグネシウム(MgB2)超伝導層へと転換することによって上記課題を達成する。 (もっと読む)


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