【課題】充電電流の温度依存性が小さい低コストの充電用定電流回路と、その充電用定電流回路を用いた過充電防止機能を備えた充電装置を提供する。
【解決手段】ベースとエミッタとコレクタとベースとがそれぞれ接続される同極性の第１のトランジスタと第２のトランジスタと、第１のトランジスタのベースに一端を順方向に接続するダイオードと、ダイオードの他端と当該第１のトランジスタのエミッタとの間に直列に接続される第１の抵抗素子と、第１のトランジスタのコレクタと第２のトランジスタのベースとの接続点に一端を接続する第２の抵抗素子と、を備え、第１のトランジスタのベース・エミッタ間電圧の温度変化をダイオードの温度変化で打ち消す。 （もっと読む）

【課題】トリミングデータによって調整可能な基準電圧発生回路を備えた半導体装置において、電源が立上がるまでの基準電圧のばらつきの影響を受けないようにする。
【解決手段】半導体装置１０において、基準電圧生成部１は、外部電源電圧ＶＣＣに基づいて、トリミングデータＴＲＭ１に応じて調整された第１の基準電圧Ｖ１＊およびこのトリミングデータＴＲＭ１に依存しない第２の基準電圧Ｖ２を生成する。不揮発性メモリ３は、第１の基準電圧Ｖ１＊に基づく電圧によって動作し、上記のトリミングデータＴＲＭ１を記憶する。パワーオンリセット回路５は、電源立上げ時に外部電源電圧ＶＣＣが第２の基準電圧Ｖ２の定数倍に達したときにリセット信号の論理レベルを切替える。制御回路６は、リセット信号の論理レベルの切替に応答して、不揮発性メモリ３に記憶された上記のトリミングデータＴＲＭ１を基準電圧生成部１に読込ませる。 （もっと読む）

【課題】可変負荷デバイスへ安定した電圧及び電流信号を提供する。
【解決手段】装置は、無線周波数信号を変調するスイッチングモジュール２２に対して、略定常状態の正電圧信号及び負電圧信号を生成し、正電圧信号及び負電圧信号は、スイッチングモジュール２２のスイッチングイベントの間略安定なままである。装置は、正電圧信号よりも低い電圧レベルを有する略定常状態の基準電圧信号を生成するバイアス信号生成モジュール１００と、正電圧信号を生成する正信号生成モジュール３００と、負電圧信号を生成する負信号生成モジュール４００とを有する。正信号生成モジュール３００は、第１のキャパシタを用いて基準電圧信号に基づき正電圧信号の一部を生成し、負信号生成モジュール４００は、第２のキャパシタを用いて基準電圧信号に基づき負電圧信号の一部を生成する。 （もっと読む）

【課題】製造時の工程及び製品の消費電力の点で優れたレギュレータモジュール、及びそれを用いたバイアス回路を提供する。
【解決手段】パワーアンプモジュールとレギュレータモジュール８０１を含むパワーアンプをバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタとを同一基板上に備える技術によって１チップで構成する。レギュレータモジュール８０１はデプリーション型トランジスタによる差動増幅回路を内包する。該差動増幅回路の一方のＦＥＴＱ４のソース端子を、ダイオード接続したバイポーラトランジスタＱ７を介して、ＦＥＴＱ３のソース端子と接続することで、バイポーラトランジスタＱ７の電位差をレギュレータの出力電圧とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動による基準電圧の変動を抑制し、駆動電流の変動をなくして印刷濃度むらを防止する。
【解決手段】基準電圧発生回路６０では、ＰＭＯＳ６１ａ，６１ｂからなる第１のカレントミラー回路とＮＭＯＳ６１ｃ，６１ｄからなる第２のカレントミラー回路とを縦続接続して構成したカレントミラー回路部６１を用いて、ＮＰＮＴＲ６５，６６を駆動する構成にしている。そのため、カレントミラー回路部６１の出力側のノードＮ３とノードＮ４の電位を略等しくすることができる。これにより、電源電圧ＶＤＤの値が変化しても、ＮＰＮＴＲ６６のコレクタ電位の変動を僅少にでき、基準電圧発生回路６０から出力される基準電圧Ｖｒｅｆの変動を無視しうる程度にまで減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を有する電流を生成可能な電流生成回路を提供する。
【解決手段】第１電流源４２は、正の温度特性を有する第１電流Ｉ１を生成する。第２電流源４４は、第２電流Ｉ２を生成する。第１カレントミラー回路４６は、第２電流Ｉ２の経路上に設けられた、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタである補償用トランジスタＱ５のベース電流Ｉｂを第１係数（Ｋ１）倍して第３電流Ｉ３を生成する。第２カレントミラー回路４８は、第１電流Ｉ１と第３電流Ｉ３の差に比例した第４電流Ｉ４’を生成する。電流生成回路４０は、ベース電流Ｉｂと比例した第５電流Ｉ５と第４電流Ｉ４’の合計電流を出力する。 （もっと読む）

【課題】矩形波の信号入力に応じて出力する出力電流の波形を矩形波に近づけることが可能な電流源回路を提供する。
【解決手段】電流源回路は、電圧端子に一端が接続された第１のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタの他端に一端が接続され、出力端子に他端が接続された第２のＭＯＳトランジスタと、電圧端子に一端が接続された第３のＭＯＳトランジスタと、第３のＭＯＳトランジスタの他端に一端が接続され、出力端子に他端が接続された第４のＭＯＳトランジスタと、を備える。この電流源回路は、第１のＭＯＳトランジスタおよび第４のＭＯＳトランジスタに電流が流れるように第１の入力端子にバイアス電圧が印加された状態で、第２の入力端子に印加されるスイッチ電圧に応じて、第２のＭＯＳトランジスタおよび第３のＭＯＳトランジスタのオン／オフを同期して制御する。 （もっと読む）

【課題】最低所要供給電圧が低く、小さいチップ領域を占め、電流消費が低く、供給電圧の変動に強いバンドギャップリファレンス回路を提供する。
【解決手段】電圧ジェネレータ（ＶＧ）と、供給回路（ＳＣ）と、バイアス要素（ＢＢ）および制御要素（ＣＢ）を含むバイアス回路（ＢＣ）とを、バンドギャップリファレンス回路は含む。供給回路（ＳＣ）の制御要素（ＣＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）の制御要素（ＣＢ）のうちの一つは、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたはヘテロ接合バイポーラトランジスタを含み、供給回路（ＳＣ）のバイアス要素（ＢＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）のバイアス要素（ＢＢ）のうちの一つは、ロングゲート擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたは抵抗を含む。擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 （もっと読む）

【課題】オペアンプのオフセット電圧の影響を抑えたバンドギャップ電圧と最低動作電圧を抑えたバンドギャップ電圧とを得ることを目的とする。
【解決手段】開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタ、第２のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第１の抵抗、第１のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第１の抵抗の他端が入力に接続され、負帰還制御が行われる第１のオペアンプを有する。また、開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタのエミッタにベースが接続された第３及び第４のＰＮＰトランジスタ、第４のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第２の抵抗、第３のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第２の抵抗の他端が入力に接続された、負帰還制御が行われる第２のオペアンプを有する。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧で動作するバンドギャップ基準電圧発生回路は、分流パスを設けるため消費電流が多くなってしまう。公知技術の消費電流は、従来の低電源電圧動作のバンドギャップ回路から電流を削減したとはいえ、未だ多い。本発明では、低電源電圧で動作し、かつ、消費電流のさらに少ないバンドギャップ基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】本発明の基準電圧発生回路では、低電源電圧動作の本質を維持したまま、さらに分流パスを共通化することで、消費電流を削減する。 （もっと読む）

【課題】交流的な電源電圧変動による基準電圧への影響を抑え、かつ、半導体装置に内蔵する場合にレイアウト面積を小さくできる基準電圧生成回路を提供する。
【解決手段】それぞれカソードが基準電位に接続された第１、第２のダイオードと、第２のダイオードのアノードに一端が接続された第１の抵抗素子と、第２の抵抗素子と、第１の抵抗素子の他端に一端が接続された第３の抵抗素子と、第１のダイオードのアノードに一端が接続された第４の抵抗素子と、第１、第２の差動入力端子と差動出力端子とを有する差動増幅回路と、を備え、第１の差動入力端子に第１の抵抗素子の他端が接続され、第２の差動入力端子に第２の抵抗素子を介して第１のダイオードのアノードが接続され、差動出力端子に第３の抵抗素子の他端と第４の抵抗素子の他端とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を改善した基準電圧回路を提供する。
【解決手段】基準電圧回路１００は、電源端子と接地端子の間に順に直列にスタックされた電流源３０、第１バンドギャップリファレンス回路１０および第２バンドギャップリファレンス回路２０を備える。第１バンドギャップリファレンス回路１０と第２バンドギャップリファレンス回路２０はそれぞれ、互いに反対の温度係数を有する第１基準電圧Ｖｒｅｆ１、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２を生成するよう構成される。基準電圧回路１００は、第１基準電圧Ｖｒｅｆ１と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の和電圧Ｖｒｅｆ（＝Ｖｒｅｆ１＋Ｖｒｅｆ２）を出力する。 （もっと読む）

【課題】バイアス信号を切りかえに伴う動作特性の悪化を低減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１０は、入力電流Ｉｉｎを受け、それに応じた出力電流Ｉｏｕｔ１を別の回路に供給する。第１可変抵抗Ｒ１の第１端子は、入力端子Ｐ１と接続される。第１トランジスタＭ１および第２トランジスタＭ２は、電源端子と第１可変抵抗Ｒ１の第２端子の間に順に直列に設けられる。第３トランジスタＭ３および第４トランジスタＭ４は、電源端子と出力端子Ｐ２との間に順に直列に設けられる。第１トランジスタＭ１および第３トランジスタＭ３それぞれのゲートは第１可変抵抗Ｒ１の第２端子に接続される。第２トランジスタＭ２および第４トランジスタＭ４それぞれのゲートは入力端子Ｐ１に接続されている。第１可変抵抗Ｒ１は、その抵抗値が入力電流Ｉｉｎに応じて切りかえ可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でデプレッション型ＭＯＳトランジスタの温度特性を補償する電流源回路を提供する。
【解決手段】２つのエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタＱ２、Ｑ３から構成されたカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路の入力側の前記エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタＱ２のドレインに接続され、定電流源として機能するデプレッション型ＭＯＳトランジスタＱ１と、前記カレントミラー回路の入力側の前記エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタＱ２のソースに接続された負の温度特性を有する抵抗と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の内部電圧生成回路に供給されるグランド電圧の変動による影響を抑制すること。
【解決手段】内部回路は、内部電圧生成回路によって生成される内部電圧に基づいて動作する。また、内部電圧生成回路及び内部回路は、グランド配線を介してグランドに接続される。内部電圧生成回路は、内部電圧が出力される出力端子と、グランド配線に接続されるグランド端子と、電圧が基準電圧に応じた値に制御される中間ノードと、出力端子と中間ノードとの間に接続された第１抵抗部と、中間ノードとグランド端子との間に接続された第２抵抗部と、第１抵抗部の抵抗値Ｒ１と第２抵抗部の抵抗値Ｒ２の比率Ｒ１／Ｒ２を切り換えるスイッチ部と、を備える。スイッチ部は、内部回路が動作する時の比率を、内部回路が動作を停止している時の比率よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】所定レベルの電圧を早期に生成するとともに、回路規模の増大を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、第１の電源電圧が供給される第１電源ノードと第１の電源電圧よりも低い第２の電源電圧が供給される第２電源ノードとの間に接続され、第１電源ノードからキャパシタＣが電気的に接続されるべき基準ノードへ電流を流すことにより、キャパシタＣを充電し、基準ノードの電位を所定電圧レベルにするための基準電圧生成回路１１と、第１電源ノードと基準ノードとの間に直列接続された抵抗およびスイッチ、または第１電源ノードと基準ノードとの間に接続されたトランジスタを含み、第１電源ノードから基準ノード経由でキャパシタＣへ電流を流すことにより、基準電圧生成回路１１よりも速くキャパシタＣを充電することが可能な充電加速回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧依存性および温度依存性の低い参照電圧発生回路を提供し、もって受信感度の良好な受信回路を実現する。
【解決手段】 受信回路は、ＡＭＩ符号化された一対の信号を増幅する差動増幅回路（１１）と、差動増幅回路の出力と所定の参照電圧とを比較して入力信号の論理レベルを判別する受信データ判定回路（１２）と、前記参照電圧を発生する参照電圧発生回路（１３）とを備え、参照電圧発生回路は電源電圧を基準にした温度依存性の低い参照電圧を発生するように構成した。 （もっと読む）

【課題】基準電流電圧発生回路の起動後には、起動回路が基準電流電圧発生回路の動作へ与える影響を軽減することができる基準電流電圧発生回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる基準電流電圧発生回路は、複数のトランジスタにより自己帰還回路を構成し、基準電流または基準電圧を発生させる基準電流電圧発生回路であって、基準電流電圧回路の非動作時には、電位が第１の電源と実質的に等しく、基準電流電圧発生回路の動作時には、電位が、第１の電源の電圧から第２の電源ＶＤＤの電圧の方向に所定値以上変動する節点１０１と、第２の電源と、の間に接続され、ゲートが第１の電源に接続されているノーマリーオン型トランジスタ２１、を備える （もっと読む）

【課題】面積の大幅な増大なくレファレンス電圧生成回路を低消費電流化するとともに通常動作モード時とスタンバイモード時においてレファレンス電圧精度の大幅な劣化を抑制する。
【解決手段】スタンバイモード時に、分周制御回路１４は発振回路５が生成したクロックから、基準電圧発生回路３、基準電圧生成回路４、容量充電レギュレータ１１のＯＮ／ＯＦＦを決めるイネーブル信号ＶＲＥＦＯＮと基準電圧発生回路３、基準電圧生成回路４、ならびに容量充電レギュレータ１１がＯＮの際に、保持容量回路６内の保持容量ＣＨに充電し、ＯＦＦ期間に保持容量ＣＨに対してリーク電流パス以外は存在しないように制御するサンプリング／ホールド信号ＣＨＯＬＤＳＷを生成する。消費電流の大きい基準電圧発生回路３、基準電圧生成回路４、容量充電レギュレータ１１を間欠動作させて低消費電流化を図る。 （もっと読む）

【課題】従来の分圧回路では、電源電圧の変動に対して分圧電圧を一定に保つことができないために定電圧発生回路が必要であり回路規模が大きくなる問題があった。
【解決手段】本発明の分圧回路は、第１の電源ＶＣＣと第２の電源ＶＮＥＧとの間に直列に接続される第１の抵抗素子Ｒ１と第１のトランジスタＮ１とを備え、第１のトランジスタに流れる第１の電流ｉＮ１の大きさに応じて設定される第１の抵抗素子Ｒ１と第１のトランジスタＮ１との抵抗比に基づき第１の電源ＶＣＣの電圧と第２の電源の電圧ＶＮＥＧとの電圧差を分圧して分圧電圧を生成する分圧電圧生成回路１１と、第１のトランジスタＮ１とミラー接続され、第１の端子から第２の端子に流れる制御電流ｉ３により第１の電流ｉＮ１の大きさを決定する第２のトランジスタＮ２を有し、第１の電源ＶＣＣと接地電源との電圧差の増減に応じて制御電流ｉ３を増減させる電流制御回路１２と、を有する。 （もっと読む）