【課題】スイッチ端子の短絡状態をより速く検出することが可能な短絡保護回路を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ１００は、第１導電型の第１ＭＯＳトランジスタＭ１と、第２導電型の第２ＭＯＳトランジスタＭ２と、第１ドライバ回路３と、第２ドライバ回路６と、コントローラ７と、短絡保護回路１０１と、スイッチ端子ＳＷとを備える。短絡保護回路１０１は、電源電位ＶＤＤとの短絡を検出する第１論理回路１と、第１検出回路２と、第１抵抗Ｒ１と、第１導電型の第３ＭＯＳトランジスタＭ３と、第１導電型の第４ＭＯＳトランジスタＭ４と、を有すると共に、接地電位ＶＳＳとの短絡を検出する第２抵抗Ｒ２と、第２導電型の第５ＭＯＳトランジスタＭ５と、第２導電型の第６ＭＯＳトランジスタＭ６と、第２論理回路４と、第２検出回路５とを有し、検出結果に基づいた第１、第２検出信号Ｓｄ１、Ｓｄ２をコントローラ７に出力する。 （もっと読む）

【課題】 ＤＳＰを備えるデジタル制御回路を用いた電源装置において、急激な負荷変動に対しても適切に応答することが可能な技術を開示する。
【解決手段】 本明細書が開示する電源装置は、ヒステリシスコンパレータを備えるアナログ制御回路と、デジタル信号処理装置（ＤＳＰ）を備えるデジタル制御回路と、アナログ制御回路またはデジタル制御回路からの指令信号に従い動作するスイッチング電源回路を備えている。その電源装置は、スイッチング電源回路の出力電圧が急変する場合は、アナログ制御回路によってスイッチング電源回路をヒステリシス制御する。その電源装置は、スイッチング電源回路の出力電圧が急変しない場合は、デジタル制御回路によってスイッチング電源回路をＰＷＭ制御する。 （もっと読む）

【課題】インダクタンスを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】整流用ＭＯＳＦＥＴ２０と転流用ＭＯＳＦＥＴ２１、及びこれらを駆動する駆動用ＩＣ２２を一つのパッケージに実装した半導体装置において、整流用ＭＯＳＦＥＴ２０、金属板２５、転流用ＭＯＳＦＥＴ２１を積層し、主回路の電流はパッケージの裏面から表面に向かって流れ、金属板２５はパッケージ内の配線を経由して出力端子に繋がり、駆動用ＩＣ２２と整流用ＭＯＳＦＥＴ２０、及び転流用ＭＯＳＦＥＴ２１を繋ぐ配線にワイヤボンディング２３を用い、全ての端子が同一面に配置されている。これにより、インダクタンスが小さくなり、電源損失及びスパイク電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】負荷電流の変動による導通損失を減らし、変換効率を向上させる。
【解決手段】電源の出力側に接続されたコンデンサＣ６２を一端とするチョークコイルＬ６１と、電源の入力側とチョークコイルＬ６１の間に接続され、チョークコイルＬ６１を介して出力電圧を制御する主スイッチング素子Ｑ６１と、回生ダイオードＤ６１と、出力電圧に比例した電圧と基準電圧を比較して主スイッチング素子Ｑ６１をオン又はオフするコンパレータＩ６１と、主スイッチング素子Ｑ６１のオン状態が所定の時間、継続されるように、コンパレータＩ６１に入力される出力電圧に比例した電圧を所定の時間、変更するワンショットマルチバイブレータと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】出力電流の変動を抑圧するようにＤＣ／ＤＣコンバータを制御する。
【解決手段】帰還電流生成回路１４及び合成回路１６は、インダクタ電流ＩＬの直流成分を表す第１の帰還電圧ＶＦＢ１を生成する。リップル信号生成回路１５は、入力電圧及び出力電圧に基づいて、インダクタ電流ＩＬの交流成分を表す第２の帰還電圧ＶＦＢ２を生成する。合成回路１５は、第１及び第２の帰還電圧を合成して第３の帰還電圧ＶＦＢ３を生成する。コンパレータ１２は、基準電圧ＶＲＥＦと第３の帰還電圧ＶＦＢ３とを比較し、ハイレベル又はローレベルの制御信号ＨＹＳＯを出力する。ドライバ回路１３は、スイッチング素子Ｍ１，Ｍ２を制御する。リップル信号生成回路１５は、制御信号ＨＹＳＯがローレベルであるとき、入力電圧と出力電圧との差に基づいて第２の帰還電圧を生成し、制御信号ＨＹＳＯがハイレベルであるとき、出力電圧に基づいて第２の帰還電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】標高の高い場所においてモータに供給することのできる最大電圧を高める電気自動車を提供する。
【解決手段】電気自動車１００は、車輪駆動用のモータＭＧへ電力を供給するメインバッテリＭＢと、補機類へ電力を供給するサブバッテリＳＢと、電圧コンバータ４０と、ＹコンデンサＹＣ１、ＹＣ２を備える。サブバッテリＳＢの出力電圧はメインバッテリＭＢの出力電圧よりも低く、電圧コンバータ４０が、メインバッテリＭＢの出力電圧あるいはモータＭＧの回生電力の電圧をサブバッテリＳＢの充電に適した電圧まで降圧する。ＹコンデンサＹＣ１、ＹＣ２は、電圧コンバータ４０の入力側あるいは出力側に接続される。電気自動車１００は、車両が位置する標高が標高閾値を上回った場合に、Ｙコンデンサの容量を小さくする。 （もっと読む）

【課題】追加する電子部品の部品点数を低減でき、製造コストを低減できるスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】スイッチング電源装置１は、一対の電力ライン１０，１１と、直流負荷２と、コンデンサＣと、スナバ用トランスＴｓと、パルス電流発生回路５と、直列体１２とを備える。直列体１２は、スナバ用トランスＴｓの二次コイル４２とスナバ用ダイオードＤｓとを直列接続してなる。直列体１２はコンデンサＣに並列接続されている。スナバ用ダイオードＤｓのアノード端子は二次コイル４２に接続している。また、スナバ用ダイオードＤｓのカソード端子はコンデンサＣの高電位側の電極端子に接続している。パルス電流発生回路５によって発生したパルス電流Ｉｐは一次コイル４１に流れる。一次コイル４１は、パルス電流Ｉｐを平滑化する平滑リアクトルである。一次コイル４１には、整流ダイオード５３が直列接続している。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性を有する電源制御回路モジュールを実現する。
【解決手段】電源制御回路モジュール１を構成する積層体９００の表面には、電源制御ＩＣが実装されている。電源制御ＩＣのスイッチングレギュレータ用素子１０１と、インダクタ素子２１とを接続する第１の内層電極４２１、インダクタ素子２１とキャパシタ素子３１とを接続する第１の内層電極４２２、スイッチングレギュレータ用素子１０１とキャパシタ素子３１とを接続する第１の内層電極４４１は、積層体９００の上層領域に形成されており、電源制御ＩＣの実装領域と、積層体９００の外周壁との間で引き回されている。第１の内層電極４２１，４２２，４４１は、積層体９００の中央領域に形成された、制御信号が伝送される第２の内層電極４５１よりも幅広に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴの特性の劣化を抑制しつつ、ソースからドレインへの電流の逆流を防止する。
【解決手段】逆流防止回路３０は、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのスイッチングトランジスタＭ１のソースからドレインへの逆流電流を防止する。第１スイッチＳＷ２１は、スイッチングトランジスタＭ１のバックゲートと接地端子との間に設けられる。第２スイッチＳＷ２２は、スイッチングトランジスタＭ１のバックゲートとそのソースの間に設けられる。バックゲートコントローラ３２は、ＤＣ／ＤＣコンバータの入力電圧Ｖ_ＩＮとその出力電圧Ｖ_ＢＡＴを比較し、（１）入力電圧Ｖ_ＩＮの方が高いとき、第１スイッチＳＷ２１をオフ、第２スイッチＳＷ２２をオンし、（２）入力電圧Ｖ_ＩＮの方が低いとき、第１スイッチＳＷ２１をオン、第２スイッチＳＷ２２をオフする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高速な過渡応答を実現するリップル制御のＤＣ−ＤＣコンバータ回路を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ回路は、トランジスタＰ１及びＮ１と、トランジスタＰ１及びＮ１とＤＣ−ＤＣコンバータ回路の出力端子６との間に接続されたインダクタＬ１と、インダクタ電流のリップルに応じて変化するリップル電圧を生成するリップル生成回路１と、帰還電圧を生成するフィードバック回路５と、帰還電圧が所定の電圧範囲内にあるか否かを検出する検出器と、基準電圧を生成する基準電圧源と、基準電圧と帰還電圧とを比較する比較器３と、トランジスタＰ１及びＮ１を制御するドライバ駆動回路４とを備える。帰還電圧が電圧範囲内にあるとき、比較器３によって比較される帰還電圧にリップル電圧が重畳され、帰還電圧が電圧範囲外にあるとき、比較器３によって比較される帰還電圧にリップル電圧が重畳されない。 （もっと読む）

【課題】等価直列抵抗の小さな出力キャパシタを使用した場合でも安定動作するコンパレータ制御方式のＤＣ−ＤＣコンバータ回路を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ回路は、ＰＭＯＳトランジスタと、ＮＭＯＳトランジスタと、各トランジスタのドレインとＤＣ−ＤＣコンバータ回路の出力端子との間に接続されたインダクタと、基準電圧と、ＤＣ−ＤＣコンバータ回路の出力端子における出力電圧に比例した帰還電圧とを比較する比較器と、各トランジスタを制御するドライバ制御回路と、インダクタを流れる電流を検出して電流の大きさに対応する電圧に変換する電流−電圧変換回路と、電流−電圧変換回路によって変換された電圧からインダクタを流れる電流の交流成分と相似な電圧を抽出して生成する重畳電圧生成回路とを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ回路は、重畳電圧生成回路によって抽出された電圧を、比較器によって比較される帰還電圧に重畳させる。 （もっと読む）

【課題】電子素子の熱による破損を防止して、安全性を向上させることができる電力制御装置を提供する。
【解決手段】電力制御装置１は、入力された電力Ｐｓを変換して負荷６０に供給する電力変換手段１１と、出力電圧Ｖｏｕｔを制御する制御手段４０と、電力変換手段１１を構成する電子素子１３と、電子素子１３の温度を検知する温度検知手段２０と、電子素子１３の温度Ｔが制限値ＴＬを超えたとき、過熱状態であると判断する過熱判断手段３３と、出力電圧Ｖｏｕｔを変更する電圧変更手段３１と、電子素子１３の温度を比較する温度比較手段３２とを備える。電圧変更手段３１は、過熱状態であると判断された場合に出力電圧Ｖｏｕｔを変更し、電子素子１３の温度Ｔが下降したとき、出力電圧Ｖｏｕｔを同じ方向に変更し、電子素子１３の温度Ｔが上昇したとき、出力電圧Ｖｏｕｔを反対の方向に変更する。 （もっと読む）

【課題】昇降圧チョッパ型電源装置のブリッジ整流器による電力損失を改善する。
【解決手段】交流電源１の各々の端子とコンデンサ２の一方の端子との間にＭＯＳＦＥＴ３とリアクトル４とダイオード５からなる直列回路と、ＭＯＳＦＥＴ６とリアクトル７とダイオード８からなる直列回路とを各々接続し、リアクトル４のダイオード５側端子とコンデンサ２の他方の端子の間及びリアクトル７のダイオード８側端子とコンデンサ２の他方の端子の間にスイッチ素子９と１０を各々接続し、リアクトル４のＭＯＳＦＥＴ３側端子とコンデンサ２の他方の端子の間及びリアクトル７のＭＯＳＦＥＴ６側端子とコンデンサ２の他方の端子との間にダイオード１１と１２を各々接続し、ＭＯＳＦＥＴ３、６、スイッチ素子９、１０をオンオフする発振制御回路１５を付加した。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ及びリアクトルを冷却しやすく、制御回路が誤動作しにくい電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１は、積層体１０と、制御回路基板３と、コンデンサ４及びリアクトル５と、第１冷却器６とを備える。積層体１０は、複数の半導体モジュール２と、複数の冷媒流路１１とを積層してなる。制御回路基板３は、半導体モジュールの制御端子２１に接続してある。第１冷却器６は、コンデンサ４及びリアクトル５を冷却する。複数の冷媒流路１１により、半導体モジュール２を冷却する第２冷却器７が構成されている。制御端子２１の突出方向（Ｚ方向）において、制御回路基板３と、積層体１０と、コンデンサ４及びリアクトル５と、第１冷却器６とが、この順に配置されている。 （もっと読む）

【課題】低負荷状態での効率を改善したＤＣ−ＤＣコンバータを提供すること。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ１のＤＣ−ＤＣコントローラ１０は、ＰＦＭコンパレータ１１とＰＷＭコンパレータ１２を備える。低負荷状態となり負荷電流が小さくなるとＰＦＭコンパレータ１１により２０Ｈｚ以下の周波数でスイッチング素子を動作させ、負荷が増加して２０Ｈｚ以上の周波数でスイッチング素子を動作させる状況になると、２０ｋＨｚ以上の周波数で主としてＰＷＭコンパレータ１２によりスイッチング素子を動作させる。 （もっと読む）

【課題】電圧変換時の損失を低減し、効率の低下を抑えることができる力率改善回路を提供する。
【解決手段】整流手段Ｒｃで整流された直流の整流電圧Ｖｐｆｃと、与えられた目標電圧Ｖｏとを比較し、整流電圧Ｖｐｆｃが目標電圧Ｖｏよりも低いとき、第２スイッチング素子Ｔｒ２をオフにし、第１スイッチング素子Ｔｒ１をスイッチングする制御信号を出力し、整流電圧Ｖｐｆｃが目標電圧Ｖｏよりも高いとき、第１スイッチング素子Ｔｒ１をオンに、第２スイッチング素子Ｔｒ２をスイッチングする制御信号を出力する制御手段Ｃｏｎｔを備えた力率改善回路。 （もっと読む）

【課題】電圧変換時の損失を低減することで、効率の低下を抑えることができる力率改善回路を提供する。
【解決手段】前記制御手段は、整流波が０Ｖから電圧が上昇する部分の一部である第１領域と、第１領域の後に始まり整流波が最大値を過ぎ電圧が下降する部分に終了する第２領域と、前記第２領域の後に始まり電圧が０Ｖになるまでの第３領域とに分け、第１領域及び第３領域では、第１スイッチング素子Ｔｒ１をオンにし、第２スイッチング素子Ｔｒ２をスイッチングする制御信号を出力し、第２領域では、第２スイッチング素子Ｔｒ２をオフに、第１スイッチング素子Ｔｒ１をスイッチングする制御信号を出力することを特徴とする力率改善回路。 （もっと読む）

【課題】位相余裕を確保することができる電源の制御回路を提供する。
【解決手段】制御回路３は、出力電圧Ｖｏの交流成分を利得調整する利得調整回路１０と、利得調整回路１０の出力信号Ｓａを出力電圧Ｖｏの分圧電圧Ｖｎに付加して帰還電圧ＶＦＢを生成する付加回路３０と、基準電圧ＶＲ０を所定の割合で変化させて参照電圧ＶＲ１を生成する参照電圧生成回路５０とを有する。また、制御回路３は、帰還電圧ＶＦＢと参照電圧ＶＲ１との比較結果に応じたタイミングで、メイン側のトランジスタＴ１をオンさせるための信号Ｓ１を出力する比較器４０を有する。 （もっと読む）

【課題】DC-DC変換器において、素子の保護と、変換効率の向上を両立させる。
【解決手段】本発明の一態様は、入力電圧をこれとは異なる出力電圧に変換して負荷に供給するDC-DC変換器に関する。入力端子は、入力電圧を受ける。出力端子は、出力電圧を出力する。複数のパワー段は、それぞれハイサイドスイッチと、ローサイドスイッチと、インダクタとを含む。制御部は、第1モードと第2モードを実行する。前記第1モードは、前記負荷の負荷電流に対する各前記パワー段のそれぞれの出力電流の割合が設定値になるように、各前記パワー段のハイサイドおよびローサイドスイッチを制御する。前記第2モードは、各前記パワー段間でハイサイドおよびローサイドスイッチのデューティ比がそれぞれ同一となるように、前記各パワー段の前記ハイサイドよびローサイドスイッチを制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】スイッチング用のパワーＭＯＳＦＥＴと、そのパワーＭＯＳＦＥＴよりも小面積でかつそのパワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を検知するためのセンスＭＯＳＦＥＴとが１つの半導体チップＣＰＨ内に形成され、この半導体チップＣＰＨはチップ搭載部上に搭載され、樹脂封止されている。パワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を出力するためのソース用のパッドＰＤＨＳ１ａ，ＰＤＨＳ１ｂには金属板ＭＰ１が接合されている。パワーＭＯＳＦＥＴのソース電圧を検知するためのソース用のパッドＰＤＨＳ３は、金属板ＭＰ１と重ならない位置にあり、パッドＰＤＨＳ３を形成するソース配線１０Ｓ３と、パッドＰＤＨＳ１ａ，ＰＤＨＳ１ｂを形成するソース配線１０Ｓ１との接続部１５は、金属板ＭＰ１と重なる位置にある。 （もっと読む）