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Fターム[5H730AA10]の内容

DC−DCコンバータ (106,849) | 目的 (10,886) | スイッチング速度の向上、高周波化 (133)

Fターム[5H730AA10]に分類される特許

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【課題】より高電圧をより高速にスイッチングできる高速スイッチング動作回路を提供する。
【解決手段】DC/DCコンバータ1は、活性領域がSiC半導体からなるMISFETで構成されたスイッチング素子10を有する。駆動回路11は、スイッチング素子10を1MHz以上の駆動周波数で駆動する。スイッチング素子10のスイッチング時の電圧変化速度は5×10V/秒以上である。前記MISFETは、活性領域に形成されたトレンチと、トレンチの底面および壁面を絶縁膜と、絶縁膜を介して活性領域に対向するゲート電極とを含むトレンチゲート構造を有していてもよい。 (もっと読む)


【課題】ワイドギャップ半導体のターンオフの速度を高速化できるゲート駆動回路。
【解決手段】負極が接地された正電源E1と、正極が接地された負電源E2と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられ、制御信号を生成する制御回路11と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられたトランジスタQ1とトランジスタQ2との直列回路と、ドレイン端子、接地されたソース端子及びQ1とQ2との接続点に接続されたゲート端子を備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子GaNFETと、制御信号のオフ時にQ1を所定時間だけオンさせQ1を介して負電源の電圧をスイッチング素子のゲート端子に印加するターンオフ制御回路13と、スイッチング素子のゲート端子と接地との間に設けられ、制御信号のオフ時にそのゲート端子とソース端子を短絡させるトランジスタQ3とトランジスタQ4との直列回路を備える。 (もっと読む)


【課題】遷移期間においてハイサイドトランジスタQ1がオンしないようにする。
【解決手段】高電位電源ラインと低電位電源ラインとの間に直列に接続されたハイサイドトランジスタとロウサイドトランジスタと,両トランジスタの接続ノードと出力端子との間に設けられたインダクタとを有する電源装置の前記両トランジスタを駆動する駆動回路であって,前記ハイサイドトランジスタのゲートを駆動する第1のゲートドライバと,前記ロウサイドトランジスタのゲートを駆動する第2のゲートドライバとを有し,前記ハイサイドトランジスタがオンでロウサイドトランジスタがオフの第1の状態から,前記ハイサイドトランジスタがオフでロウサイドトランジスタがオンの第2の状態に遷移する遷移期間で,前記第1のゲートドライバは前記ハイサイドトランジスタのゲートを前記低電位電源ラインの電位より低い第1の電圧に駆動する電源装置の駆動回路。 (もっと読む)


【課題】主スイッチング素子の面積を大きくすることなく、ゲートの容量に蓄積された電荷を引き抜く引き抜き期間を短くすることができる電源回路を提供する。
【解決手段】Nチャネル型の主スイッチング素子10と、主スイッチング素子10を制御する駆動回路30と、主スイッチング素子10の第2電極端子に接続される負バイアス回路20とを備える。そして、負バイアス回路20を、接地された第1抵抗21と、当該第1抵抗21と第2電極端子との間に配置されて第2電極端子との接続点の電位を第1抵抗21との接続点の電位より低くする電位降下手段22、23とを有するものとする。また、駆動回路30を第1抵抗21と電位降下手段22、23との接続点に接続する。そして、主スイッチング素子10がオフされたとき、ゲートの容量に蓄積された電荷を駆動回路30および第1抵抗21と電位降下手段22、23との接続点を介して引き抜くようにする。 (もっと読む)


【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】NチャネルMOSFET5とコイル2との共通接続点;出力端子OUTとグランドとの間にフライホイールダイオード3を接続する。FET5のゲートには、NPNトランジスタ6及びPNPトランジスタ7のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ7のベースとグランドとの間にNPNトランジスタ11を接続し、トランジスタ11のベースとグランドとの間にNチャネルMOSFET14を接続して、FET14にPWM信号を入力する。ダイオード13は、FET14がオフ状態になるとトランジスタ11のベースにベース電流を供給し、ダイオード15をダイオード13のアノードとトランジスタ6及び7のベースとの間に接続する。NPNトランジスタ22をFET5のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ22をPWM信号に応じてFET5がオフする際にオンさせる。 (もっと読む)


【課題】ΔΣ変調制御を用いた単一インダクタ多出力DC/DC変換回路を備えてさらなる早い応答速度を実現し、かつクロスレギュレーションの影響を小さくするスイッチング電源回路を得ること。
【解決手段】入力電圧が単一インダクタ2出力DC/DC変換回路150に入力されると、その出力電圧が第1及び第2のエラーアンプ151,152と第1及び第2のΔΣ変調回路153,154とドライブ回路155を介してΔΣ変調制御され、単一インダクタ2出力DC/DC変換回路150から出力電圧を得る。このΔΣ変調制御の特徴は、入力信号に比例して出力のパルス密度が変化することである。 (もっと読む)


【課題】 リップル制御方式のスイッチング電源装置において、外部端子数を増加させることなくフィードバック電圧にリップル成分を付加する機能を制御回路に搭載することができるようにする。
【解決手段】 インダクタに電流を流す駆動用スイッチング素子(SW1)をオン、オフ制御する制御回路(20)を備えたリップル制御方式のスイッチング電源装置において、前記制御回路は、フィードバック電圧と所定の電圧とを比較する電圧比較回路(23)と、駆動用スイッチング素子とインダクタとの接続ノードの電位を積分する時定数回路を有し、直列RC回路を介してフィードバック電圧にリップル成分を付加するリップル注入回路(27)と、電圧比較回路の出力に基づいて制御パルスを生成する制御パルス生成回路(24)とを備え、制御パルス生成回路により生成された制御パルスに基づいて駆動用スイッチング素子をオン、オフさせるように構成した。 (もっと読む)


【課題】低消費電力で高速動作可能なレベルシフト回路、制御回路及びDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電流生成回路と、電流スイッチ回路と、保護回路と、を備えたレベルシフト回路が提供される。前記電流生成回路は、第1の高電位端子と第1の低電位端子との間に接続され、第1の電流を生成して第1の出力線に出力する。前記電流スイッチ回路は、第2の高電位端子と第2の低電位端子との間に接続され、前記電流生成回路よりも大きい電流供給能力で前記第1の電流を受け、入力信号に応じて前記第1の電流を流しまたは前記第1の電流を遮断する。前記保護回路は、前記電流生成回路と前記電流スイッチ回路との間において前記第1の出力線に接続され、前記第1の出力線の電位を前記第1の低電位端子の電位以上で前記第1の高電位端子の電位以下に制限して前記電流生成回路を過電圧から保護する。 (もっと読む)


【課題】調光用パルス信号のデューティ比が小さいと、起動時間が長くなる。
【解決手段】gmアンプ21は、電流駆動回路8(CS)に生ずる検出電圧VLEDと基準電圧VREFの誤差に応じた電流を生成する。フィードバックスイッチSW1は、フィードバックキャパシタCFBが接続されるフィードバック端子FBとgmアンプ21の出力端子との間に設けられ、調光用パルス信号PWMに応じてオンする。ソフトスタート回路32は、時間とともに変化するソフトスタート電圧VSSを生成する。クランプ回路40は、スイッチング電源4の動作開始からある期間、アクティブとなり、フィードバック端子FBに生ずるフィードバック電圧VFBを、検出電圧VLEDのレベルにかかわらずソフトスタート電圧VSSと等しくなるように制御する。 (もっと読む)


【課題】高精度かつ高速に出力電圧を制御可能なDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】スイッチング素子1の出力側信号を整流して、第2の直流電圧を生成するローパスフィルタ15と、位相の異なるクロック信号を生成する発振器8と、第2の直流電圧を複数ビットからなる第1のデジタル値に変換するAD変換器4と、参照電圧に対応する第2のデジタル値との差分を表す複数ビットからなるエラー信号を生成するエラー信号生成器6と、カウント動作を行うカウンタ10と、エラー信号の上位側ビットの値がカウンタ10のカウント値に一致するか否かを検出する比較器11と、比較器11で一致が検出されたタイミングに同期して、エラー信号の下位側ビットの値に応じて複数のクロック信号のいずれかを選択するセレクタ12と、セレクタ12が選択したクロック信号に応じてスイッチング素子1のオン/オフを制御するスイッチング制御部13と、を備える。 (もっと読む)


【課題】所望の電圧を出力することができるとともに、出力周波数を高くした場合にも良好な追従性を得ることができるDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】DC−DCコンバータ100は、単相ブリッジインバータ1,2と、それら単相ブリッジインバータ1,2の間を絶縁するトランス3とを備える。制御回路10は、単相ブリッジインバータ1の交流側に電圧V1が出力される期間の中心の位相と、単相ブリッジインバータ2の交流側に電圧V2が出力される期間の中心の位相とが互いに等しくなるようにスイッチング素子Q11〜Q14,Q21〜Q24を制御する。 (もっと読む)


【課題】負荷電流が急増した場合に、スイッチング素子に対し、固定周波数のPWM制御から、所定のOFF時間をはさんで、ON時間を設定する制御へと切り替えてスイッチを駆動して出力電圧の低下量を少なくするDC−DCコンバータの制御回路および制御方法を提供する。
【解決手段】DC−DCコンバータの出力電圧の帰還電圧Vdが、基準電圧Vrefより低く設定された電圧低下しきい値(「Vref−ΔV」と表記)より低い場合に割込信号を出力する電圧低下比較器100を設ける。そして電圧低下比較器100において、帰還電圧Vd(53)と基準電圧Vref(11)より所定電圧ΔV(101)低く設定した電圧(「Vref−ΔV」)とを比較し、帰還電圧Vd(53)が「Vref−ΔV」より下回っている場合には、電圧低下比較器100の出力であるVus(102)をLowレベルにした割込信号をPWM信号生成回路200に供給する。 (もっと読む)


【課題】出力電圧の発振や応答性が低下しない出力電圧切替機能を備えたスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】PWM信号によりスイッチング素子をオン・オフ制御し、入力電圧を所望する出力電圧に変換するスイッチング電源装置であって、外部からの動作指令を受信する通信I/F回路7と、外部からの出力電圧切替指令を受けて出力電圧を出力電圧設定値に切替える出力電圧設定部5と、分圧抵抗R2と、出力電圧の検出値Vfbと基準電圧Vrefとの誤差電圧をデジタル誤差信号e[n]に変換するADC6と、デジタル誤差信号e[n]に基づきデジタル演算によりスイッチング素子のオン時比率を指示するデューティー比信号d[n]を算出する演算制御部20と、出力電圧切替指令を受信して出力電圧を出力電圧設定値へ変更する動作を制御する出力電圧切替制御部10と、を有するコントローラ1と、デューティー比信号d[n]に応じてPWMを生成するDPWM2と、出力回路3と、平滑回路4と、を備える。 (もっと読む)


【課題】フォトトカプラでの遅延により、スイッチング電源の高速駆動に限界が生じ得る。
【解決手段】スイッチング電源は、第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタを備えている。第1のトランジスタは、直流電圧発生源の正極に接続されている。第2のトランジスタは、第1のトランジスタと直流電圧発生源の負極との間に接続されている。第1のトランジスタと第2のトランジスタは、交互に導通される。第1のトランジスタのゲート端子には、正極に接続された当該第1のトランジスタの端子の電圧を基準にゲート信号が与えられる。第2のトランジスタのゲート端子には、負極に接続された当該第2のトランジスタの端子の電圧を基準にゲート信号が与えられる。第1のトランジスタと第2のトランジスタとは、異なる材質のワイドバンドギャップ半導体から構成されている。 (もっと読む)


【課題】高いスイッチング周波数の実現が可能な半導体装置及びDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】第1の辺5側に設けられた電源端子VINと第1の辺5と対向する側に設けられた端子VFB,COMP,EN,SSとを有し、DC−DCコンバータ制御回路30を含む半導体基板2を備え、電源端子VINに接続され半導体基板2に電流及び電圧のいずれかが供給される供給部分P2−P4と電源端子VINとの距離が、第1の辺5と対向する側に設けられた端子VFB,COMP,EN,SSに接続され半導体基板2に信号が入出力される入出力部分P5−P8と第1の辺5と対向する側に設けられた端子VFB,COMP,EN,SSとの距離よりも短かくなるようにした半導体装置1が提供される。 (もっと読む)


【課題】高精度の出力電圧を生成するとともに、短時間での出力電圧の変動に応答することができる電圧変換装置を得る。
【解決手段】入力電圧Vinを直流出力電圧(出力電圧Vout)に変換する電圧変換回路(スイッチング回路10、トランス30、整流回路20、および平滑回路40)と、直流出力電圧を外部から供給された電圧指示値DVsetに対応する電圧に近づけるための第1帰還信号を、時間的に離散して生成する第1帰還部(帰還部50)と、直流出力電圧を一定にするための第2帰還信号を、時間的に連続して生成する第2帰還部(帰還部60)と、第1帰還信号および第2帰還信号に基づいて電圧変換回路を制御する制御部70とを備える。 (もっと読む)


【課題】高いスイッチング周波数の実現が可能な半導体装置及びDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】第1の辺5側に設けられた電源端子VINと前記第1の辺と対向する側に設けられた端子P2とを有し、DC−DCコンバータ制御回路30を含む半導体基板2を備え、前記電源端子に接続される配線H2が、前記第1の辺と対向する側に設けられた端子に接続される配線H1、H4よりも短かくなるようにした半導体装置。 (もっと読む)


【課題】コンデンサの容量を小さくでき安価にIC化できるゲート駆動回路。
【解決手段】直流電源V1の正極に起動抵抗R1を介して一端が接続された第1コンデンサC1と、第1電極と第2電極と第1制御電極とを有し第1コンデンサの一端に第1電極が接続され第2電極が直流電源の負極であるグランドに接続された第1スイッチQ3と、第3電極と第4電極と第2制御電極とを有し第3電極が第1スイッチの第2電極と直流電源の負極であるグランドに接続され第4電極が第1コンデンサの他端に接続された第2スイッチQ4と、第2スイッチの第3電極と第4電極とに並列に接続され一端が直流電源の負極であるグランドに接続された第2コンデンサC2と、パルス信号に基づきスイッチング素子のターンオフ時にスイッチング素子のゲートを第1コンデンサの他端及び第2コンデンサの他端に接続することによりスイッチング素子のゲートを負電圧にさせる負電圧制御部Q1,Q2とを有する。 (もっと読む)


【課題】ESRの小さな出力コンデンサを利用した場合においても安定動作が可能であり、且つロードレギュレーション特性の良好なスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】入力電圧に接続されたハイサイドMOSFET11と、ハイサイドMOSFET11のスイッチング周波数に同期したランプ信号を生成するランプジェネレータ18と、ランプ信号の振幅に応じた振幅信号Compを生成する振幅信号生成部(第2フィードバック制御回路2)と、ランプ信号の振幅及び周波数に対応した正の傾斜を有する第2ランプ信号を生成するとともに、生成した第2ランプ信号を第1基準電圧に重畳させて重畳信号を生成する重畳回路3と、ハイサイドMOSFET11のオンタイミングとオン幅とを制御する第1フィードバック制御回路1と、軽負荷から重負荷に変化したことを検知するとともに、当該検知時にハイサイドMOSFET11のオン幅を拡げるように制御する重負荷急変検知部23とを備える。 (もっと読む)


【課題】駆動回路の出力ノードが高い電圧に維持される場合でも安定した電圧を供給することが可能な駆動回路技術を提供すること。
【解決手段】入力端子INと出力ノードLX間に接続されたスイッチング素子M1と、第一電圧VBSTを発生させる第一電源回路30と、出力ノードLXの電圧を基準となる負側電源電圧とし、第一電圧VBSTを正側電源電圧とし、出力によりスイッチング素子M1を駆動する第一ドライブ回路10とを有し、第一電源回路30の基準となる負側電源電圧として出力ノードLXの電圧を用いる。スイッチング素子M1は、入力端子INにドレインまたはコレクタが接続され、出力ノードLXにソースまたはエミッタが接続されたNチャンネルMOSFETまたはNPNトランジスである。 (もっと読む)


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