【課題】ＥＭＩを低減できるスイッチングシステムを提供する。
【解決手段】本発明は、スイッチングシステムを提供する。スイッチングシステムは、Ｈブリッジ、電流ルーターおよび制御回路を含む。Ｈブリッジは、第一出力ノードに結合される第一スイッチと第二スイッチおよび第二出力ノードに結合される第三スイッチと第四スイッチを含み、ロードは、第一出力ノードと第二出力ノード間に結合される。電流ルーターは、第一出力ノードと第二出力ノード間に結合される第一シャントスイッチと第二シャントスイッチを含む。制御回路は、第一制御信号を生成して、第一スイッチと第四スイッチを制御し、第二制御信号を生成して、第二スイッチと第三スイッチを制御し、第三制御信号を生成して、第一シャントスイッチを制御し、第四制御信号を生成して、第二シャントスイッチを制御する。 （もっと読む）

【課題】直列に接続された複数のインバータブリッジを備えたインバータ装置において、インバータブリッジ間の利用率を変えて、インダクタンス性負荷を効率よく駆動する際に、インバータブリッジの入力電源電圧を安定させる。
【解決手段】制御部５２が、所望の電流波形における電流値Ｉの正負および電流微分値ｄＩｔ／ｄｔの正負に基づいて、インバータブリッジ直列回路２５がインダクタンス性負荷３０に与える電力のインバータブリッジ２１，２２間のバランスと、インダクタンス性負荷３０からインバータブリッジ直列回路２５に回生される電力のインバータブリッジ２１，２２間のバランスとの不均衡を是正するよう、各インバータブリッジ２１，２２のオンデューティを制御する。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路の性能を高める。
【解決手段】ユニット１０は、半導体スイッチ素子１，２と、ダイオード３，４とを備える。ダイオード３は、半導体スイッチ素子２がオン状態である時に逆バイアスされ、半導体スイッチ素子２がオフ状態である時に導通する。ダイオード４は、半導体スイッチ素子１がオン状態である時に逆バイアスされ、半導体スイッチ素子１がオフ状態である時に導通する。ダイオード３，４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）ダイオードまたはダイヤモンドダイオードである。ユニット１０を備えるパワーモジュールは、コンバータ、インバータ等の電力変換回路に適用される。 （もっと読む）

【課題】スイッチングパターンが採用される期間が短いときに、キャリアの周期を長くすることなく当該期間を拡大できるインバータの制御方法を提供する。
【解決手段】３相の指令値Ｖｕ*，Ｖｖ*，Ｖｗ*のうち例えば一対の指令値Ｖｖ*,Ｖｗ*と、第１キャリアＣとの比較によって決まるスイッチングパターンが採用される期間ｔ６１’が所定値以下であることが当該期間よりも前に推定されたときに、一対の指令値の一方、例えば指令値Ｖｗ*と比較される第２キャリアＣｗを生成する。第１キャリアＣが増大する若しくは低減する方向において所定の変化率で一対の指令値の一方と交差する第１時点ｔｃ’に対して、第１キャリアＣが当該方向で一対の指令値の他方、例えば指令値Ｖｖ*と交差する第２時点ｔｂとは反対側の第３時点ｔｃにおいて、第２キャリアＣｗが当該方向かつ当該変化率とは異なる変化率で一対の指令値の一方と交差する。 （もっと読む）

【課題】運転周波数にかかわらず高調波の少ない電圧を出力でき損失を低減した小型の半導体電力変換装置を提供する。
【解決手段】ｎ（ｎは自然数）個の互いに絶縁された３レベルの電圧を出力する逆変換装置ＩＮＶ_Ｕ１〜ＩＮＶ_Ｕｎと、逆変換装置ＩＮＶ_Ｕ１〜ＩＮＶ_Ｕｎの入力直流電圧Ｖ_ＤＣの２分の１あるいは３分の１の電圧Ｖ_ＤＣＳを入力直流電圧として逆変換装置ＩＮＶ_Ｕ１〜ＩＮＶ_Ｕｎと絶縁された３レベルの電圧を出力する逆変換装置ＩＮＶ_ＵＳとを有する。そして、逆変換装置ＩＮＶ_Ｕ１〜ＩＮＶ_Ｕｎと逆変換装置ＩＮＶ_ｕとを直列従属接続し、最大Ｖ_ＤＣ×ｎ＋Ｖ_ＤＣＳを出力する。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ回路を構成する一対のＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオードに流れる負荷電流の逆回復を速くする。
【解決手段】ブリッジ回路３は内蔵ダイオード４ａ、５ａを内蔵したＭＯＳＦＥＴ４、５により構成される。ＭＯＳＦＥＴ４、５はスイッチング制御回路６によりゲート駆動回路７、８を介して駆動制御される。負荷電流ＩＬがコイル１からブリッジ回路に向けて流れる状態であって、例えば内蔵ダイオード４ａを介して環流電流を流す状態からＭＯＳＦＥＴ５を介して負荷電流を流す状態への移行期間の終盤にＭＯＳＦＥＴ４をオンして内蔵ダイオード４ａをオフさせ、電流Ｉ１がゼロ相当になったらＭＯＳＦＥＴ４をオフ、ＭＯＳＦＥＴ５をクランプ状態で一定時間オンする。その後、ＭＯＳＦＥＴ５を通常のオン状態に移行させる。 （もっと読む）

【課題】出力電流偏差（設定電流値と出力電流値との差）を効果的に抑制する。
【解決手段】大容量インバータ回路１０Ａ，１０Ｂと小容量インバータ回路２０Ａ，２０Ｂとが誘導性負荷３０を介して直列に接続されている。大容量インバータ回路１０Ａ，１０Ｂは互いに並列に接続され、小容量インバータ回路２０Ａ，２０Ｂは互いに並列に接続されている。大容量インバータ回路１０Ａ，１０Ｂのスイッチング素子はＩＧＢＴであり、小容量インバータ回路２０Ａ，２０Ｂのスイッチング素子はＦＥＴである。 （もっと読む）

【課題】電源装置の小型化が可能なスイッチング制御を採用し、スイッチングした際発生するスイッチングノイズを低減させることができる超電導コイルの電源装置を提供する。
【解決手段】超電導コイル２を励磁する電源装置１０１を、交流電力を直流電力にする直流電源手段５１と、スイッチング信号に基づいて直流電力を交流状のスイッチング電力とする第１・第２スイッチング部５２・５３を並列接続したスイッチング手段５６と、スイッチング電力を一定電圧の平滑化電力にして超電導コイル２に出力する平滑手段５５と、第１・第２スイッチング部５２・５３に対して、所定の周波数でスイッチング信号をそれぞれ出力することにより所定の平滑化電力を形成し、第２スイッチング部５３に出力するスイッチング信号を第１スイッチング部５２に出力するスイッチング信号に対して位相差を持たせて出力するスイッチング制御手段５４とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ターンオフ用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＦＦは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１Ｕのコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオンするときに、ＦＷＤ１２Ｄの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。この場合、ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、転流電流ＩＦＷの方向が、リバースリカバリー区間に対応する方向、即ち図１３に示すＦＷＤ１２Ｄのカソードからモータ等の負荷Ｌ側に流れる方向である場合、帰還電圧ＶＦＢを生成し、それ以外の場合、帰還電圧ＶＦＢの生成を禁止する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】電子回路１の半導体素子駆動回路１３は、ゲート抵抗２１と、電圧源２２と、ｄｉ／ｄｔ帰還部２３と、バッファ１１１と、を備えている。バッファ１１１は、従来良く使われる方式であるトランジスタ１１１ｔａ，１１１ｔｂで構成されるＩＧＢＴ駆動用のバッファ回路の少なくとも一部である。ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、トランス１２１と、抵抗１２２と、を備えている。即ち、トランス１２１が、ｄｉ／ｄｔ検出部及びゲイン部に対応する。なお、電圧源２２とバッファ１１１とを結ぶ経路に抵抗１２２が直列接続され、抵抗１２２の両端が、トランス１２１の２次側に接続されており、当該経路上の抵抗１２２の両端の間が、電圧源に対応する。 （もっと読む）

【課題】デッドタイムを正確に設定する。
【解決手段】第１の駆動制御部(11H)は、第１の切替タイミングが到来した場合に、出力電圧(Vout)が基準電圧(VrefL1)に到達したことを検出した後に、第１の駆動素子(SWL)をオフ状態からオン状態に切り替え、第２の切替タイミングが到来した場合に、第１の駆動素子(SWL)をオン状態からオフ状態に切り替える。第２の駆動制御部(13H)は、第１の切替タイミングが到来した場合に、第２の駆動素子(SWH)をオン状態からオフ状態に切り替え、第２の切替タイミングが到来した場合に、第２の駆動素子(SWH)をオフ状態からオン状態に切り替える。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、変圧器の１次側の入力電流値に影響されず精度の良い偏磁判別を行うことができるインバータ電源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 インバータ回路と、負荷に適した電圧に変圧する変圧器と、変圧器の入力電流値を検出する入力電流検出回路と、出力電流値を検出する出力電流検出回路と、インバータ回路を制御する出力変調制御回路と、入力電流値が偏磁電流基準値以上になると偏磁と判別する偏磁判別回路と、偏磁が判別された時点からインバータ周波数の半周期が終了するまで出力変調制御を禁止する禁止回路と、を備え、偏磁電流基準生成回路は変圧器の入力電流値をインバータ周波数の半周期ごとにサンプルホールドした値に予め定めた偏磁電流値を加算して半周期ごとの偏磁電流基準値を生成し、偏磁判別回路は入力電流値と半周期前の偏磁電流基準値とを比較する、ことを特徴とするインバータ電源装置である。 （もっと読む）

【課題】交流電圧源から所望の周波数の交流電流を負荷に供給可能で、負荷に供給される電圧のピーク値の変動が小さく、低損失な電力変換装置及び制御方法を提供する。
【解決手段】電力変換装置１０は、三相交流電源２１の各相に接続されるリアクトルＬａｃ１乃至Ｌａｃ３と、三相ブリッジ型ＭＥＲＳ１００と、直流交流変換回路２００と、制御回路３００と、から構成される。制御回路３００が、三相ブリッジ型ＭＥＲＳ１００を構成する６つの逆導通型半導体スイッチのオン・オフを制御することで、三相ブリッジ型ＭＥＲＳ１００のコンデンサＣＭにパルス状の直流電圧が繰り返し発生する。コンデンサＣＭに発生するパルス状の直流電圧が、直流交流変換回路２００を介して交流電圧に変換されて誘導性負荷ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３に印可される。 （もっと読む）

【課題】半導体電力変換装置を氷点下に下がるような寒冷地に設置すると、水冷の電力変換システムでは、冷却水が凍結して冷却水を流せなくなり、半導体を冷却できなくなる可能性がある。また、風冷の電力変換システムでも冷却フィンが結露して凍結するとそれが障害となり、風の流れが設計時の想定と変わってしまい、そのまま運転すると十分な冷却効果を得られない可能性がある。本発明は交流系統への影響を最小限にして冷却フィンに付着した凍結物を安全に溶解することを目的とする。
【解決手段】双方向チョッパ回路などで構成された単位セルをカスケードに接続した構成を有するカスケード変換器システムにおいて、Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相をデルタ結線に接続されたカスケード変換器システムであり、かつ、デルタ結線されたカスケードアームに零相循環電流を通流することにより、接続された系統に影響を与えることなく、冷却フィンの水を溶かして冷却性能を回復できる。 （もっと読む）

【課題】 低消費電流化と高速動作化のトレードオフを克服し、貫通電流防止と駆動効率向上を可能にする誘導素子駆動回路を提供する。
【解決手段】 ＰＷＭ信号を入力する入力端子１１と、ソースが第１の電源端子に接続されたＰＭＯＳ高耐圧トランジスタＭ０と、ソースがＧＮＤに接続され、ドレインがトランジスタＭ０のドレインに接続されたＮＭＯＳ高耐圧トランジスタＭ１と、トランジスタＭ０のドレイン及びトランジスタＭ１のドレインの接続点に設けられ、誘導素子Ｌ１を駆動する信号を出力する出力端子１２と、出力端子１２の電位変化を検出してトランジスタＭ０をオフした後にトランジスタＭ１をオンする電圧検出回路９とを備える。この電圧検出回路９は、出力端子１２の端子電圧ＶＬＸがＬｏｗになったことを検知し、Ｈｉｇｈを出力してトランジスタＭ１をオンするので、貫通電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】 一定の直流電圧を利用して電解能力を制御可能であり、しかも、電解能力の調整による損失を抑えることで、放熱のためのヒートシンクを小さくでき、基板をコンパクトに構成できる電解水生成装置を提供する。
【解決手段】 通水路中に対向した電極を有する電解槽と、所定電圧の直流電源とアースとに接続されたＨブリッジ回路と、前記スイッチング素子のオン状態とオフ状態との組み合わせを変化させることで、前記電極に印加される直流電圧の極性を切替える通電制御手段と、を備えた電解水生成装置において、
￥前記通電制御手段は、２つのスイッチング素子を利用して所定の極性で前記電極へ所定電圧を印加し、前記電極に流れる電流が所定電流値となると所定電圧の印加を停止することを周期的に繰り返して電解能力を制御可能であり、前記Ｈブリッジ回路には、前記電極と直列状態で通電される位置にインダクタが接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動型圧縮機を駆動しているインバータの入力側直流電源を、バッテリ入力とＡＣ／ＤＣ入力の二系統の電源から供給する際、その電流路にダイオードＯＲ接続、及びＤＣ／ＤＣコンバータの構成を介さずに優先的な自動切換昨日を有する振動型圧縮機の電源装置を得る。
【解決手段】バッテリ入力の電源は相互にソース端子が接続されゲート端子は共通のゲート電圧によって駆動されるよう直列接続された第１及び第２のＭＯＳ−ＦＥＴで電流路を導通制御し、ＡＣ／ＤＣ入力の電源は制御部で第３のＭＯＳ−ＦＥＴで電流路を導通制御するよう構成される。バッテリ入力の電源はインバータに直接供給可能とし、ＡＣ／ＤＣ入力の電源が接続された場合には、バッテリ入力の電源に優先してインバータに供給されるよう前記第３のＭＯＳ−ＦＥＴを導通させる。更にバッテリ入力の電源からの供給とバッテリ入力の電源への充電を第１及び第２のＭＯＳ−ＦＥＴで阻止する。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ回路を構成する高速スイッチング素子を駆動対象とする場合でも、セルフターンオンの発生を防止できる駆動回路を提供する。
【解決手段】ＳＪ−ＭＯＳＦＥＴであるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｈ，３ＬによりＨブリッジ回路１を構成する場合に、駆動回路２１を、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３のソースとゲートとの間に磁気結合構造２２を設け、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｈがターンオンした際に、オフ状態に維持されるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｌの寄生ダイオード５Ｌに短絡電流が瞬間的に流れると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｌのソースに発生する電圧変動に基づいてゲートに誘導される電圧変動を打ち消すため、磁気結合構造２２Ｌを、ＰＮＰトランジスタ８ＬのコレクタとＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３のゲートとの間を接続する駆動側配線２４Ｌを、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｌのソース配線２３Ｌに対して同相で磁気結合させて構成する。 （もっと読む）