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Fターム[5H420NE00]の内容

Fターム[5H420NE00]の下位に属するFターム

Fターム[5H420NE00]に分類される特許

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【課題】回路の占有面積の増加および複雑な回路構成をきたすことなく、オフセットの影響を低減して基準電圧を目標値に近づけることのできる基準電圧回路および半導体集積回路の提供を図る。
【解決手段】第1および第2入力端子を有し、基準電圧VBGRを出力する第1増幅器AMPBM1と、第1負荷素子R1および第1pn接合素子Q1と、第2および第3負荷素子R2,R3並びに第2pn接合素子Q2と、を有し、さらに、前記第1増幅器に接続され、第3および第4入力端子を有する第2増幅器AMPBS1と、前記第2増幅器の前記第3および第4入力端子に入力する電圧SELB0,SELA0を発生し、前記第2増幅器を介して前記第1増幅器の前記第1および第2入力端子間のオフセット電圧を低減するオフセット調整電圧発生回路VTRIMG1と、を有するように構成する。 (もっと読む)


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