【課題】材料の熱膨張係数の差に起因する反り等を抑制しつつ良好な結晶性の電子走行層及び電子供給層を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上方に形成された電子走行層３と、電子走行層３上方に形成された電子供給層４と、基板１と電子走行層３との間に形成され、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）を含むバッファ層２と、が設けられている。ｘの値は、バッファ層２の厚さ方向で複数の極大及び複数の極小を示し、バッファ層２中の厚さが１ｎｍの任意の領域内では、ｘの値の変化量が０．５以下となっている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層のクラックをより一層低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１の上方に形成された初期層２と、初期層２上に形成され、III−V族化合物半導体を含むコア層３と、が設けられている。初期層３として、コア層３に含まれるIII-V族化合物半導体のIII族原子の層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】トランスを用いずに入・出力間の電気的絶縁を図り、同時により小型化を図れる絶縁型コンバータを提供する。
【解決手段】誘電体２を間にして第１対角線６ａ，６ｂ上に入力電極３ａ，４ｂ，３ｃ，４ｄをそれぞれ平行配置し、第１対角線６ａ，６ｂと交差する第２対角線７ａ，７ｂ上に出力電極３ｂ，４ａ，３ｄ，４ｃを平行配置する。入力電極３ａ，４ｂ，３ｃ，４ｄに交流電力を印加して上記第１対角線６ａ，６ｂ上周囲の誘電体２内に電界発生に伴う分極を発生させ、これにより両出力電極３ｂ，４ａ，３ｄ，４ｃ上に交流電力の半サイクルごとに発生する正負電荷に基づき、当該両出力電極３ｂ，４ａ，３ｄ，４ｃから負荷９へ電力を出力する構成。 （もっと読む）

【課題】 特別なコードを準備することなく電力消費を抑制し得るＡＣアダプタ装置の提供。
【解決手段】 一次出力側接続線から供給される交流電流を直流電流に変換して二次出力側接続線を介して電気機器に供給するＡＣアダプタの、二次出力側接続線の途中部分に、電気機器へ供給する直流電流を遮断するためのスイッチを設け、二次出力側接続線の途中部分が巻回されるフェライトコアの外装体に、スイッチの操作片を設け、外装体を、フェライトコアを外装する円筒状部と、円筒状部の外周から径方向外方へ膨出する膨出部とから構成し、二次出力側接続線の途中部分を膨出部に引込んで、膨出部に内装したスイッチを介して二分した構成の消費電力抑制装置。 （もっと読む）

【課題】低コストであると同時に故障したサブモジュールの確実な橋絡を可能にする。
【解決手段】パワー半導体回路（Ｔ１，Ｔ２，Ｄ１，Ｄ２）と、パワー半導体回路（Ｔ１，Ｔ２，Ｄ１，Ｄ２）の並列回路内におけるエネルギー蓄積器（８）とを持つサブモジュール（７）の直列回路を備え、各サブモジュール（７）にサブモジュール（７）の短絡のための短絡装置が付設されている装置（１）に関する。本発明によれば、短絡装置が真空スイッチ管（１００）である。 （もっと読む）