説明

Fターム[5H730DD11]の内容

DC−DCコンバータ (106,849) | スイッチング部(主変換部の) (10,397) | スイッチング素子の接続態様 (1,078)

Fターム[5H730DD11]の下位に属するFターム

Fターム[5H730DD11]に分類される特許

1 - 2 / 2


【目的】降圧型と昇圧型の超小型DC−DCコンバータやフィルタ機能を併せ持つパワ−ライン用スイッチに用いることができる複合半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明によれば、インダクタ10とpチャネルMOSFET1およびnチャネルMOSFET5とで構成される複合半導体装置100において、インダクタ10を磁性絶縁基板12に形成し、磁性絶縁基板12上に設けられた半導体チップ11にpチャネルMOSFET1およびnチャネルMOSFET5を形成し、pチャネルMOSFET1のソース2と入力端子であるSW1端子を接続し、インダクタ10の一端をドレイン3とnチャネルMOSFET5のドレイン6の接続点9に接続し、他端を出力端子であるL端子に接続する。SW1端子をDC−DCコンバータの入力コンデンサCinに接続し、L端子を出力コンデンサCoutに接続することで降圧型のDC−DCコンバータを形成でき、SW1端子とL端子を入れ替えることで昇圧型のDC−DCコンバータを形成できる。 (もっと読む)


交流電源1から整流回路2を通して供給された直流、又は直流電源から直接供給された直流を導く線路の正側と負側に、スイッチング素子M1,M2,M3を直列に接続し、前記スイッチング素子M1,M2,M3を、高周波信号でオンオフ制御し、接続点aと負荷端子cとの間にイン
ダクタL1、キャパシタC1を挿入し、接続点bと負荷端子dとの間にインダクタL2、キャパシタC2を挿入した。スイッチング素子M1,M3をオンオフする位相が同じであり、スイッチング素子M2をオンオフする位相が、逆相になっている。変圧器を用いないでも、直流に対する絶縁だけでなく、交流に対する絶縁も十分に確保することができる。
(もっと読む)


1 - 2 / 2