【課題】微小電圧で、且つ任意の供給電流を設定することができ、負荷の電圧遷移を高速に行うことが可能である、安定した微小電圧を発生する電圧発生回路の提供を目的とする。
【解決手段】演算増幅器１１と、第１のＰＭＯＳトランジスタ１２と、第１の抵抗１３とからなる定電流回路と、第２のＰＭＯＳトランジスタ２１と、第１のＮＭＯＳトランジスタ２２と、第２の抵抗２３と、第３のＰＭＯＳトランジスタ２４と、第２のＮＭＯＳトランジスタ２５と、第３の抵抗２６と、出力端子２７とからなるカレントミラー回路とを有する。 （もっと読む）

本発明は、ベース‐エミッタ接合領域を備えた少なくとも１つのトランジスタおよび当該のトランジスタに結合された抵抗回路網が設けられており、温度ドリフトに曝される前記ベース‐エミッタ接合領域での電圧降下と前記抵抗回路網の抵抗値とに基づいて出力電流の電流強度が定められる、入力電圧から出力電流を形成する装置に関する。本発明によれば、前記抵抗回路網はその抵抗値が温度にともなって変化する少なくとも１つの抵抗素子を含んでおり、前記出力電流の前記電流強度は前記ベース‐エミッタ接合領域での前記電圧降下の温度ドリフトから独立に一定に保持される。
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【課題】温度の変動によって一定、又は増減する特性を有する内部基準電圧を生成するバンドギャップ基準電圧生成装置を提供すること。
【解決手段】温度の変化に関係なく、一定の電位レベルを有する第１の電圧、温度の増加に対応して正（＋）の特性を有する第２の電圧、及び温度の増加に対応して負（―）の特性を有する第３の電圧を生成する電圧生成手段と、前記第１の電圧ないし第３の電圧のうち、いずれか１つの電圧を選択し、該選択された電圧の温度特性を有する少なくとも１つ以上の内部基準電圧を生成する内部基準電圧生成手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化されたＭＯＳＦＥＴに好適な基準電圧発生回路を有する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１電流密度とされる第１トランジスタと第１電流密度よりも小さな第２電流密度とされる第２トランジスタのベースを共通接続し、そのコレクタ差電圧に対応した出力電圧を増幅回路で形成して上記ベースに帰還する。第１抵抗素子に上記第１と第２トランジスタのベース，エミッタ間差電圧を印加して基準電流を形成する。上記基準電流に対応した電流を上記第１、第２及び第３トランジスタに供給する。上記第３トランジスタのベースとコレクタとを共通接続し、第２抵抗素子を直列形態に接続する。上記第３トランジスタのサイズ及び上記第１及び第２抵抗素子の抵抗値の設定により、上記第３トランジスタ及び第２抵抗素子で発生する電圧が、上記第１及び第２電源電圧及び温度変化に対して一定の基準電圧となるようにする。 （もっと読む）

【課題】外部電源のノイズの影響を阻止しつつ、基準電圧を生成する。
【解決手段】電流制御部３０のトランジスタＮＭ３１のゲートは、トランジスタＮＭ１３，ＮＭ１４のゲートに接続されて、トランジスタＮＭ１３，ＮＭ１４にそれぞれ流れるドレイン電流と同じ量のドレイン電流がトランジスタＮＭ３１に流れる。このドレイン電流は、定電流回路部２０のトランジスタＰＭ２２にも流れる。トランジスタＰＭ２１とトランジスタＰＭ２２のチャンネル幅の比は、３対１に設定され、トランジスタＰＭ２１には、トランジスタＰＭ２２の３倍の電流が流れる。トランジスタＰＭ２１，ＰＭ２２は飽和領域で動作し、電圧ＶＣの外部電源から供給された電流を定電流化し、基準電圧Ｖrefを生成するバンドギャップ回路部１０に供給する。バンドギャップ回路部１０に供給される電流が定電流化されるので、外部電源に重畳したノイズの影響は阻止される。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で温度変動に対し安定した基準電圧を得る。
【解決手段】カレントミラー回路を負荷とする差動増幅器と、差動増幅器によって駆動される第１〜第４の電流源と、一端を第１の電流源および差動増幅器の反転入力端子と接続し、他端を接地するダイオードＤ１と、一端を第２の電流源および差動増幅器の非反転入力端子と接続し、他端を接地する、ダイオードＤ２と抵抗素子Ｒ１との縦続回路と、一端を第３の電流源および基準電圧の出力端子と接続し、他端を第４の電流源と接続する抵抗素子Ｒ３と、一端を前記第３の電流源と接続し、他端を接地する抵抗素子Ｒ４と、一端を第４の電流源と接続し、他端を接地するダイオードＤ３とを備える。カレントミラー回路および第１〜第４の電流源を構成するそれぞれの電界効果トランジスタＰ１〜Ｐ６にソース電位より深いバックゲートバイアスを与える。 （もっと読む）

【課題】絶対値が小さくても高い温度依存性を有する基準電圧を発生させることができる基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】電流経路Ｐ１は、入力端子１４Ａ側から見て、ダイオード１１、及び抵抗１２（抵抗Ｒ１）を直列接続して形成され、第２の電流経路Ｐ２は、入力端子１４Ａ側からダイオード１３、抵抗１４（抵抗Ｒ２）及び抵抗１５（抵抗Ｒ３）を直列接続して形成される。オペアンプ２０の反転入力端子には、ダイオード１１のカソードと抵抗１２との間の接続点の電圧Ｖ１が与えられ、非反転入力端子には、抵抗１４と抵抗１５との接続点の電圧Ｖ２が与えられる。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧で使用可能なＣＭＯＳ集積回路用の基準電位発生回路を提供する。
【解決手段】シート抵抗１２とダイオード接続されたＮＭＯＳ１３による電位Ｖnaと、ダイオード接続されたＮＭＯＳ１５による電位Ｖnbが同電位になるように、演算増幅器２０の制御電圧ＣＯＮによってＰＭＯＳ１１，１４の駆動電流Ｉａ，Ｉｂを制御する。制御電圧ＣＯＮを電流ミラーを構成するＰＭＯＳ１６に与え、このＰＭＯＳ１６に直列に接続されたシート抵抗１７とダイオード接続されたＮＭＯＳ１８による電位を、基準電圧ＶＲＥＦとして出力する。電源電位ＶＣＣと接地電位ＧＮＤ間には、１組のＰＭＯＳとＮＭＯＳだけが接続されるので、１．５Ｖ程度の低電源電圧でも、電源電位ＶＣＣと周囲温度に依存しない一定の基準電圧ＶＲＥＦが得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、バンドギャップ電圧に限定されることなく、任意の電圧を発生可能なバンドギャップ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路は、絶対温度に実質的に比例する第１の電流を発生する電流発生回路と、電流発生回路で発生した第１の電流に基づいて絶対温度に実質的に依存しない基準電圧を生成する電圧発生回路を含み、電圧発生回路は、絶対温度に実質的に負に比例する電圧を生成する第１の素子と、第１の素子に並列に接続される抵抗分圧回路と、第１の素子と抵抗分圧回路との並列接続に接続され第１の電流に比例する第２の電流を供給する第２の素子と、抵抗分圧回路の抵抗間のノードに接続され第１の電流に比例する第３の電流を供給する第３の素子を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電圧電源で動作可能であり、出力インピーダンスの低く、さらには安定した基準電圧を供給可能な基準電圧発生回路を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の基準電圧発生回路３０は、ディプレッション型のトランジスタＭ３のゲートとソースが接続され、このトランジスタＭ３とエンハンスメント型のトランジスタＭ４のソースが接地された状態で、トランジスタＭ４のゲート電圧を出力電圧である基準電圧ＶｒｅｆＨとした。 （もっと読む）

【課題】ダイオードが持つ温度特性の非直線性を相殺可能とする基準電圧発生回路の提供。
【解決手段】
第１、第２の電流−電圧変換回路１０１、１０２と、第１、第２の電流−電圧変換回路の所定の出力電圧が等しくなるように制御する制御手段（AP1）１２１と、第１、第２の電流−電圧変換回路に電流を供給する第１のカレントミラー回路１１１と、を備えた第１の基準電流回路１と、第３、第４の電流−電圧変換回路１０３、１０４と、第３及び第４の電流−電圧変換回路の所定の出力電圧が等しくなるように制御する制御手段（AP2）１２２と、第３、第４の電流−電圧変換回路に電流を供給する線形な入出力特性を持つ第２のカレントミラー回路１１２と、を備えた第２の基準電流回路２と、前記第１の基準電流回路の出力電流Ｉ３と前記第２の基準電流回路２の出力電流Ｉ６の差電流を出力する手段１３０と、を有し、前記差電流から第５の電流−電圧変換回路１０５を介して出力電圧Vrefを得る。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作や低消費電力化を図ることができる高精度な温度検出回路を得る。
【解決手段】２つの電界効果トランジスタのゲート電極の仕事関数差を用いて、負の温度係数を有する電圧ＶＰＮを生成する第１の電圧源回路２と、２つの電界効果トランジスタにおけるゲート電極の仕事関数差を用いて、正の温度係数を有する電圧ＶＮＮを生成する第２の電圧源回路３と、電圧ＶＰＮと電圧ＶＮＮとの減算を行い、該差分を増幅する減算回路５とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧変化，温度変化，デバイスばらつきに対して安定な基準電圧を生成する。
【解決手段】 電源電圧とデバイスばらつきに依存せず温度に依存する基準電圧を生成する温度依存電圧生成手段１１と、電源電圧と温度に依存せずデバイスばらつきに依存する基準電圧を生成するデバイス依存電圧生成手段１２と、電源電圧に依存せず温度とデバイスばらつきに依存する基準電圧を生成する温度・デバイス依存電圧生成手段１３とを有し、温度依存電圧生成手段１１によって生成された基準電圧ＶＴと、デバイス依存電圧生成手段１２によって生成された基準電圧ＶＤと、温度・デバイス依存電圧生成手段１３によって生成された基準電圧ＶＶとを、所定の係数をもって加減算することによって、温度，電源電圧，デバイスのばらつきに依存しない基準電圧ＶＲＥＦを生成する。 （もっと読む）

【課題】 低電圧で電圧変動が比較的大きい電源電圧であっても温度依存性がなくかつ精度の高い基準電圧を生成することが可能であり、特に無線タグＩＣに内蔵するのに好適な基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】 電源電圧依存性のない電流を流す第１の定電流源（Ｍｐ３）と直列に第１のＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ３）を接続し、第１の定電流源が流す電流は該第１のＭＯＳＦＥＴを飽和領域で動作させる大きさとし、第１のＭＯＳＦＥＴとカレントミラー接続されて第１の定電流源と同一の電流を流す第２の定電流源として作用する第２のＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）を設ける。そして、該第２のＭＯＳＦＥＴと直列に第１のＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧よりも小さなしきい値電圧を有する第３のＭＯＳＦＥＴ（ＭｎL1）を接続して、第２のＭＯＳＦＥＴと第３のＭＯＳＦＥＴとの結合点から、上記第１のＭＯＳＦＥＴと第３のＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧差に相当する電圧を取り出すように基準電圧発生回路を構成した。 （もっと読む）

【課題】高ビット数のＡ／Ｄコンバータにも利用可能な、温度変化による出力電圧の変化の少ない精密な基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】温度補償された基準電圧発生回路は、ゼロ温度係数点を有する基準電圧発生部１と補償回路部１０とからなる。補償回路部１０は、基準電圧発生部１の出力を入力として温度補償を行う。そして、補償回路部１０には、ゼロ温度係数点より低い領域において温度の上昇に対してドレイン電流が増加する特性を有する第１ＭＯＳトランジスタ１０１と、ゼロ温度係数点より高い領域において温度の上昇に対してドレイン電流が減少する特性を有する第２ＭＯＳトランジスタ１０２とが含まれる。さらに、これらの２つのドレイン電流に対応する電流を加算して出力する、出力端子Ｖ_ｒｅｆを有する加算回路１１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 温度依存性の低い約１．２Ｖ以下の基準電圧を発生可能で、差動アンプのオフセット電圧依存性も小さくしたバンドギャップ型の基準電圧発生回路。
【解決手段】 バンドギャップ部（１０）は、電源電圧端子間に直列に接続された第１抵抗（Ｒ１）およびバイポーラトランジスタ（ＢＴ１）と、電源端子間に直列に接続された第２抵抗（Ｒ２）−バイポーラトランジスタ（ＢＴ２）−第３抵抗（Ｒ３）と、第１抵抗と第２抵抗でそれぞれ生じた電圧を入力とする差動増幅回路（ＡＭＰ１）とからなり、差動増幅回路の出力がトランジスタ（ＢＴ１，ＢＴ２）のベースに印加される。出力部（２０）は、差動増幅回路の出力がベースに印加されるバイポーラトランジスタ（ＢＴ３）と、トランジスタと直列接続された抵抗（Ｒ４）と、トランジスタ電流を転写するカレントミラー回路（２１；ＭＴ１，ＭＴ２）と、電圧変換する抵抗（Ｒ５）およびダイオード（ＢＴ４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】電圧基準回路から可変出力電圧を生成する方法及び装置を提供すること。
【解決手段】電圧基準回路は、負の温度係数を有する第１の電圧信号を生成する第１の電圧発生器と、正の温度係数を有する第２の電圧信号を生成する第２の電圧発生器とを備える。電圧基準回路は、基準電流を第１の電圧発生器及び第２の電圧発生器に供給する電流発生器を更に備える。第１の電圧信号を第２の電圧信号と比較する比較器が比較結果を生成し、比較結果に関係付けられた電流変化で基準電流を修正する。電圧基準回路は、電流発生器に結合された出力端末を備え、出力端末はバンド・ギャップ電圧より高い電圧差であって温度変化に実質的に依存しない電圧を含む。 （もっと読む）

【課題】 基準電流源となるデプレッション型のＭＯＳトランジスタが基板バイアス効果やチャネル長変調効果の影響を受けることがないようにする。
【解決手段】 基板バイアス無しで基準電流源として働くデプレッション型のＮＭＯＳトランジスタＭＤ１と、ダイオード接続のエンハンスメント型のＮＭＯＳトランジスタＭＮ１と、制御入力端子１Ｂに入力する電圧に応じたバイアス電流をバイアス出力端子１Ｃ，１ＤからＭＯＳトランジスタＭＤ１、ＭＮ１のドレインに供給するバイアス回路１と、ＭＯＳトランジスタＭＤ１のドレイン電圧とＭＯＳトランジスタＭＮ１のドレイン電圧の差分に対応する電圧をバイアス回路１の制御入力端子１Ｂに出力する差動増幅器３とを具備し、ＭＯＳトランジスタＭＤ１のドレイン電流と同じ電流をＭＯＳトランジスタＭＮ１に供給し、両ドレイン電圧が同一となるよう制御して、ＭＯＳトランジスタＭＮ１のゲート・ソース間の電圧を基準電圧Ｖrefとして出力する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、変換効率の低下を招くことなく、ノイズ環境下での出力精度を向上することが可能なスイッチングレギュレータを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るスイッチングレギュレータ２０は、センス抵抗Ｒｓと、センス電圧Ｖｓｅｎｓｅに応じたセンス電流Ｉｓｅｎｓｅを生成するセンス電流生成回路２１３と、ランプ波或いは三角波のスロープ電流Ｉｓｌｏｐｅを生成するスロープ電流生成回路２１４と、加算電流（Ｉｓｅｎｓｅ＋Ｉｓｌｏｐｅ）に応じたスロープ電圧Ｖｓｌｏｐｅを生成するスロープ電圧生成回路２１５と、出力誤差に応じた誤差電圧Ｖｅｒｒを生成する誤差増幅器ＥＲＲと、誤差電圧Ｖｅｒｒとスロープ電圧Ｖｓｌｏｐｅを比較してＰＷＭ信号を生成するコンパレータＣＭＰと、ＰＷＭ信号に基づいて出力トランジスタＮ１のオン／オフ制御を行うスイッチング制御部ＣＴＲＬと、を有して成る構成としている。 （もっと読む）

【課題】コンデンサを遮断機で開閉する装置とリアクトルをＳＣＲで制御する装置を並列運転するにあたって、コンデンサの突入電流をなくし、リアクトル電流との連続性を保つようにするのが本発明の課題である。
【解決手段】コンデンサ開閉用の三相遮断機のある相にダイオードを接続し、他の相に抵抗を接続してコンデンサには波高値と同じ直流電圧を充電し、交流電圧が直流電圧と一致したとき三相遮断機を閉じる。
三相遮断機を開くタイミングは閉じるタイミングより、アーク時間、三相遮断機のばらつきを加算して決定する。
コンデンサの開閉タイミングを予知しリアクトルの通電電流を制御するＳＣＲの制御遅れを加算してＳＣＲを制御する。 （もっと読む）