【課題】透明導電性酸化物膜の表面の表面最大粗さ（Ｒｐｖ）が小さな透明導電性酸化物膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板の上に透明導電性酸化物膜を形成する。研磨剤を含まない酸性溶液またはアルカリ性溶液を透明導電性酸化物膜の表面に供給しながら擦る処理工程を行う。 （もっと読む）

【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚６００ｎｍ以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をＴ₁とし、成膜終了時の基体温度をＴ₂とするとき、下記（１）〜（３）の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度３００〜６５０℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
（１）Ｔ₂＝３６０〜３８０℃
（２）ΔＴ（Ｔ₁−Ｔ₂）＝４５〜６５℃
（３）少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚２００ｎｍが達するまでに基体温度の下降を開始する。 （もっと読む）

【課題】優れた透明性及び導電性を兼ね備える透明導電性部材を生産性良く製造することができる透明導電性部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性部材１の製造方法は、金属箔２上にグラフェン層３を蒸着法により形成するステップ、前記グラフェン層３の前記金属箔２とは反対側の面を透明な基材４に接合するステップ、及び前記金属箔２にパターニング処理を施すことで第一の導体層５を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＶＤ−転写法においてグラフェンフィルムを高い確実性をもって低コストで製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
（Ａ）基板として、１００μｍ×１００μｍの正方形表面領域における表面粗さ曲面の最大山高さが１００〜６００ｎｍの範囲内である金属箔を選択する工程と、
（Ｂ）前記基板の表面に炭素源を供給して、当該基板の表面に化学気相成長によってグラフェンフィルムを形成させる工程と
を備えるグラフェンフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた透明性及び導電性を兼ね備える透明導電性部材を生産性良く製造することができる透明導電性部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る透明導電性部材の製造方法は、金属箔を準備するステップ、
前記金属箔上にグラフェン層を形成するステップ、前記グラフェン層上に、直接又は一若しくは複数の層を介して、未硬化状態又は半硬化状態の反応性硬化型樹脂組成物からなる樹脂層を形成することで、中間部材を得るステップ、前記中間部材の前記樹脂層に透明な基材を重ね、続いて前記樹脂層を硬化させることで、積層物を得るステップ、及び前記積層物から金属箔を除去するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス板とその上に形成された酸化錫膜とを備えた透明導電膜付きガラス板を改良し、可視域から近赤外域にかけての広い波長域において光を効果的に散乱させるに適した構造とする。
【解決手段】本発明による透明導電膜付きガラス板においては、ガラス板１の上に形成された透明導電膜３が、酸化錫を主成分とする層３１と、層３１の表面上に配置された酸化亜鉛または酸化インジウムを主成分とする島部３２とを有し、透明導電膜３の表面に、島部からなる第１凸部３２とともに、層の表面に存在する第２凸部３３が露出している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高温高湿条件下に長時間曝露した後でも、オリゴマーの析出による白濁を生じず、且つ、良好な導電性及び可撓性を保持する透明導電性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 透明基材フィルムの両面にオリゴマー析出ブロック層を積層し、次いで、そのいずれか一方の面に導電性薄膜層を積層してなる透明導電性フィルムであって、該オリゴマー析出ブロック層は、プラズマＣＶＤ法によって蒸着された炭素含有酸化珪素蒸着膜からなる層であることを特徴とする透明導電性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題】光電池に使用可能な長波長帯領域において高い光学的特性を維持するとともに、ヘイズ値を向上させることができる光電池用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光電池用基板の製造方法に関し、透明基板にドーパントがドーピングされた酸化亜鉛薄膜層を形成する第１ステップ、及び、水素プラズマによるエッチングを通じて前記酸化亜鉛薄膜層の表面構造を制御する第２ステップを含む。 （もっと読む）

【課題】成長用基材を再利用するために成長用基材を溶かさずに炭素膜を転写用基材に再現性良く剥離する手法を提供するとともに、連続成膜方法の適用が可能な、炭素膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法で形成した透明導電性炭素膜と成長用基材の間の剥離強度（Ｆ）を１Ｎ／ｃｍ以下に制御することにより、形成した透明導電性炭素膜を成長用基材から剥がれやすくして、転写用基材に転写しやすくする。これにより、成長用基材を溶かさずに、且つダメージを与えずに剥離できるので、形成した透明導電性炭素膜は、成長用基材からは転写用基材へ連続転写・連続加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れる転写シートの提供およびその製造方法の提供にある。
【解決手段】平滑性を備える基体シート２と、前記基体シートの平滑性を反映するように基体シートの上に部分的又は全面に形成される金属薄膜層３と、前記金属薄膜層の上に形成されグラフェンを主成分とする透明導電膜層４と、前記透明導電膜層の一部上に形成される引き回し回路パターン層５と、を備える転写シート１。 （もっと読む）

【課題】耐久性、防汚性、視認性向上効果、オリゴマー抑制効果に優れる透明導電性フィルムおよびこれを用いたタッチパネルを提供する。
【解決手段】基材フィルムの一方の面に、シリカ層（Ａ）と導電層とを基材フィルム側からこの順に有し、前記基材フィルムの前記シリカ層（Ａ）を有する面とは反対面に、樹脂を含むハードコート層とシリカ層（Ｂ）とを基材フィルム側からこの順に有し、前記シリカ層（Ａ）およびシリカ層（Ｂ）が、ケイ素、炭素および酸素を含む透明導電性フィルムおよびこれを用いたタッチパネル。 （もっと読む）

【課題】低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネルを提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に設けられ、結晶構造におけるａ軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。
【解決手段】基材温度を５００℃以下、圧力を５０Ｐａ以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いて、１０ｋＰａ以下の圧力下で、基体温度が５００℃以下、かつ、形成される膜におけるキャリア電子の移動度が極大値となる成膜温度にて、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、圧力１０ｋＰａ以下の非酸化性雰囲気下にて、該成膜温度よりも２０〜３０℃高い温度で１分以上保持し、その後、圧力１０ｋＰａ以下の非酸化性雰囲気下にて、少なくとも基体温度が３００℃以下となるまで、平均冷却速度１０℃／ｍｉｎ以下で徐冷することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜での光線の吸収を減少させ、光電変換効率を向上させることができる透明導電膜基板およびその製造方法、ならびにこの基板を用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】ガラス基板１８上に第一酸化物構造層１２、第二酸化物層１４及び導電性酸化物層１６がその順に形成された光電変換デバイス用透明導電膜基板であって、第一酸化物構造層１２には、ガラス基板１８の面から突出した複数の凸部が設けられ、前記凸部のガラス基板１８の面からの高さは２００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であり、第二酸化物層１４は、ＳｉとＳｎとの混合酸化物で構成され、該混合酸化物における、ＳｉとＳｎとの合計に対するＳｎのモル比（Ｓｎ／（Ｓｉ＋Ｓｎ））が０．０５〜０．３であり、第二酸化物層１４の膜厚は２〜１０ｎｍであり、導電性酸化物層１６は、Ｆを含有したＳｎＯ₂で構成されている。 （もっと読む）

【課題】大気圧またはその近傍の圧力下での成膜により、ガラス基板上に、導電性および透明性に優れた酸化チタンを主成分とする透明導電膜を形成する方法の提供。
【解決手段】大気圧またはその近傍の圧力において、有機ニオブ化合物および有機チタン化合物を、気体として、または、微小液滴として、４５０℃以上の温度のガラス基板に吹き付けることにより、ニオブがドープされた酸化チタンからなる膜を前記ガラス基板上に形成する工程、および、酸化性ガス濃度１０ｖｏｌ％以下、かつ、還元性ガス濃度４ｖｏｌ％以下の雰囲気中で、前記ガラス基板の温度が３５０℃以下となるまで冷却する工程をこの順に実施することを特徴とする、ニオブがドープされた酸化チタンからなる透明導電膜をガラス基板に形成する方法。 （もっと読む）

【課題】量産工程に対応可能な大気圧プラズマＣＶＤ法を用いて、低抵抗な透明導電膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の成膜方法は、基板と成膜用印加電極との間に、有機金属化合物ガス、希ガス、および酸化ガスを含む成膜用ガスを供給するステップと、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、基板と成膜用印加電極との間に高周波電圧を印加することにより、成膜用ガスから成膜用プラズマを発生させるステップと、該成膜用プラズマに基板を暴露する第１ステップと、基板と後処理用印加電極との間に、希ガスを含む後処理用ガスを供給するステップと、基板と後処理用印加電極との間に高周波電圧を印加することにより、後処理用ガスから後処理用プラズマを発生させるステップと、該後処理用プラズマに透明導電膜を暴露する第２ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により大面積で高透過率、低抵抗率の透明導電膜を得ること。
【解決手段】ＣＶＤ反応容器の第１の領域にショウノウを配置する工程と、ＣＶＤ反応容器の第２の領域にグラフェンシートを形成する基板を配置する工程と、第１の領域を加熱して、ショウノウを蒸気化し、ＣＶＤ反応容器内において、不活性ガスのキャリアガスを第１の領域から第２の領域に向けて流すことにより、加熱された第２の領域に配置された基板（Ｎｉ）上にショウノウの蒸気を導く工程と、加熱された第２の領域に配置された基板上において、ショウノウの蒸気を熱分解して、基板上に、グラフェンシートを得る工程を有する。そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛透明導電膜中の酸素欠損を制御することで耐湿性を改善した透明導電膜付基板を提供する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも透光性基板と、酸化亜鉛層とを備える透明導電膜付基板であって、酸化亜鉛層のラマンスペクトルピーク強度比をＥ_２（ｈｉｇｈ）／Ａ_１（ＬＯ）＞２．０としたことを特徴とする、透明導電膜付基板。本発明によれば、酸化亜鉛層を備える透明導電膜付基板の耐湿性を著しく改善することができるため、当該基板を備えた薄膜光電変換装置は、例えばシート抵抗変化率が小さいなど、優れた耐環境信頼性を発現できる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を見直し、透明導電膜のパターン形状が目立たない導電性基板においても、透明導電膜パターン形状と金属配線パターンの位置精度が高い導電性基板およびその製造方法並びにタッチパネルを提供する。
【解決手段】導電性基板４は、透明基板１の少なくとも片面に、電圧変化を検知できる回路に接続される金属配線パターンである導電層２と、導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を有する透明導電膜３と、透明導電膜の導電性パターン領域の表面および非導電性パターン領域に形成された１又は２層以上の光学調整層５とを透明基板１側からこの順序で備える。 （もっと読む）