Fターム[5G333CB15]の内容
Fターム[5G333CB15]に分類される特許
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有機薄膜の層を有する透明導電性基板、その製造方法およびそれを用いた光学的素子
【課題】
低電圧で駆動させることができ、かつ長期間に亙って安定な導電特性を維持できる透明導電性基板、及びこの透明導電性基板を用いる有機EL素子等の光学的素子を提供する。
【解決手段】
基板と、該基板表面に形成された透明導電膜と、及び該透明導電膜上に、式(1):Rn−Si−X4−n(式中、Rは置換基を有していてもよいC1〜20の炭化水素基等を表し、nは1〜3の整数を表す。)で示されるシラン系界面活性剤、及び該シラン系界面活性剤と相互作用し得る触媒を含む有機薄膜形成用溶液から形成された有機薄膜の層を有することを特徴とする透明導電性基板、並びに、互いに対向する2つの電極間に発光層を必須の層として設けた光学的素子において、前記電極の少なくとも一方が、前記透明導電性基板からなることを特徴とする光学的素子。
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強誘電体膜、強誘電体メモリ、圧電素子、半導体素子及び強誘電体膜の製造方法
【課題】1T1C、2T2C及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体膜101は、AB1−xNbxO3の一般式で示され、A元素は、少なくともPbからなり、B元素は、Zr、Ti、V、W及びHfのうち、少なくとも一つ以上からなり、0.05≦x<1の範囲でNbを含む酸化物から形成されている。
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強誘電体膜、強誘電体メモリ、圧電素子、半導体素子及び強誘電体膜の製造方法
【課題】1T1C、2T2C及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体膜101は、AB1−xNbxO3の一般式で示され、A元素は、少なくともPbからなり、B元素は、Zr、Ti、V、W及びHfのうち、少なくとも一つ以上からなり、0.05≦x<1の範囲でNbを含む酸化物から形成されている。
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