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Fターム[5H007HA05]の内容

インバータ装置 (60,604) | 構造 (4,871) | 冷却 (1,100)

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【課題】組立時にインバータ等の電力変換モジュールを収納する電力変換室への異物の混入を防止でき、三相端子を収納する三相端子室から電力変換室にボルトが転がり落ちてしまうことを防止するパワーコントロールユニットを提供する。
【解決手段】パワーコントロールユニット(30)は、電力変換室(76)と三相端子室(78)とを有し、電力変換室(76)は第3開口部(76a)を、三相端子室(78)は第4開口部(78a)をそれぞれ有し、三相端子(64a、64b、64c)は、一端が電力変換室(76)内の電力変換モジュール(60)に接続され、電力変換室(76)と三相端子室(78)とを連通する連通孔(162)を通って他端が三相端子室(78)に位置し、ブラケット(160)は、三相端子(64a、64b、64c)が挿入孔(168a、168b、168c)に挿入された状態で三相端子室(78)の内壁に固定される。 (もっと読む)


【課題】バスバーの放熱精度を向上させるパワーコントロールユニットを提供する。
【解決手段】パワーコントロールユニット(30)は、ヒートシンク(50)の上面に配置された電力変換モジュール(60)と、第1平面板状部(200)と、第2平面板状部(204)と、前記第1平面板状部及び前記第2平面板状部間に設けられた屈曲部(202)とで形成された三相端子(64)と、前記ヒートシンクの上面に設けられ、前記第2平面板状部を支持する三相端子台(66)とを備え、前記第1平面板状部は、前記電力変換モジュールの三相出力端子(148)の接触面(210)と接触固定され、前記第2平面板状部は、前記三相端子台の固定面(212)と接触固定され、前記第2平面板状部が固定されている状態で、前記第1平面板状部の固定を解除した場合は、前記第1平面板状部と前記接触面との間に所定の隙間が形成される。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージモジュールの設置面積を縮小させる技術を提供する。
【解決手段】半導体パッケージモジュール1は、半導体素子を収容する扁平状の第1のパッケージ210、及び半導体素子を収容する扁平状の第2のパッケージ210を、互いの主表面同士が対向するように配置された状態でケース体100に収容している。 (もっと読む)


【課題】基板設計や放熱手段の設計の自由度が増し、小型化が容易な電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置を得ること。
【解決手段】第1のパワーモジュール7,10と、第1のパワーモジュール7,10よりも高耐熱な第2のパワーモジュール8と、第1のパワーモジュール7,10と第2のパワーモジュール8とが混載される基板と、第1のパワーモジュール7,10および第2のパワーモジュール8が発する熱を放熱する放熱手段15と、第1のパワーモジュール7,10と放熱手段15とを密着固定する固定手段20と、を備え、第2のパワーモジュール8は、第1のパワーモジュール7,10の放熱面と放熱手段15とが固定手段20により密着固定されることにより、第2のパワーモジュールの放熱面と放熱手段15とが密着する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置で生じる熱をより効率的に放熱することができる半導体ユニットを提供する。
【解決手段】半導体ユニット10は、第1、第2金属プレートと、第1中間金属プレートと、第1、第2半導体装置と、第1、第2セラミック体を有する。第1半導体装置は、第1金属プレートと第1中間金属プレートの間に配置されている。第2半導体装置は、第1中間金属プレートと第2金属プレートの間であって、積層方向に沿って見たときに第1半導体装置と重ならない位置に配置されている。第1セラミック体は、第1金属プレートと第1中間金属プレートの間であって、前記積層方向に沿って見たときに第2半導体装置と重なる位置に配置されている。第2セラミック体は、第1中間金属プレートと第2金属プレートの間であって、前記積層方向に沿って見たときに第1半導体装置と重なる位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置の小型化を図ることができ、放電抵抗の放熱性に優れた接続コネクタを提供すること。
【解決手段】接続コネクタ1は、電源5と電力変換装置6との間を電気的に接続するためのものである。接続コネクタ1は、電源5の正極側に接続される板状の正極側バスバ2と、電源5の負極側に接続される板状の負極側バスバ3と、正極側バスバ2及び負極側バスバ3に接続される放電抵抗4とを備えている。正極側バスバ2と負極側バスバ3とは、互いの両主面201、202、301、302をそれぞれ同じ方向に向け、主面201、202、301、302に対して垂直な方向である厚み方向Zにおいて互いが重ならないように並列に配置されている。放電抵抗4は、厚み方向Zから見た場合に、正極側バスバ2における負極側バスバ3から遠い側の外端2Aと負極側バスバ3における正極側バスバ2から遠い側の外端3Aとの間に配置されている。 (もっと読む)


【課題】過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第1半導体部材10と、第2半導体部材20と、第1半導体部材10と第2半導体部材20とを一体的にモールドするモールド樹脂40と、を備えた半導体装置100であって、第1半導体装置10の第1接続部12aと第2半導体装置20の第2接続部21aとは、モールド樹脂40から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第1接続部12aと第2接続部21aにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部12a1,21a1と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部12a2,21a2と、を含む。 (もっと読む)


【課題】複数の電力変換装置を一体化した一体型電力変換装置及びそれに用いられるDCDCコンバータ装置の小型化を図ることである。
【解決手段】本発明に係る一体型電力変換装置は、第1電力変換装置と第2電力変換装置を接続した一体型電力変換装置であって、前記第1電力変換装置は、電力を変換する第1パワー半導体モジュールと、冷却冷媒が流れる流路を形成する流路形成部と、前記第1パワー半導体モジュールと前記流路形成体を収納する第1ケースと、前記流路と繋がる入口配管と、前記流路と繋がる出口配管と、を備え、前記第2電力変換装置は、電力を変換する第2パワー半導体モジュールと、前記第2パワー半導体モジュールを収納する第2ケースと、前記流路形成体は、前記流路と繋がる開口部を有し、前記第2ケースは、当該第2ケースの一部が前記開口部を塞ぐように、前記流路形成体または前記第1ケースに固定される。 (もっと読む)


【課題】インバータ装置内の各部材の配置を最適化による更なる小型化の実現。
【解決手段】回転電機接続端子25が、スイッチング素子14に対して短辺第一方向X1側に配置され、コンデンサ31が、直交方向Zに見て回転電機接続端子25と重複するように配置され、コンデンサ31とスイッチング素子14とを電気的に接続するコンデンサ接続端子33が、ベースプレート11に対して短辺第二方向X2側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子が、素子配列方向に沿って一列に並んで配置されている場合に、高電圧及び低電圧回路領域を効率的に設定し、装置を小型化できる制御装置の実現。
【解決手段】基板本体に、素子配列方向に沿って延びる中間絶縁領域と、中間絶縁領域を挟んだ一方側の高電圧回路領域と、他方側の低電圧回路領域と、が設定され、高電圧回路領域に駆動回路部が設けられ、低電圧回路領域に素子配列方向に沿って順に第一、第二、第三低電圧領域が設定され、第一低電圧領域に電圧変換部及び指令入力部が設けられ、第二低電圧領域に演算処理部が設けられ、第三低電圧領域にセンサ接続部が設けられているインバータ回路の制御装置。 (もっと読む)


【課題】制御基板の固定方法を最適化してインバータ装置の更なる小型化を実現することが望まれる。
【解決手段】複数のスイッチング素子14と電気的に接続されるバスバーモジュール20を備え、制御基板41が、バスバーモジュール20を挟んで複数のスイッチング素子14とは反対側に配置され、バスバーモジュール20が、当該バスバーモジュール20に設けられたモジュール固定部27を介してインバータケース5に固定され、制御基板41が、バスバーモジュール20に設けられた基板固定部26に固定されているインバータ装置。 (もっと読む)


【課題】通電モードによるインダクタンスの不均衡を解消し,ともに低インダクタンス化を図った電力変換装置を提供すること。
【解決手段】本発明の電力変換装置は,上アームモジュール110と,下アームモジュール130と,負荷に繋がる出力バスバー9とを有し,上アームモジュール110のミドルサイドバスバー115と下アームモジュール130のミドルサイドバスバー135と出力バスバー9とが接続されており,電源側と負荷側との間で電力変換を行うものである。ここにおいて,前記3つのバスバーの接続箇所では,3つのバスバーが重ね合わせられるとともに,それらの端部が同一の方向に向けられており,出力バスバー9の端部122が重ね順の中央に配置されており,その一方の面側にミドルサイドバスバー115が配置されており,他方の面側にミドルサイドバスバー135が配置されており,その状態で3つのバスバーの端部が溶接により接合されている。 (もっと読む)


【課題】正極バスバーと負極バスバーとの相互インダクタンスの低減に加え、正極バスバー及び負極バスバーの両方を用いて半導体モジュールとの相互インダクタンスを低減する電力変換装置を提供すること。
【解決手段】正極バスバー3は、正極端子5と負極端子6との間であって半導体モジュール1の並び方向に沿って配置される正極本体部31を備える。負極バスバー4は、正極端子5と負極端子6との間であって、半導体モジュール16の並び方向に沿って配置される負極本体部41を備える。正極本体部31と負極本体部41は、正極端子5と負極端子6とを結ぶ方向に対して向かい合うように配置されている。 (もっと読む)


【課題】パワーモジュールの信頼性をより向上させる。
【解決手段】セラミック基板8の一方の面の電極8にはんだ付けされた能動素子13,14が樹脂2で封止されたパワーモジュールにおいて、前記セラミック基板8の他方の面に導体膜11を形成し、この導体膜11の周縁部にまで樹脂2をおよばせる。 (もっと読む)


【課題】鉄道車両の走行風によって冷却を行うようにした鉄道車両用電力変換装置におけるコンバータおよびインバータの冷却体の全体の温度分布が均一になるようにして、コンバータおよびインバータ双方の半導体素子を冷却効果を高めることにより全半導体素子の温度上昇がほぼ均等になるようにすることを課題とする。
【解決手段】鉄道車両の床下に設置され、半導体素子変換回路により交流電力を直流電力に変換するコンバータと、半導体素子変換回路により前記コンバータから出力される直流電力を三相交流電力に変換するインバータと、前記コンバータおよび前記インバータの変換回路を構成する半導体素子を冷却する、複数の冷却フィンを有する冷却体とを備え、前記鉄道車両の走行によって発生する走行風を前記冷却フィンに当てて前記半導体素子の冷却を行うようにした鉄道車両用電力変換装置において、前記コンバータの変換回路を構成する半導体素子と前記インバータの変換回路を構成する半導体素子を冷却する冷却体を熱的に一体化した共通の冷却体とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電力用半導体素子の冷却効率を向上させ、通電容量の向上及び小型化に対応し、製造性に優れた電力用半導体素子及びインバータ装置を提供することにある。
【解決手段】放熱板22の上に、各相の電力用半導体素子が絶縁樹脂シート36,42,43を用いて接着され、W相正側導体33とW相第1の交流側導体35との間に接合された半導体チップは、この半導体チップから発生する熱を、W相正側導体33とW相第1の交流側導体35を介することにより、両面から放熱板22により冷却されるインバータ装置。 (もっと読む)


【課題】リアクトルとコンデンサとが面している配置においても、コンデンサの温度上昇を抑制することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換回路の一部を構成する半導体モジュール130、コンデンサ5及びリアクトル7と、該半導体モジュール130を両主面から冷却する冷却器6とを備えた電力変換装置1である。上記冷却器6は、上記半導体モジュール130の両主面に配される複数の冷媒流路60を備え、上記複数の冷媒流路60と上記半導体モジュール130とが互いに積層されて積層体13を構成している。上記コンデンサ5は、上記積層体13における積層方向Xの一端に配置されており、上記リアクトル7は、上記コンデンサ5に対して、上記積層方向Xに直交する方向に配置されている。そして、上記コンデンサ5と上記リアクトル7との間には、両者間の熱の移動を遮る遮熱板3が配置されている。 (もっと読む)


【課題】 より信頼性の高い電力変換装置を提供する。
【解決手段】 複数の半導体チップ2と、前記複数の半導体チップ2の正極側と負極側に接合し、前記複数の半導体チップ2との接合面と対向する面に接触面3aが形成された複数のバスバー3と、前記複数のバスバー3と接合している絶縁シート4と、前記複数の半導体チップ2の熱を放熱する放熱手段5と、前記接触面3aと接する位置決め部材6aが形成され、前記放熱手段5上に設けられているケース6とを有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】車両のステアリングの操舵力をモータでアシストする電動パワーステアリング装置において、モータ電流値はモータの出力の上昇に応じて大きくなり、モータ電流値が大きくなればモータを駆動させるパワー基板に備えられた半導体モジュールの温度が上昇し、過熱状態が続くと半導体モジュールが熱破壊を起こしてしまう。
【解決手段】GNDプレーン50はパワー基板接続部58a及び制御基板接続部58b、トルクセンサアンプ基板接続部58c、掛部56のカバー10との接続部、ヒートシンク接触面52cを除く表面にアルマイト加工を施し、アルマイト皮膜44を備え、パワー基板60の半導体モジュール対向面60aとパワー基板接触面52bのアルマイト皮膜44とが接触している。 (もっと読む)


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