Fターム[5H420NB22]の内容

Fターム[5H420NB22]に分類される特許

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【課題】定電流のトリミングをより容易にすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の制御回路は、マルチプレクサに第2のデータをトリミングデータとして出力させる状態で、第2のデータを変化させることにより定電流を段階的に変化するように設定し、比較結果信号の論理が反転した時に対応する第2のデータを抽出し、この抽出した第2のデータを記憶回路に第1のデータとして記憶させる。


【課題】UVLO機能を内蔵したドライバ装置を提供する。
【解決手段】電源に接続された第1のスイッチ素子と、前記第1のスイッチ素子と直列接続された第2と、第3と、前記第3のスイッチ素子と並列接続された第4のスイッチ素子と、一端が前記第3及び第4のスイッチ素子に接続され、他端が前記第1のスイッチ素子の制御電極に接続された第1の抵抗と、前記第1の抵抗を介して前記第3のスイッチ素子の負荷となるカレントミラーと、前記カレントミラーに電流を流す放電回路と、外部から入力信号を受けて、前記第2と第3のスイッチ素子を介して前記第1のスイッチ素子と、を交互にオン、オフするように制御し、かつ、前記放電回路及び前記第4のスイッチ素子を、前記電源が立ち上がるときにオンさせて前記カレントミラーに電流を流すことにより、電源が立ち上がった後は前記第4のスイッチ素子をオフする制御回路を備える。


【課題】リーク電流の影響をキャンセルする。
【解決手段】レギュレータ回路100は、入力端子102に印加された入力電圧Vinを、所定の基準電圧Vrefに応じた出力電圧Voutに安定化し、出力端子104から出力する。出力トランジスタ10は、入力端子102と出力端子104の間に設けられる。誤差増幅器14は、出力電圧Voutに応じた帰還電圧Vfbが基準電圧Vrefと一致するように、出力トランジスタ10の制御端子の電圧Vgを調節する。モニタ用トランジスタ12は、出力トランジスタ10と同型であり、その一端が入力端子102に接続され、オフ状態となるように制御端子がバイアスされる。第1ミラートランジスタM1は、モニタ用トランジスタ12の経路上に設けられる。第2ミラートランジスタM2は、第1ミラートランジスタM1に流れる電流Imに応じたキャンセル電流Icを生成し、出力端子104から引き抜く。


【課題】一般的な製造可能であり、且つノイズを低減せさることが可能な基準電圧回路及びこの基準電圧回路を有する発振回路を提供することを目的とする
【解決手段】基準電圧回路200では、出力端子から出力される安定した出力基準電圧VREFを抵抗R11と抵抗R12とから構成される分圧回路211で分圧した電圧によりトランジスタM11のゲート−ソース間電圧VGS11を駆動することで、安定した出力基準電圧VREFを得る。


【課題】温度特性が小さい高精度のバンドギャップ基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】バンドギャップ基準電圧発生回路21内に可変抵抗を設け、可変抵抗の抵抗値を変化させることにより、バンドギャップ基準電圧発生回路21の出力電圧を調整する。調整するバンドギャップ基準電圧発生回路21の出力電圧の値は温度特性ができるだけ小さくなる値に設定する。可変抵抗の抵抗値の可変は、複数の抵抗を設け、その抵抗に接続されたトランジスタ等のスイッチをオンまたはオフさせることにより、各抵抗を有効化あるいは無効化させることによりなされる。バンドギャップ基準電圧発生回路21の出力電圧を最適な値にするための可変抵抗の抵抗値の固定はヒューズ等のトリミング素子を用いて実施する。


【課題】大量生産しても基準電圧の出力値のばらつきの少ない基準電圧出力回路を提供する。
【解決手段】基準電圧出力回路10は、基準電圧を出力する第1定電圧回路21A、第2定電圧回路21B及び第3定電圧回路21Cと、第1定電圧回路21Aと第2定電圧回路21Bとの出力電圧を比較し、第2定電圧回路21Bと第3定電圧回路21Cとの出力電圧を比較し、第3定電圧回路21Cと第1定電圧回路21Aとの出力電圧を比較する各セレクタ回路22・23及びコンパレータ24と、比較結果の組から各定電圧回路21A〜21Cのうち中央値を有する定電圧回路を選択する制御部13とを備える。


【課題】出力する定電流の温度特性の傾きを広範囲に設定する。
【解決手段】電流源11と、電流源11をドレインに接続する、ダイオード接続されるNchMOSトランジスタM1と、NchMOSトランジスタM1のソースと接地間に接続される第1の温度係数を持つ抵抗素子RA1と、ゲートをNchMOSトランジスタM1のゲートに接続するNchMOSトランジスタM2と、NchMOSトランジスタM2のソースと接地間に接続される第1の温度係数を持つ抵抗素子RA2および第2の温度係数を持つ抵抗素子RB2と、を備え、NchMOSトランジスタM2のドレインを出力端子12とする。


【課題】温度に依存しない基準電圧をより安定に発生できる基準電圧回路を提供する。
【解決手段】NMOSトランジスタ1〜2において、ソースとバックゲートとがショートするので、閾値電圧Vth1〜Vth2はNMOSトランジスタ1〜2のプロセスばらつきだけに依存して他の素子のプロセスばらつきに依存しない。よって、温度に依存しない基準電圧Vrefがより安定に発生する。


【課題】雑音を低減するローパスフィルタの容量を高速で充電して、高速に出力電圧を整定することが可能な基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】基準となる直流電圧を発生する基準電圧源1と、基準電圧源の出力に接続されたローパスフィルタ2と、基準電圧源の出力が入力端子に接続されローパスフィルタの出力が出力端子に接続された電圧ゲインが1倍の第1電圧バッファ回路10と、基準電圧源の出力が一方の入力端子に接続されローパスフィルタの出力が他方の入力端子に接続されたヒステリシスコンパレータ11とを備える。起動時に基準電圧源の出力とローパスフィルタの出力の電圧差が所定値を超えている期間は、ヒステリシスコンパレータの出力信号により第1電圧バッファ回路の出力インピーダンスが制御される。起動時にローパスフィルタを低インピーダンスで急速に充電することにより、整定の時間を早めることができる。


より正確なバンドギャップ基準電圧を得るための、一次および二次誤差が同時に補正されるシステムおよび方法が提供される。一次誤差の補正に含まれる成分を用いることによって二次誤差が補正されて、有利なことにはプロセス変動が少なくなる。


【解決手段】電流制御されたバイアス電流のための電流である制御電流(Icontrol)が、抵抗(a、b)によって形成される分圧器の両端の電圧降下により生成される。電圧供給電源の変動に依存する補正電流(Isink)を吸い出すことによって制御電流を補正し、電圧供給電源(Vsupply)の変動に影響されない制御電流を生成する。当該制御電流の補正は、少なくとも1つの基準トランジスタ(c、d)、及び電流吸い込み用トランジスタ(e)の組み合わせによって達成される。


【課題】 温度係数を有しない、または、任意の温度係数を有する、温度補償された定電流を出力する。
【解決手段】 温度補償された電流I1を出力する温度補償回路と、温度補償回路に電流I2を供給する電流供給回路と、を備え、温度補償回路は、ベース・エミッタ間電圧を所定の比で増倍したベース・コレクタ間電圧を発生するトランジスタQ1を含む電圧増倍回路と、ベース・エミッタ間電圧がQ1と略等しくなる、Q1と同一導電型のトランジスタQ2と、両端がQ1のコレクタおよびQ2のベースに接続される抵抗R1と、両端がQ1およびQ2のエミッタに接続される抵抗R2と、を有し、I1は、Q2のコレクタ電流に応じて出力され、I2は、Q2のベースおよびR1の接続点に供給され、R1の両端に温度に略比例して変化する電圧を発生させる。


【課題】起動時や過負荷時に内部の消費電流を制限し、起動時においてオーバシュートの発生を抑制する。
【解決手段】定電圧電源回路は、誤差増幅部50と、出力用PMOS81を有する出力部80と、PMOS81に流れる負荷電流をモニタし、負荷電流に応じて誤差増幅部50のバイアス電流を増加させる負荷電流モニタ部60と、電流制限用の抵抗62を有し、負荷電流をモニタしてこの負荷電流に応じて誤差増幅部50のゲインを低下させるゲイン調整部70とを備えている。そのため、起動時や過負荷時にゲイン調整部70をリミッタ回路として動作するようになるため、起動時や過負荷時に内部の消費電流を制限できる。しかも、起動時においては、このリミッタ動作により、起動時の応答を遅くすることとなるため、オーバシュートの発生を抑制できる。


【課題】電源電圧の変動に依存することなく、電源電圧変動除去比の良いバンドギャップ基準電圧回路を提供する。
【解決手段】電圧供給回路51によって電源電圧V5は電源電圧Vddの変動に依存しなくなる。すると、抵抗41に発生する正の温度係数を持つ電圧(V3−V2)は、電源電圧Vddでなくて電源電圧V5に基づくので、電源電圧Vddの変動に依存しない。よって、バンドギャップ基準電圧回路の電源電圧変動除去比が良くなる。


【課題】バンドギャップ電圧よりも低い電源電圧で動作し、低消費電力かつ高精度の基準電圧発生回路を提供すること。
【解決手段】第1のダイオードDaの両端と、直列に接続した第2のダイオードDbと第1抵抗R1との間に同じ電圧が掛かるように差動増幅回路A1でフィードバックをかけ、正の温度依存性を持つ差分電圧VSを第2電流I2に変換する。また、第2ダイオードDbに第3の抵抗素子R3Aを接続し、第1のダイオードDaに第4の抵抗素子R3Bを接続して、負の温度依存性を持つ順方向電圧を第3電流I3に変換する。そして、この第2電流I2と第3電流I3とを合成することで、温度依存性のない第1電流I1を生成する。さらに、第3の抵抗素子R3Aと第4の抵抗素子R3Bを出力ノードN3に接続して、第2の抵抗素子R2にI1+I3×2となる電流を流して出力電圧Voutを生成する。


【課題】スタートアップ電流が供給されないような故障モードの検査における常温でのスクリーニングを容易とする。
【解決手段】PN接合のバンドギャップに基づき所定の基準電圧VREFを生成するバンドギャップ回路10aと、電源電圧供給開始時にバンドギャップ回路10aの基準電圧VREFの出力安定化を加速するスタートアップ回路20と、を備える。バンドギャップ回路10aを構成するNMOSトランジスタ15におけるゲートとソースもしくはソース側の電源配線(接地)との間に容量素子C1を備える。


【課題】構成を複雑化することなく、電流出力の直線性を向上させることができる電流出力装置を提供する。
【解決手段】ソース電流出力回路2は、制御回路1からの上記設定値(電圧値)をレベルシフトするレベル変換回路21と、レベル変換回路21の出力値(電圧値)を電流値に変換する電圧/電流変換回路22と、を備える。また、シンク電流出力回路3は、制御回路1からの上記設定値(電圧値)をレベルシフトするレベル変換回路31と、レベル変換回路31の出力値(電圧値)を電流値に変換する電圧/電流変換回路32と、を備える。


【課題】温度係数が実質的に零でありながら低い電源電圧で動作する基準電圧発生回路を、ディプレッション型トランジスタを使用せずに実現する。
【解決手段】基準電圧発生回路が、演算増幅回路OA1と、抵抗素子R11と、ダイオードD11と、抵抗素子R12と、ダイオードD12と、演算増幅回路OA1の出力をゲートに受けるPMOSトランジスタM11、M12とを具備する。ダイオードD12のPN接合の面積の、ダイオードD11のPN接合の面積に対する比をn11とし、PMOS
トランジスタM11のW/L比のPMOSトランジスタM12のW/L比に対する比をn12としたとき、これ等のパラメータは、R12・ln(n11・n12)/(R12−n12・R11)の値がほぼ23.25となるように調節され、これにより、演算増幅回路OA1の入力端子の電圧の温度係数が実質的に零に調節される。


【課題】 デプレッション型MOSFETとエンハンスメント型MOSFETとを用いた基準電圧回路において、基準電圧を低電圧化する。
【解決手段】 デプレッション型MOSFET(M1)のソースを、主トランジスタがn型であるソースフォロワ11の入力端子に接続し、ソースフォロワ11の出力端子を主トランジスタがp型であるソースフォロワ12の入力端子に接続し、ソースフォロワ12の出力はエンハンスメント型MOSFET(M2)のゲートに接続され、
ソースフォロワ12の出力を抵抗分割して所定の電圧を得ることを特徴とする基準電圧回路とする。


【課題】高電位の電源電圧が供給される場合であっても、回路面積の増大を招くことなく、安定して基準電圧を発生することができる基準電圧発生回路を実現する。
【解決手段】ノードn11とGND間の第1のトランジスタ301と、ノードn11とGND間の第2のトランジスタ302と、第6のトランジスタ313とGND間の第3のトランジスタ303と、ノードn12とノードn11間の第4のトランジスタ304と、VCC2とノードn12間の第5のトランジスタ305と、抵抗312と第3のトランジスタ303間の第6のトランジスタ313と、を備える基準電圧発生回路である。第5のトランジスタ305の制御端子は第6のトランジスタ313及び抵抗312の接続点に接続されており、第6のトランジスタ313の制御端子は第2のノードn12に接続されている。


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