【課題】磁心の外足にコイルが巻かれる場合、コイルによって生じる磁束が外部の電子部品に影響を及ぼすおそれがあること。
【解決手段】リアクトル用コイルＷＲは、一対のトランス用コイルＷ１，Ｗ２の一方の端子に接続され、トランス用コイルＷ１，Ｗ２の他方の端子は、スイッチング素子Ｓｎ１，Ｓｎ２およびダイオードＤｐ１，Ｄｐ２のそれぞれの接続点に接続されている。リアクトル用コイルＷＲは、足２１に貫かれ、トランス用コイルＷ１は、足２２に貫かれ、トランス用コイルＷ２は、足２１，２２に貫かれている。磁心２０は、足２１，２２を挟む足２３，２４と、足２１〜２４に接続される接続部２５，２６を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】作製工程が簡略化され、容量素子の面積が縮小化された昇圧回路を有する半導体
装置を提供することを課題とする。
【解決手段】直列に接続され、第１の入力端子部から出力端子部へ整流作用を示す複数の
整流素子と、第２の入力端子部に接続され、互いに反転する信号が入力される第１の配線
及び第２の配線と、それぞれ第１の電極、絶縁膜及び第２の電極を有し、昇圧された電位
を保持する複数の容量素子とから構成される昇圧回路を有し、複数の容量素子は、第１の
電極及び第２の電極が導電膜で設けられた容量素子と、少なくとも第２の電極が半導体膜
で設けられた容量素子とを有し、複数の容量素子において少なくとも１段目の容量素子を
第１の電極及び第２の電極が導電膜で設けられた容量素子とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を制御する回路基板の温度上昇を抑制することのできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１０は、リアクトル８、放熱板６ｂ、スイッチング素子ＳＷを収めたパワーモジュール２２と、冷却器２５、スイッチング素子を制御する回路を実装した回路基板３と断熱材３１を備える。冷却器２５は、パワーモジュール２２と一体化しており、ＰＥユニット２０を構成する。放熱板６ｂは、一端が冷却器２５に接続しており、リアクトル８の上部に位置する。断熱材３１は、放熱板６ｂと回路基板３との間に配置されている。放熱板６ｂと回路基板３との間に配置された断熱材３１が、リアクトルの熱による回路基板への影響を低減する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑えると共に、発生ノイズを低減することができる電力変換装置を、提供することを目的とする。
【解決手段】パワー半導体素子を内蔵し、パワー半導体素子の電極に接続された複数の電極フレーム１６ａ、１６ｂが外部に突出するようにモールド樹脂１８にて封止された樹脂封止型の半導体モジュール８が、金属ブロック１１ａ、１１ｂと絶縁された金属ベース２０ｂに載置された電力変換装置１であって、モジュール８の直流電力を供給する電源２の高電位側に接続され、パワー半導体素子の第一電極に接続された正電極フレーム１６ａ及び、電源２の低電位側に接続され、パワー半導体素子の第二電極に接続された負電極フレーム１６ｂと金属ベース２０ｂとの間に配置され、正電極フレーム１６ａ及び負電極フレーム１６ｂと金属ベース２０ｂとを容量結合するノイズバイパス手段７を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却効率を向上できる電力変換装置を提供することにある。
【解決手段】回路基板アッセンブリ１５０上に発熱するバスバー１６０、１６１を備え、回路基板アッセンブリ１５０はＤＣＤＣコンバータケース１１０に固定する。ＤＣＤＣコンバータ１００とインバータ２００を一体化に両装置間に冷媒流路１０１を形成する。バスバーの新たに設けたバスバー半田固定部１６０ｃ、１６０ｄ、１６１ｃ、１６１ｄは冷媒流路範囲１０１に接することにより、バスバー１６０、１６１で発生した熱は金属基板及びＤＣＤＣコンバータケース１１０を経由し冷媒に放熱する。 （もっと読む）

【課題】簡略化された回路構成でノイズ低減効果を持つ多相駆動型の昇圧回路を実現する。
【解決手段】昇圧回路は、所定周期のクロック信号を出力する発振回路と、前記クロック信号の１本の配線に直列接続され、トータル遅延時間が前記所定周期よりも長い複数の遅延回路と、前記複数の遅延回路に対応して前記１本の配線に接続された複数の分割昇圧回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ−ＤＣコンバータ装置において、スイッチング素子の冷却は放熱プレートへの放熱手段のみで、発熱量の大きいパワーＭＯＳＦＥＴなどを並べて配置する場合は効率よく放熱するためには熱抵抗の低減や水冷装置の冷却経路の複雑化などの課題があった。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ装置の電圧変換するためのインダクタ素子に流れる電流を制御する複数のスイッチング素子を金属製のケースよりも伝熱特性が良い金属製の放熱体に伝熱性を有する絶縁材を介して金属製のケースに固定する。隣接するスイッチング素子との間で熱の流れが交錯するのが少なくなって熱干渉が少なくなることで、熱拡散が良くなりスイッチング素子冷却効率をより高めることができる。 （もっと読む）

【課題】一次巻線又は二次巻線が導電板で形成され、一次巻線に印加される直流電圧をスイッチングするように構成してあり、配線インダクタンスが小さく、放熱設計の為の部品配置の自由度が大きい変圧器の提供。
【解決手段】一次巻線３又は二次巻線４が導電板で形成され、一次巻線３に印加される直流電圧をスイッチングするように構成してある変圧器。導電板で形成された一次巻線３又は二次巻線４の２つの引出し部５，６を、絶縁体（図示せず）を挟んで重ねてある構成である。 （もっと読む）

【課題】従来よりもコストを抑えながらも、トランスからの漏れ磁束による影響を従来よりも低減して外部装置に電力を供給することができる電源装置を提供する。
【解決手段】少なくともスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ３（半導体素子）を配置する第１基板１２と、トランス１３と、交流成分を低減するフィルタ機構（フィルタ部１５および出力安定部１６）と、第１基板１２，トランス１３，フィルタ機構を収容するケース１１とを有する電源装置１０において、近接して配置されるトランス１３とフィルタ機構との間に備えられ、トランス１３の漏れ磁束を含むノイズ遮蔽する第１遮蔽部１１ｃを有する。この構成によれば、第１遮蔽部１１ｃを介在させるので、フィルタ機構はトランス１３からの漏れ磁束を含むノイズによる影響が低減される。従来技術のように高価なヒートシンクを用いなくて済むので、従来よりもコストを抑えられる。 （もっと読む）

【課題】電力変換機器間の配線長を極力均等に設定することで電力変換効率を高めることができる充電装置を提供する。
【解決手段】商用電力を直流電力に変換する電力変換機器１１，８１，３，４，５，７，９を実装した充電装置１Ａであって、前記電力変換機器は、入力交流電力を入切する電源ブレーカ１１、前記入力交流電力を所定の交流電力に変換する電力変換回路３、前記所定の交流電力を所定の電圧に変換する電圧変換回路４、及び前記所定の電圧に変換された交流電力を直流電力に変換する整流回路５を含み、前記電力変換機器を実装するコアフレーム１４と、前記コアフレームを覆うように当該コアフレームに装着されるアウタハウジング１５ａ，１５ｂと、を備え、前記電源ブレーカ、前記電力変換回路、前記整流回路、及び前記電圧変換回路が、この順序で前記コアフレームに実装されている。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング部からの熱を放熱する放熱部の影響によるノイズを低減し、且つ、Ｘコンデンサの電荷を放電する放電抵抗による消費電力を低減する。
【解決手段】 スイッチング部の放熱部とトランスの入力側を接続して、前記放熱部に流れる電流をスイッチング手段に還流する第１の電流経路を形成し、整流部と前記トランスとの間のライン間に接続されたコンデンサと、トランスの出力側と、コンデンサを接続した第２の電流経路を形成したラインフィルタ。 （もっと読む）

【課題】インダクタンスを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】整流用ＭＯＳＦＥＴ２０と転流用ＭＯＳＦＥＴ２１、及びこれらを駆動する駆動用ＩＣ２２を一つのパッケージに実装した半導体装置において、整流用ＭＯＳＦＥＴ２０、金属板２５、転流用ＭＯＳＦＥＴ２１を積層し、主回路の電流はパッケージの裏面から表面に向かって流れ、金属板２５はパッケージ内の配線を経由して出力端子に繋がり、駆動用ＩＣ２２と整流用ＭＯＳＦＥＴ２０、及び転流用ＭＯＳＦＥＴ２１を繋ぐ配線にワイヤボンディング２３を用い、全ての端子が同一面に配置されている。これにより、インダクタンスが小さくなり、電源損失及びスパイク電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】画像形成装置に対して着脱可能な電源ユニットにおいて、着脱時の安全性をより高めた構成を提供する。
【解決手段】外部電源から所定電圧の電力を供給するための電源ユニットが内部に装着される画像形成装置は、外部電源と電気的に接続されたコンデンサーと、コンデンサーの両端と電気的に接続される少なくとも一対の配線と、画像形成装置の本体に対する電源ユニットの相対移動に関連付けて、一対の配線の少なくとも一方を通じてコンデンサーを放電させるための放電機構とを含む。 （もっと読む）

【課題】電源制御の特性を低下させることなく、より小型な電源制御回路モジュールを提供する。
【解決手段】積層体２０の表面には、スイッチングレギュレータ用素子３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄおよびリニアレギュレータ用素子３２が間隔をおいて実装されている。積層体２０の誘電体層２０２，２０３の界面には、電極非形成部３００によって分離された内部グランド電極２２１１，２２１２，２２１３，２２１４，２２１５が形成されている。内部グランド電極２２１１，２２１２，２２１４，２２１５は、それぞれスイッチングレギュレータ用素子３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄに接続されている。内部グランド電極２２１３は、リニアレギュレータ用素子３２に接続されている。内部グランド電極２２１１，２２１２，２２１３，２２１４，２２１５は、それぞれ異なる外部グランド端子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】スイッチング用のパワーＭＯＳＦＥＴと、そのパワーＭＯＳＦＥＴよりも小面積でかつそのパワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を検知するためのセンスＭＯＳＦＥＴとが１つの半導体チップＣＰＨ内に形成され、この半導体チップＣＰＨはチップ搭載部上に搭載され、樹脂封止されている。パワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を出力するためのソース用のパッドＰＤＨＳ１ａ，ＰＤＨＳ１ｂには金属板ＭＰ１が接合されている。パワーＭＯＳＦＥＴのソース電圧を検知するためのソース用のパッドＰＤＨＳ３は、金属板ＭＰ１と重ならない位置にあり、パッドＰＤＨＳ３を形成するソース配線１０Ｓ３と、パッドＰＤＨＳ１ａ，ＰＤＨＳ１ｂを形成するソース配線１０Ｓ１との接続部１５は、金属板ＭＰ１と重なる位置にある。 （もっと読む）

【課題】スイッチングＩＣのスイッチング制御により発生したスイッチングノイズが共通のグランド電極パターンを介してグランドラインから漏洩することを抑制できるＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ１０の絶縁性基板１１には、表面にインダクタＬ１、内部にスイッチング制御ＩＣ１３、裏面にグランド電極パターン１２が設けられている。グランド電極パターン１２は、隔離した第１パターン１２１および第２パターン１２２と、これらを接続するブリッジパターン１２３からなる。第１パターン１２１および第２パターン１２２には、インダクタＬ１またはスイッチング制御ＩＣ１３が接続されている。ブリッジパターン１２３は、インダクタＬ１に対向し、幅が第１パターン１２１および第２パターン１２２よりも幅が狭くしてある。 （もっと読む）

【課題】フィードバック用整流回路と制御回路を接続する配線パターンと、制御回路とスイッチング素子を接続する配線パターンの交差を防止し、ノイズによる悪影響を抑えることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】ダイオード１４３ｆと出力電圧安定化回路１４５を接続する配線パターンＷ１０１は、ダイオード１４３ｆ側の接続点Ａ１０と出力電圧安定化回路１４５側の接続点Ｂ１０とを結ぶ直線Ｌ１０によって区画される２つの領域のうち、後側の領域に形成されている。出力電圧安定化回路１４５とＭＯＳＦＥＴ１４１を接続する配線パターンＷ１０２は、直線Ｌ１０及び配線パターンＷ１０１によって囲まれる領域以外の領域に形成されている。そのため、配線パターンＷ１０１と配線パターンＷ１０２の交差を防止することができる。従って、パルス信号に伴うノイズによる悪影響を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】回路素子の接続端子の曲げ加工を従来よりも抑制して、組み立て工程に要する時間を短縮できる電源装置を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体素子を配置するプリント基板１２と、プリント基板１２を収容するケースとを有する電源装置１０において、実装表面１２ａ（プリント基板１２の一面）に対向して配置されるインサートバスバー１９を有し、ケース内には第２空間に配置されるトランス１６（一以上の回路素子）をさらに有し、トランス１６の１次側端子（リード線ｔａ〜ｔｄ）はプリント基板１２とインサートバスバー１９との間に配置されるとともに、インサートバスバー１９に備えられる接続端子台１９ｃの端子群（端子ｔｈ〜ｔｋ）と電気的に接続される構成とした。この構成によれば、１次側端子の曲げ加工を従来よりも抑制したり無くしたりすることができ、組み立て工程に要する時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】大型の放熱部材を用いることなく高い性能を発揮可能なパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のパワー半導体モジュール（１）は、第１セラミック基板（１１）と、第１セラミック基板の一方の主面に配置された第１導電層（２１）と、第１セラミック基板の他方の主面において第１導電層と対向する領域に配置された第２導電層（２２）と、シリコンよりバンドギャップの広い材料で構成され、第１導電層の表面に配置されたトランジスタ（３３ａ、３３ｂ）と、前記トランジスタのスイッチングによって第１導電層及び第２導電層に逆向きの電流変化が発生するように第１導電層と第２導電層とを電気的に接続する接続部材（３５ａ）と、第２導電層の表面に一方の主面が接触するように配置された第２セラミック基板（１２）と、第２導電層と絶縁されるように第２セラミック基板の他方の主面に配置された第３導電層（２３）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置が発するコモンモードノイズを簡単な構成によって低減することを目的とする。
【解決手段】（１）電力ケーブル１２Ｐと回路基板１４との接続部７０ＰからインダクタＬｐを経て、各スイッチング素子組の上アームＭＯＳＦＥＴ３２の放熱板５８に至る第１経路７２、（２）コモンモードノイズ低減用容量ＣｐＡおよびＣｐＢ、（３）電力ケーブル１２Ｎと回路基板１４との接続部７０ＮからインダクタＬｎを経て、各スイッチング素子組の下アームＭＯＳＦＥＴ３４の放熱板５８に至る第２経路７２、（４）コモンモードノイズ低減用容量ＣｎＡおよびＣｎＢは、コモンモードノイズを低減する回路の一部を形成する。（ＣｐＡ＋ＣｐＢ）／（ＣｎＡ＋ＣｎＢ）＝Ｌｎ／Ｌｐが成立するように各容量値を設定することで、コモンモードノイズを低減することができる。 （もっと読む）